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双向可控硅触发电路

发布时间:2022-01-26 23:31:37

⑴ 双向可控硅触发电路板接线图

双向可控硅触发电路板接线图 那一个?

⑵ 双向可控硅在交流电压中的触发电路

1、双向可控硅在电路中的作用是:用于交流调压或交流电子开关。
2、"双向可控硅":是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
3、可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。

⑶ 双向晶闸管如何触发电路

今天市场上销售的固态开关采用多种不同的技术和设计。标准双向晶闸管和无缓冲器的双向晶闸管以及90年代初推出的ACS系列产品是大家最熟悉的固态开关产品,这些开关的导通都是由栅电流触发的。但是,根据所采用的技术或设计,该电流可以是从栅极灌入的电流或者源出到栅极的电流。因此,触发电路必须考虑AC开关类型,然后正确地触发AC开关。 在某些情况下,控制电路还必须与交流电源电压隔离,例如,当微控制器amp参考电压与AC开关参考电压不同时,控制电路必须与交流电源电压隔离。当一个新电器采用一个变频器控制3相电机时,如果微控制器连接在直流电压轨上,而且ACS开关以线路电压为参考电压,控制电路就必须与交流电源电压隔离。从中国电子展了解到,如果设计人员想要从线路上隔离全部低压电路,控制电路也必须与交流电源电压隔离。这种解决方案通常情况下成本昂贵,因为使用一个绝缘性能良好的用户界面、使所有电子电路都以线路为参考电压的解决方案更简单,控制面板上只有几个按钮的电器设计就属于这种情况。 标准的双向晶闸管触发电路电压隔离解决方案是在双向晶闸管的A2和G端子上串联一个光电双向晶闸管。当然,还需串联一个电阻,以降低光电晶闸管上的栅电流。这种驱动解决方案适合所的双向晶闸管。因此,当双向晶闸管上的电压在导通前是正电压时,正栅极电流触发晶闸管导通,相反,当晶闸管导通前是负电压时,负栅极电流触发晶闸管导通。

⑷ 双向可控硅电路工作原理求解释……

以过零触发电路作为驱动模块

⑸ 可控硅触发电路

为什么主回路不用双向可控硅?这个触发电路不行。如果主回路用双向可控硅只需用1只moc3052不用再2加只可控硅,moc3052的4、6脚直接接主回路的双向可控硅的T2(K)、G端即可

⑹ 请知者详述下图中双向可控硅触发电路的原理,元件的作用

原理:

尽管从形式上可将双向晶闸管看成两只普通晶闸管的组合,但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。小功率双向晶闸管一般采用塑料封装,有的还带散热板,外形如图l所示。典型产品有BCMlAM(1A/600V)、 BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V),MAC218-10(8A/800V)等。大功率双向晶闸管大多采用RD91型封装。双向晶闸管的主要参数见附表。

双向晶闸管的结构与符号见图2。它属于NPNPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通,故除门极G以外的两个电极统称为主端子,用T1、T2。表示,不再划分成阳极或阴极。其特点是,当G极和T2极相对于T1,的电压均为正时,T2是阳极,T1是阴极。反之,当G极和T2极相对于T1的电压均为负时,T1变成阳极,T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性见图3,由于正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方向导通。

⑺ 可控硅触发电路 设计

你这电压只要4V,不需要可控硅就可以,直接用一个光耦元件就行,或者还有更简单的,将灯和开关串一起,按下灯亮,松开灯灭。。。

⑻ 双向可控硅触发电路

当SCR3导通的时候,两个单向可控硅就会导通,这样一来,就可以用R2来控制是SCR3导通角从而控制两个单向可控硅在单周期的导通时间,达到控制电机转速的效果。

⑼ 双向可控硅的触发电路

将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联.再将控制板与本触发电路连接,就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源,只要将负载与本电路串联后接通电源,两个控制极与各自的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产生,调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使两个主可控硅阻断,因此R2还可起开关的作用。该电路的另一个特点是两只主可控硅交替导通,一个的正向压降就是另一个的反向压降,因此不存在反向击穿问题。但当外加电压瞬时超过阻断电压时,SCR1、SCR2会误导通,导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路,其原理这里从略。
SCR1、SCR2选用封装好的可控硅模块(110A/1000V),SCR3选用BTl36,即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载,应增加R4,C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护,防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。

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