『壹』 关于一个MOS管组成的电压选择电路的电路分析，请个人大侠帮忙分析一下，先谢谢啦！
个人观点。。。。。。
首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
在集成电路制造中，NMOS制作在P型衬底上，P衬上做N阱，而PMOS做在N阱上的，
如果只有一个PMOS管（比如左边的电路），
那么当控制引脚是高电平时，左边电路导通，现在假设只有Q5，电源通过Q5的源端再经过沟道区到达漏端然后输出。
也就是说，此时漏端是高电平，而漏端是P型半导体区域，衬底是N型的，这即是说漏到N阱有一条低阻通路（正向pn结，很小的电压即可导通），一旦N阱接到什么低电平的地方，立马会出现大的电流，那就完蛋啦。
如果在串联一个PMOS，注意第二个PMOS是反向的，现在我们从电源开始走一遍。
首先是电源，然后来到第一个PMOS的衬，P+（表示重掺杂）半导体区域，然后来到第一个PMOS的源，P区域，再经过第一个的栅来到第一个PMOS的漏端，还是P区域。接下来来到第二个PMOS‘漏’（其实这种说法不对但是更易于理解），这个也是P区域，那么第二个PMOS的‘漏’是不是可以和第一个的漏合并咯，都是P区域半导体嘛。再下来到第二个MOS的栅再到第二个MOS的‘源’，然后来到第二个的衬，P+区域，而这个P+区域接的是高电位。也就是说电荷只会在每个P区域之间交换，不会无聊的去克服势垒到达N阱的N区域的。这样避免了大规模漏电。也就是说输出端只输出高电平而不输出大的电流。在电路上讲输出阻抗很较大，这样就不会影响下一级电路的设计了，这是大部分电路的理想要求哦
至于肖特基二极管，应该是用来钳位的吧，保证输出不会高于某个电压值。比如钳位电压是1.5V，那么选中左边的时候，输出是1.5V而不是3.3V
。。。。。。。只是个人这么觉得，，，，，
『贰』 电路板电路中的供电电压 选择 24V或5V ，为什么要选这个电压，是习惯还是元器件特殊的需要
你好：
——★1、早期的电子电路设计，许多都是为使用电池而设计的。早期还没有充电电池，都是干电池。所以设计时要符合干电池的电压等级，即1.5V的倍数。如3V、4.5V、6V、9V、12V、24V等。例如半导体收音机就是很好的例子。
——★2、电子元器件的设计和生产，也是和电源的电压相配合的。所以继电器、蜂鸣器等。其实这些电压等级还牵扯到标准化的制定问题。
——★3、随着电子技术的发展，集成电路芯片被大量使用。由于生产工艺的不同，有些工艺的集成电路芯片耐压较低，可以在+5V下安全运行，所以5V电压又称为设计、和应用的规范。如硬盘中的数据处理芯片，就是5V工作电压的。
『叁』 求一个选通电压的电路
位数不多,用LM339或324之类做成比较器,输出互拆就行
『肆』 二极管电平选择电路分析
用数学方法抄来推：反推法!(假设二极管导通后正向压降为0，但实际是0.7V，这里为了分析方便，把二极管当开关，即开和关）
首先，将两只二极管都拿掉，那么此时，电位是不是=E啊？因为电阻上没有电流嘛！输出UO=E；
假设U1>U2(为了便于说明的方便假设的，你也可以假设U2>U1，但都小于E啊，不然就都不导通了):
我再把二极管一个一个的装上去，装上V1后(V2没装），是不是V1导通了啊？那么输出电压肯定等于U1；
这个时候我再装上V2，因为UO=U1,而U1>U2，那么V2就导通了，这个时候是不是U1导通了呢？
再回过头去看，因为U2导通，那么此时输出UO=U2，而U1>U2，所以在装上V2后，V1截止了，所以输出UO=U2.
假设我不这样分析，（还是假设的U1>U2),我想装上的V2，V2导通，UO=U2，再装V1，因为U1>U2，所以V1不导通，所以还是UO=U2.
所以不管先装哪一个二极管，都不影响推导的结果。
以后碰到这种问题时，就先把二极管都拿掉。再一个一个往上装，算电位就出来了。
『伍』 电路：如图电路，选择节点0为参考点，根据节点电压法计算电流I
路图电路选择节点临渭三高点，根据节点电压法，节点就是t家的地方，就是t接电线的地方
『陆』 求一个选择电路的设计
采用非门是可以的，解决低电压仍然可以驱动三级管的办法是在非门后面串一个4.7K的限流电阻
『柒』 能帮忙设计一个开关电路，进行各种常用电压电流电路选择，用于AD模数转换
具体什么要求呀
『捌』 电压比较电路
LM393就是最简单的比较器了
只要设定一个13V的参考电压到通向反入端
被测信号加入到同相端
正常情况下输出为0，后续断电
当被测信号高于13V时比较器输出为高
『玖』 预先不知道被测电压的大约值是电路的电压选择适当的什么
据电压表的正确使用可知，如果预先不知道被测电压的大约值，但能判断被测电压不会超过15V，可以先用最大测量值为15V的量程，如果测五电压不超过九V，为了减小误差，读数更为准确，可以改用最大测量值为九V的量程进行测量；
故答案为：不会超过15V；读数更准确；