rcd吸收电路原理

A. 反激电路中，RCD吸收电路和TVS的区别

反激电路中，RCD吸收电路和TVS的区别
一、首先对MOS管的VD进行分段：
ⅰ，输入的直流电压VDC；
ⅱ，次级反射初级的VOR；
ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二、对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2
ⅱ，次级反射初级的VOR。

B. RCD吸收电路的RCD吸收电路的原理

若开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开回关电压上升。答其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所嵌位，约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。

C. RCD电路图详解

若开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到版吸收电权容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所嵌位，约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。



rcd吸收电路参数



rcd吸收电路设计

1、测量主变压器的初级漏感电感量Lr

这两种钳位电路均是为了吸收漏感的能量以降低主开关管的电压应力，既然是吸收漏感的能量，显然我们要知道变压器的漏感能量有多大。然而，需要知道漏感能量有多大，需要知道漏感多大，因此第一步我们就要测量变压器的漏感Lr。

2、计算漏感能量E

E=1/2*Lr*Ipk2

3、确定Vcmax或Vtvs

一般我们至少要给MOS电压应力留有10%的裕量，保守情况留有20%的裕量，尤其是没有软启动切功率相对较大的电源里，这里我们取20%的裕量。所以就有Vcmax（Vtvs）=80%*Vdsmax-√2*Vinmax。

D. RCD吸收电路的RCD吸收电路的设计

一﹑首先对mos管的VD进行分段：
Ⅰ，输入的直流电压VDC；
Ⅱ，次级反射初级的VOR；
Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
Ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
Ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC=VAC *√2
Ⅱ，次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
VOR=(VF+Vo)*Np/Ns
Ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
VDS=VD* 10%
Ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD减去Ⅰ，Ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%
注意：
① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）
③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）
④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的
Ⅴ，RC时间常数τ确定．
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。
三﹑试验调整VRCD值
首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。 如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一 点上，测试点接到RC另一点上）
一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
四﹑试验中值得注意的现象
输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。
重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
RCD吸收电路与RC电路的比较
采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而 且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC 小。
RCD吸收电路的影响
1.RCD电容C偏大
电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上 。
2.RCD电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）
电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。
3.RCD电阻电容乘积R×C偏小
电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至mos管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路一样。
4.RCD电阻电容乘积R×C合理，C偏小
如果参数选择合理，mos管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大
5.RCD电阻电容乘积R×C合理，R，C都合适
在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。

E. RCD电路的详细工作原理

反激式开关电源的原理是：Q1导通时，T1原边储存磁能。Q1关断时，T1次边释放之前储存的能量。
Q1关断时，由电感电流不会突变的特性，原边励磁电感的电流因Q1关断而失去继续流动的通路，其产生的感应电动势将会很高以致Q1击穿损坏。加入RCD吸收保护电路后，感应电动势使二极管D正偏导通，励磁电感储存的磁能为电容C充电、被电阻R消耗，由电容端电压不会突变的特性，感应电动势的幅度被限制在不大的数值范围内，避免Q1击穿损坏。

F. RCD吸收电路中R上消耗的功率如何计算请高人指点！

P=1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout)))
上式中：Lleak-漏感
Ipeak-初级峰值电流
Vsnub-期望的钳位电压（一般为反射电压N*Vout的2-2.5倍）
N-匝比（初级比次级）
Vout-输出电压（要加上管压降）
细节可参考 飞兆半导体官网中的application note，里面有关于此方面的文章，介绍的较为详细。（注：英文，但简单易懂）

G. RCD吸收电路如何设计

上面的回答有几处错误，
1. 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) 是能量单位J 焦耳，计算功率P还应再乘以工作频率内F（Hz）。容
2. 钳位电压一般选择为反射电压的1.4倍左右，这样的综合损耗通常最低。

选取电阻和电容时，应先估算几个参量，匝比，初级峰值电流，钳位电压，另外有些参数不可忽略如次级整流管压降，变压器二次侧漏感（尤其匝比比较大的时候）。有了这些参数之后，基本可以计算电阻了，P=V^2/R即可，选择一个纹波电压值Vr，如选为钳位电压的10%，C=I*T/Vr即可。
初步选定后，整机再做调整，即可得到合适的参数。离线式的反激电源，100K左右的频率，最终的参数一般电阻为几十千欧，电容为几纳法，否则计算的一定不合理或设计的不合理。

H. 开关电源中，RCD吸收电路主要担当什么作用

RCD电路有两种，一种是二极管和电容串联，电阻并联在二极管上，这种电路内作用是减缓功率管关断时电压的容上升速度，减小关断损耗；另一种是二极管和电容串联，电阻并联在电容上，这种电路的作用是限制功率管关断时的最高电压，防止功率管因关断过压而损坏。

I. 开关MOS管旁边并联的RCD吸收回路的吸收原理是什么

火线和地面的电压是220v，而零线和大地的电压是0.接在火线上，等你关上开关后，开关后的线和地面的电压是零。是安全的。但是如果把开关接驳在零线上，虽然断后形成不了通路，但是如果不小心接触到火线，火线和地面电压是220v，依然是危险电压，等于没接开关。所以一定要吧开关或者保险接在火线而不是零线上。险丝和开关都是串联接到火线上,不可能是并联的.因为,如果是并联的话,即使保险丝烧了,电路仍是通的.电流仍会从开关上流过,保险丝就起不到保险的作用了.