微带电路等效

Ⅰ 微波谐振电路与低频的异同点是什么

相同点是原理相同，都可以等效为LC振荡回路。
不同点是，实现方法不同，低频的直接用集总的电容电感就可以了，微波，尤其是20GHz
往上的频段，一般没有集总的电容电感原件可以用，通常是用分布元件——分布式的电容、电感——来实现。具体体现在电路上，可能就是各种形状的传输线（微带线啊，带状线啊）拼成了一个微波谐振电路。还有什么不明白的，可以继续问，这个问题我要是回答不了，我就没脸见我的学生了。

Ⅱ 什么是平面电路什么是非平面电路二者有何区别

非平面电路就是不管你怎么摆，放到一张纸上,线肯定有交叉。比如你在纸上画上正方形ABCD,认为是四根导线,导线上有元件,AC、BD之间再画两根带原件导线。

你就会发现,这个电路的六根线怎么放纸上都会交叉,（这就是标准电桥电路,）这就是非平面电路。可以放了不交叉的就是平面电路了。

平面电路网孔就是你的电路没有交叉之后，数你的导线围成的最小的回路有几个，就像是数渔网有几个洞一样。

(2)微带电路等效扩展阅读：

平面电路的应用研究：

随着微波集成电路的不断发展，微波电路在电路结构、几何形状、材料性质、电磁环境等方面都变得日益复杂，如何准确而有效地对微波电路展开分析变得极其重要。

起初人们利用Maxwell方程及其边界条件来分析电路，然而由于Maxwell方程包含了空间坐标函数的矢量场量的矢量微分或积分运算，数学计算的难度很大，对于一些复杂的电路结构甚至无法直接求解。

计算机的出现和发展，开创了电磁场计算的新时代。20世纪60年代，几种适应于在计算机上进行大型计算的电磁场数值计算方法陆续出现。

1968年，Harrington的《计算电磁场的矩量法》(Field Computation by Moment Method)的出版宣告计算电磁学的创立。

常用的数值方法有基于积分方程的矩量法(Method of Moment，MOM)及其快速算法(如快速多极子)，基于微分方程的有限元法(Finite Element Method，FEM)和时域有限差分法(Finite Difference Time Domain Method，FDTD)等。

微波平面电路及其研究现状：

微波电路开始于20世纪40年代应用的立体微波电路，是一种把有源和无源器件集成在同一块半导体基片上的微波电路，它由波导传输线、波导元件、谐振腔和微波电子管等组成的，广泛用于各种电路及技术中。

随着微波固态器件的发展以及分布型传输线的出现，20世纪60年代初，出现了微波平面电路，它是由微带线、共面波导、槽线、集总元件、微波固态器件等无源微波器件和有源微波元件利用扩散、外延、沉积、蚀刻等各种加工制造技术。

制作在一块半导体基片上的微波混合集成电路(Hybrid Microwave Integrated Circuit，HMIC)，属于第二代微波电路。

与传统的第一代微波电路相比较，第二代微波电路具有体积小、重量轻、避免复杂的机械加工、易与波导器件集成等优点，可以适应当时迅速发展起来的小型微波固体器件。

又由于其性能好、可靠性强、使用方便等优点，因此被用于各种微波整机。从20世纪80年代开始，国际上微波电路技术已经从传统的波导及同轴线元器件和系统转移到采用微波平面电路。

除了某些大功率和高极化纯度的场合，微波平面电路已经几乎取代了各种常规形式的微波电路，是当前微波领域的主要研究对象。

在微波平面电路的技术发展历程中，砷化镓(GaAs)是使用最广泛的基片材料。然而随着频率的提高，具有周期结构的新型人工材料如频率选择表面、左手媒质、光子带隙材料为提高微波电路的性能提供了新的手段，同时也对分析和设计提出了新的要求。

频率选择表面由于具有带阻或带通特性，在微波与毫米波领域应用范围越来越广，是微波工程领域的前沿问题之一。

波概念迭代法原理：

波概念迭代法是一种结合了传输线理论与傅里叶模式变换的快速算法。这种方法根据所研究的电路结构确定分界面。

然后根据电路表面的切向电场和电流密度引入波的概念，通过对电路表面进行剖分网格来建立电路模型，利用空域散射算子表示空域波之间的关系。

利用谱域反射算子描述谱域波之间的关系，由于该方法概念清晰、模型建立简单、计算效率高，因此得到了很快的发展。

散射算子可以表示为矩阵的形式，其矩阵元素与电路表面剖分的网格单元一一对应。下面讨论空域散射算子的建立过程。

将电路表面均匀剖分成小矩形网格，根据其不同结构，可以将整个电路表面区域划分为金属(Metal)、介质(Dielectric)、源(Source)区域以及其它区域(图5所示)。

各个子区域拥有不同的边界条件，然后根据波概念方程及各个子区域的边界条件得到空域波在对应区域的散射关系，从而得到空域散射算子。

波概念迭代法分析微带贴片天线：

微带天线是一种典型的微波平面电路，和常用的微波天线相比，它具有如下优点：体积小，重量轻，低剖面，制造简单，成本低，可以和集成电路兼容等。

电器上的特点是能得到单方向的宽瓣方向图，最大辐射方向在平面的法线方向，易于和微带电路集成，易于实现线极化或圆极化。

相同结构的微带天线可以组成微带天线阵，以获得更高的增益和更大的带宽。已研制成了各种类型平面结构的印制天线，如微带贴片天线、带线缝隙天线、背腔印制天线以及印制偶极子天线。

微带贴片天线在一块厚度远小于波长的介质基片上，一面附着金属薄层作为接地板，另一面用光刻腐蚀等方法做出一定形状的金属贴片，利用微带线或同轴线探针对贴片馈电，在导体贴片与接地板之间激励起射频电磁场，并通过贴片四周与接地板的缝隙向外辐射。

常用辐射贴片的形状有矩形、圆形、多角形、扇形、H形等，也可以是窄长条形的薄片振子(偶极子)。微带贴片天线已广泛应用于军事、移动通信、航空航天、卫星通信等领域。

波概念迭代法在分析微带天线时，只对天线的不连续性表面剖分网格，微带线馈电或同轴探针激励处的区域定义为源区域，贴片所在区域为金属区域，其他为介质区域，根据各自区域的边界条件建立空域散射算子，表征空域波之间的关系。

电路表面之外的区域利用传输线理论等效，电路模型建立简单；利用空域波在分界面的散射和谱域波在上下区域的反射关系展开迭代运算，避免了基函数的选取和大矩阵的求逆，简化了运算；空域和谱域波之间的交互采用傅里叶模式变换实现，提高了计算速度。

可以看出波概念迭代法特别适合于分析微波平面电路。

Ⅲ 微波工程中为什么用51欧贴片电阻实现微带匹配负载

谈谈阻抗匹配的理解
2015-05-05
阻抗匹配（impedance matching）信号源内阻与所接传输线的特性阻抗大小相等且相位相同，或传输线的特性阻抗与所接负载阻抗的大小相等且相位相同，分别称为传输线的输入端或输出端处于阻抗匹配状态，简称为阻抗匹配。否则，便称为阻抗失配。有时也直接叫做匹配或失配。

阻抗匹配是指信号源或者传输线跟负载之间的一种合适的搭配方式。阻抗匹配分为低频和高频两种情况讨论。我们先从直流电压源驱动一个负载入手。由于实际的电压 源，总是有内阻的，我们可以把一个实际电压源，等效成一个理想的电压源跟一个电阻r串联的模型。假设负载电阻为R，电源电动势为U，内阻为r，那么我们可 以计算出流过电阻R的电流为：I=U/(R+r)，可以看出，负载电阻R越小，则输出电流越大。负载R上的电压为：Uo=IR=U/[1+(r/R)]， 可以看出，负载电阻R越大，则输出电压Uo越高。再来计算一下电阻R消耗的功率为：
P=I2×R=[U/(R+r)]2×R=U2×R/(R2+2×R×r+r2)
=U2×R/[(R-r)2+4×R×r]
=U2/{[(R-r)2/R]+4×r}

对于一个给定的信号源，其内阻r是固定的，而负载电阻R则是由我们来选择的。注意式中[(R-r)2/R]，当R=r时，[(R-r)2/R]可取得最小值0，这时负载电阻R上可获得最大输出功率Pmax=U2/(4×r)。即，当负载电阻跟信号源内阻相等时，负载可获得最大输出功率，这就是我们常说的阻抗匹配之一。此结论同样适用于低频电路及高频电路。当交流电路中含有容性或感性阻抗时，结论有所改变，就是需要信号源与负载阻抗的的实部相等，虚部互为相反数，这叫做共扼匹配。 在低频电路中，我们一般不考虑传输线的匹配问题，只考虑信号源跟负载之间的情况，因为低频信号的波长相对于传输线来说很长，传输线可以看成是“短线”，反 射可以不考虑（可以这么理解：因为线短，即使反射回来，跟原信号还是一样的）。从以上分析我们可以得出结论：如果我们需要输出电流大，则选择小的负载R； 如果我们需要输出电压大，则选择大的负载R；如果我们需要输出功率最大，则选择跟信号源内阻匹配的电阻R。有时阻抗不匹配还有另外一层意思，例如一些仪器 输出端是在特定的负载条件下设计的，如果负载条件改变了，则可能达不到原来的性能，这时我们也会叫做阻抗失配。

在高频电路中，我们还必须考虑反射的问题。当信号的频率很高时，则信号的波长就很短，当波长短得跟传输线长度可以比拟时，反射信号叠加在原信号上将会改变原信号的 形状。如果传输线的特征阻抗跟负载阻抗不相等（即不匹配）时，在负载端就会产生反射。为什么阻抗不匹配时会产生反射以及特征阻抗的求解方法，牵涉到二阶偏 微分方程的求解，在这里我们不细说了，有兴趣的可参看电磁场与微波方面书籍中的传输线理论。传输线的特征阻抗（也叫做特性阻抗）是由传输线的结构以及材料 决定的，而与传输线的长度，以及信号的幅度、频率等均无关。

例如，常用的闭路电视同轴电缆特性阻抗为75Ω，而一些射频设 备上则常用特征阻抗为50Ω的同轴电缆。另外还有一种常见的传输线是特性阻抗为300Ω的扁平平行线，这在农村使用的电视天线架上比较常见，用来做八木天 线的馈线。因为电视机的射频输入端输入阻抗为75Ω，所以300Ω的馈线将与其不能匹配。实际中是如何解决这个问题的呢？不知道大家有没有留意到，电视机 的附件中，有一个300Ω到75Ω的阻抗转换器（一个塑料封装的，一端有一个圆形的插头的那个东东，大概有两个大拇指那么大）。它里面其实就是一个传输线变压器， 将300Ω的阻抗，变换成75Ω的，这样就可以匹配起来了。这里需要强调一点的是，特性阻抗跟我们通常理解的电阻不是一个概念，它与传输线的长度无关，也 不能通过使用欧姆表来测量。为了不产生反射，负载阻抗跟传输线的特征阻抗应该相等，这就是传输线的阻抗匹配，如果阻抗不匹配会有什么不良后果呢？如果不匹 配，则会形成反射，能量传递不过去，降低效率；会在传输线上形成驻波（简单的理解，就是有些地方信号强，有些地方信号弱），导致传输线的有效功率容量降 低；功率发射不出去，甚至会损坏发射设备。如果是电路板上的高速信号线与负载阻抗不匹配时，会产生震荡，辐射干扰等。

当阻抗不匹配时，有哪些办法让它匹配呢？第一，可以考虑使用变压器来做阻抗转换，就像上面所说的电视机中的那个例子那样。第二，可以考虑使用串联/并联电容或电 感的办法，这在调试射频电路时常使用。第三，可以考虑使用串联/并联电阻的办法。一些驱动器的阻抗比较低，可以串联一个合适的电阻来跟传输线匹配，例如高 速信号线，有时会串联一个几十欧的电阻。而一些接收器的输入阻抗则比较高，可以使用并联电阻的方法，来跟传输线匹配，例如，485总线接收器，常在数据线终端并联120欧的匹配电阻。(始端串联匹配，终端并联匹配)

为了帮助大家理解阻抗不匹配时的反射问题，我来举两个例子：假设你在练习拳击——打沙包。如果是一个重量合适的、硬度合适的沙包，你打上去会感觉很舒服。但 是，如果哪一天我把沙包做了手脚，例如，里面换成了铁沙，你还是用以前的力打上去，你的手可能就会受不了了——这就是负载过重的情况，会产生很大的反弹 力。相反，如果我把里面换成了很轻很轻的东西，你一出拳，则可能会扑空，手也可能会受不了——这就是负载过轻的情况。

Ⅳ 怎样得到微带线的等效集总电路参数

这个好像有难度的哦不过你可以看到微带线的输入阻抗等一些参数毕竟这两个软件都是场求解的

Ⅳ 请教微带线做电感或电容的用法

那长度影响的是相复位。制四分之一波长就是π/4正弦波的峰值，最高点。四分之一波长做开路时候，也是理解为电容？但是相当于是阻抗无穷小？？，不是的，XC=1/2πFc，理论上讲是这样的，开路和短路和波长没有关系,电抗和频率有关下一问题同上。求高手

Ⅵ 请问您知道如何计算将微带线线等效为串联LC电路的LC的参数值吗

请参照微波原理的RICHARD 变换和kuroda规则，看懂这个你应该就会变换了，希望能帮到你

Ⅶ 在两级反馈放大电路中在调试中发现哪些元件对放大电路的性能影响最明显 为什

CH1
1． 按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？
晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律
2． 什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计
3． 多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？
MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。
4． 集成电路设计需要哪四个方面的知识？
系统，电路，工具，工艺方面的知识
CH2
1． 为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用?
原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉
2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11
3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？
接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触
4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。 P13
5．列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe,
6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点?
SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低
7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？
肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21
CH3
1． 写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长
2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29
3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？ 作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。
4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？
X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高
5． 说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。
热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复
6．列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。
干氧湿氧
CH4
1．Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？ 见表4.1
2．比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。
CMOS工艺技术成熟，功耗低。GaAs工艺技术不成熟，工作频率高。
3. 什么是MOS工艺的特征尺寸？
工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指最小栅长。
4. 为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺的主流技术？
铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤（MASK STEP），不容易对齐。硅栅工艺的优点是：自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电路的稳定性。
5. 为什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管？
因为电子的迁移率大于空穴的迁移率
6．简述CMOS工艺的基本工艺流程。P.52
7．常规N-Well CMOS工艺需要哪几层掩膜？每层掩膜分别有什么作用？ P50表4.3
CH5
1． 说出MOSFET的基本结构。
MOSFET由两个PN结和一个MOS电容组成。
2． 写出MOSFET的基本电流方程。

3． MOSFET的饱和电流取决于哪些参数？
饱和电流取决于栅极宽度W，栅极长度L，栅-源之间压降，阈值电压，氧化层厚度，氧化层介电常数
4． 为什么说MOSFET是平方率器件？
因为MOSFET的饱和电流具有平方特性
5． 什么是MOSFET的阈值电压？它受哪些因素影响？
阈值电压就是将栅极下面的Si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压。影响它的因素有4个：材料的功函数之差，SiO2层中可以移动的正离子的影响，氧化层中固定电荷的影响，界面势阱的影响
6． 什么是MOS器件的体效应？
由于衬底与源端未连接在一起，而引起的阈值电压的变化叫做体效应。
7． 说明L、W对MOSFET的速度、功耗、驱动能力的影响。
P70，71
8． MOSFET按比例收缩后对器件特性有什么影响?
不变，器件占用面积减少，提高电路集成度，减少功耗
9． MOSFET存在哪些二阶效应？分别是由什么原因引起的？
P.70-73 沟道长度调制效应，体效应，亚阈值效应
10．说明MOSFET噪声的来源、成因及减小的方法。
噪声来源：热噪声和闪烁噪声。热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的，可通过增加MOS管的栅宽和偏置电流减少热噪声。闪烁噪声是由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的，增加栅长栅宽可降低闪烁噪声。
CH6
1．芯片电容有几种实现结构？
① 利用二极管和三极管的结电容；
② 叉指金属结构；
③ 金属-绝缘体-金属（MIM）结构；
④ 多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构。
2．采用半导体材料实现电阻要注意哪些问题？
精度、温度系数、寄生参数、尺寸、承受功耗以及匹配等方面问题
3．画出电阻的高频等效电路。

4．芯片电感有几种实现结构？
(1)集总电感
集总电感可以有下列两种形式:
1 匝线圈;
2 圆形、方形或其他螺旋形多匝线圈;
(2)传输线电感
5．微波集成电路设计中，场效应晶体管的栅极常常通过一段传输线接偏置电压。试解释其作用。
阻抗匹配
6．微带线传播TEM波的条件是什么？

Ⅷ 等效介电常数与有效介电常数有什么区别

等效介电常数是在微带线中提出的，是指当微带线的导带，位于全空间的一种介质时，带线的特性阻抗与微带线的特性阻抗相同是，此时全空间填充的介质的介电常数。 查看原帖>>

Ⅸ 什么是微带线谐振器

微带线谐振器是利用微带线设计实现的一种类似于LC谐振回路功能的电路，其可等效成LC并联或者串联谐振回路，其频率选择性和阻抗性能都可以利用等效的LC谐振电路进行解释，常见的微带线谐振回路有，入/4,入/2,圆形，贴片型，环形，矩形环谐振器等。