P管充电电路

㈠ PMOS管应用原理

PMOS管应用原理

PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是

VGS<VTN (NMOS)，

VGS>VTP (PMOS)，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。

MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

各种场效应管特性比较

在2004年12月的国际电子器件会议(IEDM)上表示：双应力衬垫(DSL)方法导致NMOS和PMOS中的有效驱动电流分别增加15%和32%，饱和驱动电流分别增加11%和20%。PMOS的空穴迁移率在不使用SiGe的情况下可以提高60%，这已经成为其他应变硅研究的焦点。

PMOS管

pmos PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconctor 别名 ： positive MOS

㈡ PMOS做5V电源开关问题

把r56或r52焊上试试。检测二极管，是否完好。

㈢ 关于一个电源电子开关的电路分析。用PNP和PMOS做的。

㈣ Pmos管开关电路

下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。

首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

第一步：选用N沟道还是P沟道

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用PMOS管经典开关电路，这也是出于对电压驱动的考虑。

第二步：确定额定电流

第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。该参数以FDN304P管DATASHEET为参考，参数如图所示：

来看这个电路，控制信号PGC控制V4.2是否给P_GPRS供电。此电路中，源漏两端没有接反，R110与R113存在的意义在于R110控制栅极电流不至于过大，R113控制栅极的常态，将R113上拉为高，截至PMOS，同时也可以看作是对控制信号的上拉，当MCU内部管脚并没有上拉时，即输出为开漏时，并不能驱动PMOS关闭，此时，就需要外部电压给予的上拉，所以电阻R113起到了两个作用。R110可以更小，到100欧姆也可。

㈤ 如下图PNP三极管和Pmos管稳压电路是如何工作的呢

高频干扰几个并联电容首先能滤掉一部分。

如系统发生电压升高：
- D4稳压管两端电压不变，既PNP基极电压不变。
- 但电流增大也就是R1两端电压升高，既PNP发射极与基极电压差变大。这时PNP导通能力变大或者导通。（这样会把一部分电流分流出去，分到R4上）

- 由于分流到R4，两端电压升高（栅极电压升高），能起到抑制P-MOS导通能力。既可以限制电流，电压升高。
如系统发生电压偏低：
- C4储能通过二极管释放能起到稳压作用。
而且终端芯片应该也是稳压芯片。它本身能在一定的电压浮动范围内可以稳定输出电压。

㈥ P MOS管电路无法关断电源的问题

MOS管不等同三极管应用，栅极对地接个10K的下拉电阻看看情况会怎样。

㈦ 请教PMOS管开关电路

图二电路这个是不需要关断。本人菜鸟，请问下，确定当VIN输入5V的时候，VOUT也有5V吗？为什么D,S换了个方向也可以导通呢？

㈧ pmos管咋工作的，整个电路

天猫里边儿管咋工作？整个电路对的，你可以看到电路图。分析图。

㈨ S-8211DAR用于均衡充电电路时MOSFET用P管还是N管呢

S-8211芯片跟DW-01相若，2个N-mos作充放电输出控制，很多8脚封装的mos芯片内里已有2个如STC5NF20，FDS9926A...等。

㈩ P沟道MOS管开关电路

P沟道MOS管开关电路图：

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“回感应答电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。