pmos驱动电路

⑴ 求一个大功率N沟道mos管(12V,2A)的驱动电路

第一级是小信号驱动，因为单片机输出功率不高，驱动第一级产生开关量，再驱动第内二级，第二级有偏容置，估计还是开关量，只是幅值放大了，高12，低0，第三级驱动PMOS开关，注意从第二级C级引出，因此POMS的G级PWM波与第二级相反（但是PMOS输出与第二级相同，因为PMOS为-电压导通，也具有反向作用），第四级为驱动NMOS又具有反向作用，其实我觉得只管驱动能力的话，第三级PMOS就可以驱动了，但是第三级输出与单片机输出反向，所有加了第四级，又具有反向，因此最终输出增强了驱动能力，PWM波与单片机输出相同，图中每一级输入与输出之前都具有反向的作用。希望能帮到你

⑵ 麻烦大神看看这个PMOS驱动电路的二极管和电容的作用是什么，答细有加分

无论MCU处于何种状态(含MCU断电)，只要IO无输入(低电平)，Q18都会关闭。因为D1、R2的存在，Q1关闭后D1和R2使Q18(G极)正偏。
图中C1为交流通道，D1为直流通导道(为Q18提供截止正压，应叫直流补尝二极管)。
至于D1、C1选值(主要是C1)，这就视乎IO的输出频率而定。

⑶ 如何选择最适合的MOS管驱动电路

1、管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

2、MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

3、MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4、MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。

5、MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动。

5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：

(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。

(5)根据情况施加隔离。

⑷ Pmos管开关电路

下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。

首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

第一步：选用N沟道还是P沟道

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用PMOS管经典开关电路，这也是出于对电压驱动的考虑。

第二步：确定额定电流

第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。该参数以FDN304P管DATASHEET为参考，参数如图所示：

来看这个电路，控制信号PGC控制V4.2是否给P_GPRS供电。此电路中，源漏两端没有接反，R110与R113存在的意义在于R110控制栅极电流不至于过大，R113控制栅极的常态，将R113上拉为高，截至PMOS，同时也可以看作是对控制信号的上拉，当MCU内部管脚并没有上拉时，即输出为开漏时，并不能驱动PMOS关闭，此时，就需要外部电压给予的上拉，所以电阻R113起到了两个作用。R110可以更小，到100欧姆也可。

⑸ 求一个用NPN管驱动PMOS管的电路

1，R1，R2的阻值应该对调，因为是采用电压控制的PMOS管，阻值可以适当加大，减少功耗，如R1：10K，R2：200K，而且这样还有一个好处，大幅的减轻Q11的负载，也减轻了单片机I/O口的输出电流要求。
2，因为不清楚你的要求和整体电路，单从这个局部电路来说，我暂时无法对加稳压管这方面对你提供什么建议。
另，电路带“电”，调试小心。

⑹ 求一个NPN三极管驱动PMOS管的电路

的NPN型号不多。用多大电阻怎么计算。
另外显示用的锁存器我之前用的是74HC244，现在没有那个，换成74LS244行不

⑺ MOS全桥驱动电路

电路有两个输入端，逻辑上是互为反相的，即输入信号使Q1导通时，会令Q2截止；

Q1漏极输出回低电答平，通过R7使得Q4栅极也是低电平，从而令Q4导通，为电机通过了电源和电流。场效应管是电压驱动的，与三极管的电流驱动不同，因而为Q4通过栅压的R7，其取值小了，是浪费电，但也不能过大了，还要为此类场效应管是栅极电容提供充放电流；

另外一半电路同理

⑻ 分析这个Mos管驱动电路原理

上面的是P沟道场管，下面的是N沟道场管；
此电路中，N沟道场管的栅极电压高电平时导通低电平时截止，而P沟道场管的则刚好相反；
余下的，就希望你自己能去想想了；

⑼ mos驱动电路图看不懂

看了你们的对话,我发现楼主还没明白,小白没有关系,没开数电模电更没关系,现在的你能对照着图纸连接实物,说明你很有学习电路的潜力!! 下面我给你详细点的解释,希望对你有所帮助.

J3的三个端子:1.PWM信号,控制MOS管的开关,也可以接普通高电平,其实PWM信号就是一组不断高低变化的电平信号,这样MOS就不停地开关,如果改变PWM的高低比例,就起到了控制输出功率的作用.
2.Vcc是电源正极的意思 (在你这个电路里它不起作用,可以不接)
3,是地线(电源的负极)

J2的两个端子:1.地线(电源的负极)
2.Vs另一组电源正极(你这里,该电压是提供给空心杯做动力的)

J3的两个端子 1.MOS输出端,接空心杯负极
2.电源Vs输出,接空心杯正极

这里的Vs与Vcc应该是有区别的,Vcc是经过稳压后提供给系统的电源,比如单片机的+5V
Vs是给空心杯提供能源的,你这里应该直接电池的两端,或是专门有一组高放电倍率的航模专用锂电池!

二极管用的是普通的发光二极管,这里是指示工作状态用

这个图驱动两个空心杯没问题,如果还要更多也没有问题,但要注意给MOS加散热器.

⑽ 用PMOS管做开关控制3.3V电源，单片机的IO口接G极，输出的电平出现2V的波动

参考这个电路图《带软开启功能的MOS管电源开关电路》：

带软开启功能的MOS管电源开关电路