轰击电路图

A. 电脑工作原理

电脑怎样让我们看到图像和听到声音的呢？其实这个问题就是电视的显示原理。
图像实际上是由脉冲电流（即所谓数字信号）信号通过一段电线传给CRT的内部电路，再经电子枪发射电子束轰击荧光磷粉产生图像。即通过电子轰击荧光粉使电信号变成了光信号。
声音则是该电流流过电磁线圈时，会产生某频率的电磁场（与声波频率相似），这个电磁场与永久磁体的磁场相互作用，就推动了纸盆振动。于是声音就从喇叭中发出来了。即电流使纸盆（空气）发生某种频率的振动而发出声音，实现了电信号转变为声信号。

更形象地说明：按下键盘，主机集成电路中某些位置的电路中的电流（强度）发生了变化，该电流的变化经过了复杂的集成电路系统后逐步得到一个脉冲电流信号，此电流又传递到CRT的电路系统，CRT又将电流的变化转变成显像管中电子轰击荧光屏的位置变化产生了图像。同时，另一部分脉冲电流经过了一个电磁线圈时产生磁场，推动另一个与磁体相连的纸盆振动发出了声音。

结论:
我们按键盘输入各种程序，目的只是为了在大规模集成电路的许多不同的位置产生多种电流的输入，这些电流经过了电脑主机里面集成电路系统的处理后，得到了一个脉冲电流，传递到CRT的电路系统，于是电子束达到了各种所需的偏转的角度，正确的打在了荧光屏上产生了图像。
如此看来，我们输入那么多字母，最终只是为了改变显像管中电子偏移的角度，使它打到正确的位置产生正确的图像。另外的成果就是产生某种电流最终使喇叭中的纸盆振动发出了声音。这种通过敲键盘(所谓编程)改变电流来制作图像和声音的过程，我们为此起了个很玄的名字——生活数字化。

B. 量子点被强光轰击，1个光子能出来2电子那叫什么效应啊，原理呢

光照射到金属上，引起物质的电性质发生变化。这类光变致电的现象被人们统称为光电效应（Photoelectric effect）。 光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。

C. 霓虹灯的工作原理和电路图

霓虹灯的工作原理

霓虹灯是一种低气压冷阳极辉光放电发光的光源。气体放电发光是自然界的一种物理现象。通过气体放电使电能转换为五光十色的光谱线，是霓虹灯工作重要的基本过程。在通常的情况下，气体是良好的绝缘体，他并不能传导电流。但是在强电场、光辐射、例子轰击和高温加热等条件下，气体分子可能发生电离，产生了可以自由移动的代电粒子，并在电场作用下行程电流，使绝缘的气体成为良导体。这种电流通过气体的现象就被称为气体放电过程。

在密闭的玻璃管内，充有氖、氦、氩等气体，灯管两端装有两个金属电极，电极一般用铜材料制作，电极引线接入电源电路，配上一只高压变压器，将10～15kV的电压加在电极上。由于管内的气体是由无数分子构成的，在正常状态下分子与原子呈中性。在高电压作用下，少量自由电子向阳极运动，气体分子的急剧游离激发电子加速运动，使管内气体导电，发出色彩的辉光（又称虹光）。霓虹灯原理的发光颜色与管内所用气体及灯管的颜色有关；霓虹灯原理如果在淡黄色管内装氖气就会发出金黄色的光，如果在无色透明管内装氖气就会发出黄白色的光。霓虹灯原理要产生不同颜色的光，就要用许多不同颜色的灯管或向霓虹灯管内装入不同的气体。

霓：有时在虹的外侧还能看到第二道虹，光彩比第一道虹稍淡，色序是外紫内红，与虹相反。 虹：原意也是一种自然现象，就是彩虹，也是七彩的，色序从外至内分别为：赤、橙、黄、绿、蓝、靛、紫。 霓虹灯：夜间用来吸引顾客，或装饰夜景的彩色灯，所以用“霓虹”这两种美丽的东西来作为这种灯的名字。 霓虹是英文NEON的音译。

D. 化学电离源的工作原理是什么它与电子轰击电离源有什么不同

1）电子轰击源，电子轰击的能量远高于普通化学键的键能，因此过剩的能量引起分子多个键的断裂，产生许多碎片离子，因而能够提供分子结构的一些重要的官能团信息，但对于相对分子质量较大、或极性大，难气化，热稳定性差的有机化合物，在加热和电子轰击下，分子易破碎，难以给出完整分子离子信息。（2）在场致电离源的质谱图上，分子离子峰很清楚，但碎片峰则较弱，因而对于相对分子质量的测定有利，但缺乏分子结构信息。（3）场解析电离源，电离原理与场致电离相同，解吸试样分子所需能量远低于气化所需能量，因而有机化合物不会发生热分解，即使热稳定性差的试样仍能得到很好的分子离子峰，分子中的c-c
键一般不会断裂，因而很少生成碎片离子。总之，场致电离和场解析电离源都是对电子轰击源的必要补充，使用复合离子源，则可同时获得完整分子和官能团信息。

E. 这是光管的电路图。怎么问老师也不说！

从图上看，AB端的灯丝是断了220电压是不能加到启辉器的两端A和C，所以电路不工作，
如果把AB短接，那么220电压就能通过短线加到启辉器两端，这时启辉器就因高压高于启辉电压160V而发生热量使启辉器闭合，电路有电流通过CD端灯丝，灯丝得电发热就能发射电子，当启辉器内的双金属片短接后停止了发热就会慢慢降温，双金属片就会断开，这时通过整流器上的电流因断电产生较高的电压加于灯管与启辉器两端，而因灯管的灯丝己处热态高压就能通过灯管，使灯管两端电压小于启辉器的启辉电压，启辉器不工作，灯管就亮了．
这位朋友说的灯管为何不亮原因，其一，短接的一端不是灯丝断的一端，其二，可能把CD，和AB同时短接了（就没有灯丝加热了），其三，因灯管老化，灯管通电的电压己经大于启辉器的启辉电压，启辉器一直处于工作状态，使灯管不点亮（灯管会亮一下，又不亮再亮一下，一直循环）．其四，启辉器损坏，不能启辉（灯管一端直发红，但不闪）．其五，整流器烧坏，不能产生高压点亮灯管（灯丝发红特红，但会红一下，不红一下）．

F. 阿尔法粒子轰击氮核试验的化学方程式。原理是啥

原理是质量数、电荷数守恒
我这里用（14,7）N表示质量数14，核电荷数7的氮核，以此类推。
方程式：（14,7）N +（4,2）He——>(17,8)O +(1,1)H
码字不易，望采纳~
题主加油呀~

G. 电子枪电路原理图

1、原理图如下：

2、电子枪是加速电子轰击靶屏发光的一种装置，它发射出具有一定能量、一定束流以及速度和角度的电子束。(该电子束的方向和强度可以控制，通常由热阴极、控制电极和若干加速阳极等组成)电子枪用来提供电子束，并轰击荧光屏形成不同灰度等级的图像。电子枪一般分为热发射和场致发射两种;电子枪的功能在于给出满足要求的电子束，而电子枪的材料和工艺结构又必须考虑到电子枪易于加工和使用方便。

H. 急求 美国质子撞击炮炸开原理，写清步骤。 求图解答

概况质子撞击炮是著名游戏《命令与征服之红色警戒3》与《命令与征服之红色警报3：起义时刻》中盟军的终级武器。

质子撞击炮
（英文Proton Collider，也译作质子对撞炮或质子对撞机）
等同于该游戏上一代红色警戒2里天气控制机的作用（该装置可以在地图任何位置释放闪电风暴）。
质子撞击炮建造完毕，屏幕下面会有到记时显示，而屏幕的左侧会出现灰色的图标，
如果倒计时完毕，该图标就会变亮，点击既可在地图任何一个地方释放，
质子撞击炮是一个拥有一门5筒火炮的大型建筑。释放时，巨型火炮将对空发射5枚炮弹，炮弹落点既为你选中的释放地点。
特殊能力
质子撞击炮有多米诺骨牌效应，也就是说它会连着旁边的建筑物摧毁，所以对手如果有该武器的话尽量不要建造围墙（因为浪费）（建筑越多伤害越大）。
该超级武器对空军有效（光束落下时若在途中击中了飞行器，该飞行器会被摧毁；光束落在地上则对空军无攻击力）。该超级武器可以通过围墙传导能量造成更大范围的破坏。

已发现其有连锁反应。
在红色警戒3起义时刻中，对于质子撞击炮轰击的中心使用纳米巢核心（纳米虫群）可以将其威力增大数倍，但如果在轰击前就使用就会导致轰击失败。
另外，质子撞击炮的攻击范围也会随纳米虫群的位置而引起攻击范围增加，举例说明：假如质子撞击炮光束落下的位置离纳米虫群边缘很近的话，其爆炸效果会类似围墙传导－－立刻引发数次爆炸，而且位于一条直线，不过范围只有很短一段。

质子撞击炮轰击时使用纳米巢穴所产生的效果
用质子撞击炮攻击目标时，被攻击目标附近（3格以内）都会受到连锁反应的伤害，收到连锁反应伤害的目标的附近（3格以内）也会收到伤害（伤害不变）
数据资料
造价：5000（红警3原版的1.11版本中造价是2500）
耗时：360秒（6分钟）
耗电：75
聚集强烈的能量光束，使被光束集中的区域产生分子溶解连锁反应。
编辑本段武器原理
首先，要从原子弹的原理说起。原子弹的原理是用中子撞击原子，使其分裂成两半，并放出多余的中子和巨大的能量。而RA3中没了老爱（爱因斯坦），当然不能有原子弹之类的中子武器。而大家都知道原子是由中子和质子组成的，于是EA就“发明”了质子武器——质子撞击炮。它的原理其实和原子弹差不多，是用高速（接近光速）的质子撞击原子，放出多余的质子和巨大的能量。（传说中的质子武器）而连锁反应是因为放出的多余质子撞击其他原子造成的。可是，最让我奇怪的是，现实中，人们知道中子撞击原子，使其分裂成两半，可以放出多余的中子和巨大的能量，怎么就没人试试用质子？而游戏中，一群天才科学家连时光机和超时空转换都发明了，就是没人试试中子...实在是佩服EA的想象力……居然想出原子弹的另一个分支。下一步是什么？质子聚变武器？但不是说质子撞击理论上不成立，现在各国都有质子加速器，日本就有一个质子加速器(J-PARC)，它由一个330米长的线性加速器和两个同步加速器组成，质子速度经过3个阶段提升可接近光速。用高速质子轰击金属的原子核，原子核会被击碎并释放出中子、反质子、μ介子、K介子等粒子，同时释放能量，我国也有，但好像质子撞击更多的是物理科学实验，很难被用于武器。
其他说明
经过我个人测试质子撞击炮对有效范围内的攻击（光束）是以攻击中心为心依次落在不同地点的，也就是说在有效范围边缘的单位伤害是非常小的，举例说明：假设第一束光打中一个位于边缘的一个建筑，一般也就能受到这一次最大伤害，之后随着着陆位置偏移，到第三束光可能就不会再有伤害。因此，重点受攻击的单位或建筑要尽量放在中心附近
具体的图片恳请楼主打开http://ke..com/view/2176677.htm（抱歉~图我搬不上来55555~~~~~~~~~）

I. 芯片内部电路图该怎么看啊

1. 湿洗 (用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)

2. 光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )

3. 离子注入 (在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)

4.1干蚀刻 (之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的,而是为了离子注入而蚀刻的. 现在就要用等离子体把他们洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构, 这一步进行蚀刻).

4.2湿蚀刻 (进一步洗掉, 但是用的是试剂, 所以叫湿蚀刻).

--- 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦~ 但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做, 以达到要求. ---

5 等离子冲洗 (用较弱的等离子束轰击整个芯片)

6 热处理, 其中又分为:

6.1 快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)
6.2 退火
6.3 热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )

7 化学气相淀积(CVD), 进一步精细处理表面的各种物质

8 物理气相淀积 (PVD), 类似, 而且可以给敏感部件加coating

9 分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要这个..

10 电镀处理

11 化学/机械 表面处理

然后芯片就差不多了, 接下来还要:
12 晶圆测试
13 晶圆打磨

就可以出厂封装了，颖展电子元器件上有具体说明。

J. 三极管原理动图

随着科学技的发展，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件，其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点:

1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。

2、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关；即：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。

3、饱和状态下，Vc电位很弱的情况下，仍然会有反向大电流Ic的产生。

很多教科书对于这部分内容，在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书，大多采用了回避的方法，只给出结论却不讲原因。即使专业性很强的教科书，采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当，使讲解内容前后矛盾，甚至造成讲还不如不讲的效果，使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。笔者根据多年的总结思考与教学实践，对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法，并通过具体的教学实践收到了一定效果。虽然新的讲解方法肯定会有所欠缺，但本人还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来，以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善。

一、 传统讲法及问题：

传统讲法一般分三步，以NPN型为例（以下所有讨论皆以NPN型硅管为例），如示意图A。1.发射区向基区注入电子；2.电子在基区的扩散与复合；3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”（注1）

问题1：这种讲解方法在第3步中，讲解集电极电流Ic的形成原因时，不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通，从而产生了Ic，而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用，同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要Vc足够大基区足够薄，集电结就可以反向导通，PN结的单向导电性就会失效。其实这正好与三极管的电流放大原理相矛盾。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关，Ic只能受控于Ib。

问题2：不能很好地说明三极管的饱和状态。当三极管工作在饱和区时，Vc的值很小甚至还会低于Vb，此时仍然出现了很大的反向饱和电流Ic，也就是说在Vc很小时，集电结仍然会出现反向导通的现象。这很明显地与强调Vc的高电位作用相矛盾。

问题3：传统讲法第2步过于强调基区的薄，还容易给人造成这样的误解，以为是基区的足够薄在支承三极管集电结的反向导通，只要基区足够薄，集电结就可能会失去PN结的单向导电特性。这显然与人们利用三极管内部两个PN结的单向导电性，来判断管脚名称的经验相矛盾。既使基区很薄，人们判断管脚名称时，也并没有发现因为基区的薄而导致PN结单向导电性失效的情况。基区很薄，但两个PN结的单向导电特性仍然完好无损，这才使得人们有了判断三极管管脚名称的办法和根据。

问题4：在第2步讲解为什么Ic会受Ib控制，并且Ic与Ib之间为什么会存在着一个固定的比例关系时，不能形象加以说明。只是从工艺上强调基区的薄与掺杂度低，不能从根本上说明电流放大倍数为什么会保持不变。

问题5：割裂二极管与三极管在原理上的自然联系，不能实现内容上的自然过渡。甚至使人产生矛盾观念，二极管原理强调PN结单向导电反向截止，而三极管原理则又要求PN结能够反向导通。同时，也不能体现晶体三极管与电子三极管之间在电流放大原理上的历史联系。

二、新讲解方法：

1、切入点：

要想很自然地说明问题，就要选择恰当地切入点。讲三极管的原理我们从二极管的原理入手讲起。二极管的结构与原理都很简单，内部一个PN结具有单向导电性，如示意图B。很明显图示二极管处于反偏状态，PN结截止。我们要特别注意这里的截止状态，实际上PN结截止时，总是会有很小的漏电流存在，也就是说PN结总是存在着反向关不断的现象，PN结的单向导电性并不是百分之百。

为什么会出现这种现象呢？这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现。N区也是一样，除了多数载流子电子之外，也会有极少数的载流子空穴存在。PN结反偏时，能够正向导电的多数载流子被拉向电源，使PN结变厚，多数载流子不能再通过PN结承担起载流导电的功能。所以，此时漏电流的形成主要靠的是少数载流子，是少数载流子在起导电作用。反偏时，少数载流子在电源的作用下能够很容易地反向穿过PN结形成漏电流。漏电流只所以很小，是因为少数载流子的数量太少。很明显，此时漏电流的大小主要取决于少数载流子的数量。如果要想人为地增加漏电流，只要想办法增加反偏时少数载流子的数量即可。所以，如图B，如果能够在P区或N区人为地增加少数载流子的数量，很自然的漏电流就会人为地增加。其实，光敏二极管的原理就是如此。光敏二极管与普通光敏二极管一样，它的PN结具有单向导电性。因此，光敏二极管工作时应加上反向电压，如图所示。当无光照时，电路中也有很小的反向饱和漏电流，一般为1×10-8 —1×10 -9A(称为暗电流)，此时相当于光敏二极管截止；当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向饱和漏电流大大增加，形成光电流，该光电流随入射光强度的变化而相应变化。光电流通过负载RL时，在电阻两端将得到随人射光变化的电压信号。光敏二极管就是这样完成电功能转换的。