数字电路与设计

『壹』 数字电路与逻辑设计

1、C
2、F＝(A’＋A)B’＋BC＋A’C
＝B’＋BC＋A’C＝B’＋C
3、C
4、C
5、C。

『贰』 模拟数字电路的分析与设计

虽然你说不用讲三极管,但我还是要介绍一下铃木雅臣的《晶体管电路设计》模电方面的放大,运放的内部结构,差分放大,恒流电路,基本上都是有讲到的,放心,这不是和那教科书那样的千篇一律三极管电路的,你会知道一个三极管电路的电阻是怎么计算得来的,为什么要这么大的电阻
你说的74LS系列和NE555都是属于数字电路方面的给你介绍一本书
数字电子技术:从电路分析到技能实践
这也是一本不错的书的,这本书里面,你几乎可以看到所有常用的数字电路方面的IC
<运算放大器权威指南>:
运放无处不在,功能强大,却是最容易被轻视的,国内的书最多也就是一节课就讲完了,在这里讲了400多页升级必备!
我所说的书不是什么教科书,也不是什么教材,这就是一本实用的工具书,实用性是很强的
我看过大部分的,但没有精学过,想做什么电路了才去学一点的,你可以去看一下我回答的其它问题,觉得有用就买,没有用就算了

『叁』 数字电路设计

1、与非门实现与非功能，即L=-(A·B)【用-表示非】
A、B先与
再求非,输入同时为1输出才为0，否则为1(0的屏蔽作用)。真值表如下:
A
B
L
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
异或门L=A(+)B,输入不同则输出为1，否则为0(可用于半加器设计)，真值表如下:
A
B
L
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
全加器能进行加数，被加数和地位来的进位信号相加，并根据求和结果给出该位的进位信号。真值表如下:(Ci为低位进位信号
Co为进位信号
S为和)
A
B
Ci
Co
S
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
1
1
2、TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦(mw)而后者仅约为几十纳(10-9)瓦;
速度上通常以为TTL门的速度高于CMOS门电路。影响
TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。
集成门电路多余输入端一般不让悬空(如TTL与非门输入端悬空可以相当于高电平)，以防止干扰信号的引入。处理以不改变电路工作状态和稳定可靠为原则。有以下方法:1、把多余端和其他输入端连在一起;2、根据逻辑要求可以将“与门”或者“与非门”的多余输入端通过1-3千欧的电阻接正电源。将“或门”
“或非门”多余端接地。
高速电路应采用第二种方法。
3、我做实验结果是:其余输入端为高电平(逻辑1)时，连续脉冲能通过，但是有半个周期的时移(由于“非”功能的作用);其余输入端为低电平(逻辑0)时，输出一直为高电平。
希望对你有帮助，有疑问q我
273158963，互相学习。
祝你学习愉快!!~

『肆』 高教社出版《数字电路与系统设计》孙万蓉主编课后习题答案

高等教育出版社的吧，到这里去看吧，我就是在这里找到的。关注手机可以看！

『伍』 大学数字电子技术，逻辑电路的分析与设计。

ABC是1，公式1或A=A，不管前面是啥都等于原来的

『陆』 数字电路设计与模拟电路设计的本质区别

数字电路设计与模拟电路设计在本质上没任何差别！数字电路本质上说，就是模拟电路的特例。模拟电路中要注意的事项，很多同样适用于数字电路设计。其实我们通常都认为数电非0即1，其实未必是这样的，若是数电输入的电压在其01可识别之间，那输出就不确定了。
推荐你看本书，北京航空航天大学出版社出版的博客藏经阁丛书——《感悟设计——电子设计的经验与哲理》EDN博客名人王玮（网名 大道至简）编的，相当不错！

『柒』 为什么要学数字电路与逻辑设计

这门课的学习对学习计算机组成原理有影响 . 这门课学好了计组的有些内容就好学了

『捌』 想考研，学校要考数字电路与逻辑设计，我们只学了数字电子技术。数字电路与逻辑设计和数字电子技术这两本

电子技术基础（数字部分和模拟部分）比较简单
我同学考得虽说不是你说的专业，不过他专业课考这个。
至少他说这个很简单，仔细点就是抓分的课。

至于你要考哪一个，还是要看你自己选。下面是参考资料，这个专业是分方向的，所以决定了你考什么课比较好。
四、研究方向及课程设置
本专业分三个方向的培养方案：
方案（一）
研究方向：
（1）微电子、光电子材料与器件（2）纳米半导体结构与材料（3）纳米电子学与纳米光电子学（4）半导体异质结构物理学 （5）宽禁带半导体微电子材料与微波功率器件 （6）宽禁带半导体量子点材料与器件（7）硅基半导体发光材料和光电子集成（8）半导体功能薄膜材料的制备与物性（9）微纳电子、光电子材料物理与器件应用（10）半导体低维量子结构物理与器件。

课程设置：
（一）硕士生阶段
A类：
科学社会主义理论与实践 （2学分）
自然辩证法 （3学分）
英语 （4学分）
B类：
高等量子力学 （5学分）
C类：
凝聚态物理导论 （4学分）
高等半导体物理 （4学分）
固体理论 （4学分）
群论 （4学分）
D类：
电子薄膜物理 （4学分）
微机原理与应用 （4学分）
固体物理实验方法 （4学分）
第二外语 （2学分）

（二）博士生阶段
现代科学技术革命与马克思主义
第一外语
专业英语

（三）硕士生，博士生选修课程：
半导体低维结构 （3学分）
半导体器件与集成电路设计基础 （2学分）
现代半导体材料与器件 （2学分）
微电子学与固体电子学前沿讲座 （2学分）
（博士生可根据需要选修为硕士生开设的课程）

方案（二）
研究方向：
（1）超大规模集成电路设计方法学（2）集成电路SOC_IP设计方法与设计技术（3）集成电路可重构设计方法与设计技术
课程设置：
（一）硕士生阶段
A类：
科学社会主义理论与实践 （2学分）
自然辩证法 （3学分）
英语 （4学分）
B类：
高性能计算机体系结构 （3学分）（计算机系）
VLSI 设计方法 （2学分）
C类：
VLSI 设计方法 （2学分）
Verilog HDL硬件描述方法语言 （2学分）
EDA工具 （2学分）
可编程集成电路设计 （2学分）
DSP与微控制器 （4学分）（电子系）
D类：
高性能计算机体系结构 （3学分）（计算机系）
微机原理与应用 （3学分）
数字图像处理 （3学分）（电子系）
第二外语 （3学分）
现代数字信号处理 （3学分）（电子系）

方案（三）
研究方向：
（1）纳米材料微波物性（2）磁性金属薄膜微波物性（3）铁氧体膜微波物性（4）磁性吸波材料（5）吸收材料工程应用
课程设置：
同凝聚态物理专业课程设置。