门电路光耦

1. 老师问光耦包括几种，说有一种是功率型，还有一种是什么型啊

功率型全称应该是功率输出型，这个是按照光电耦合器输出形式来分类的，其他的还有：
a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。
b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。
c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。
d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。
e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。
f、光开关输出型（导通电阻小余10Ω）。
g、功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。
你可以参考一下：http://ke..com/view/589855.htm

2. 快被这个P521的光耦整死了

你错啦。

你的主要问题在于，没有很好的理解灌电流和拉电流的意思。

对于数字IC，不管是数字门电路还是单片机，它在输出高电平时，输出电流的能力是很差的（也就是拉电流很小），51单片机很多只能输出uA级的电流（5V输出时），而光耦里面实际上相当于一个LED，uA级的电流要点亮LED，怎么可能呢？相反，IC的灌电流比较大，也就是输出低电平时，能够接收比较大的电流，51在输出0V时，IO口可以接受20mA的电流。

你参考一下我的电路。

左边和右边的电源可以不一致，地也可以不一致，完全隔离。

当74HC04输出低电平时，521的左边导通，LED发光，右边的光敏管接受到光信号，进而导通（还是饱和导通），这时候，输出端就相当于接12V，输出高电平。而74HC04输出高电平时，光耦的左边截止，光敏管接收不到信号，也截止，此时输出端得到AGND的电压。

这里的12V和AGND是示意，你也可以改成5V，只要算一下R的大小，一般电压不高的话（5-12V），R选择5.1-10K就可以了。光敏管的电流很小。

3. TLP627是光耦吗

TLP627是光耦
光耦种类信息：
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。 检测示意图非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。
线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：LP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
由于光电耦合器的品种和类型非常多，在光电子DATA手册中，其型号超过上千种，通常可以按以下方法进行分类：
⑴按光路径分，可分为外光路光电耦合器（又称光电断续检测器）和内光路光电耦合器。外光路光电耦合器又分为透过型和反射型光电耦合器。
⑵按输出形式分，可分为：
a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。
b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。
c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。
d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。
e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。
f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。
g、功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。
⑶按封装形式分，可分为同轴型，双列直插型，TO封装型，扁平封装型，贴片封装型，以及光纤传输型
光耦等。⑷按传输信号分，可分为数字型光电耦合器（OC门输出型，图腾柱输出型及三态门电路输出型等）和线性光电耦合器（可分为低漂移型，高线性型，宽带型，单电源型，双电源型等）。
⑸按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。
⑹按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。
⑺按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。
⑻按工作电压分，可分为低电源电压型光电耦合器（一般5～15V）和高电源电压型光电耦合器（一般大于30V）。

4. 光耦类型有多少种啊都有什么作用啊

从功能分有线性的非线性的，
从指标分有工作电压，速度等等。
功能都是为的电隔离

5. 电路中为什么要用光耦呢

电气隔离的要求。A与B电路之间,要进行信号的传输,但两电路之间由于供电级版别过于悬殊权,一路为数百伏,另一路为仅为几伏。

两种差异巨大的供电系统,无法将电源共用，A电路与强电有联系,人体接触有触电危险,需予以隔离。

6. 可控硅 光耦的经典电路求讲解

当光耦二极管有电流流过时，光耦的可控硅导通，当R3上的电压达到外可控硅导通电压时，外可控硅导通。电阻R2是分压电阻，防止光耦的可控硅导通时，电压过高，把外可控硅的控制端打坏。光耦的作用是隔离，门极的触发电压不能直接去控制外可控硅。

7. 如何配置让光藕在光二极管没导通时输出低电平

使用光耦进行电平转换

首先要根据要处理的信号的频率来选择合适的光耦。高频（20K~1MHz）可以用高速带放大整形的光藕，如6N137/TLP113/TLP2630/4N25等。如果是20KHz以下可用TLP521。然后搭建转换电路。如将3.3V信号转换为5V信号。电路如下图：

U4是74HC14，U3 AMS1117-1.8的稳压电路使发送时候光耦中LED的电流不随电源电压变化。这个电路在3.0V--5.5V都能稳定跑到115200bps的波特率。在232这边，DTR和RTS这两根信号线至少需要有一个是正电压（软件打开串口以后一般是这样的）。D1~D6都用1N4148， Q1， Q2用9015， A1015这些通用管就可以了。232口的RXD需要的正压和负压分别由DTR+RTS， TXD提供。TXD空闲时候是输出负压的，PC在发送数据时，TXD也会有负压，经R10和D4给C1充电后，使Q2的集电极保持有一定的负压。光耦U1未导通时，Q1截至，RXD上出现负压。Q1在这里起到放大光耦信号的作用，4N37工作在非饱和态，才能满足速度要求。

U1也可以用4N25， 4N26等，R6和R11要作些调整。U2本人也试用过6N136 （因为6N137是10Mbps级的，在这里大材小用了），但调试发现大不如6N137好用

8. 单片机接光耦隔离，做一个简单的非门。哪一个图比较好。

这两个图都有问题，光耦P521内部的三极管是NPN的，没有你画的PNP型的。P1.0一侧接的电源是版+20V，为什么要用权20V，这样会烧坏P1.0引脚的。其实很简单的，也用不着画两个图，没有什么好坏之分，见图1，P1.0为低电平，与你的要求一样，74LS08关闭

9. 光电耦合器的应用电路

对于开关电路，往往要求控制电路和开关电路之间要有很好的电隔离，这对于一般的电子开关来说是很难做到的，但采用光电耦合器就很容易实现了。图1中（a）所示电路就是用光电耦合器组成的简单开关电路。
在图1（a）中，当无脉冲信号输入时，三极管BG处于截止状态，发光二极管无电流流过不发光，则a、b两端电阻非常大，相当于开关“断开”。当输入端加有脉冲信号时，BG导通，发光二极管发光，则a、b两端电阻变得很小，
图1 相当于开关“接通”。故称无信号时开关不通，为常开状态。
图1中（b）所示电路则为“常闭”状态，因为无信号输入时，虽BG截止，但发光二极管有电流通过而发光，使a、b两端处于导通状态，相当于开关“接通”。当有信号输入时，BG导通，由于BG的集电结压降在0．3V以下，远小于发光二极管的正向导通电压，所以发光二极管无电流流过不发光，则a、b两端电阻极大，相当于开关“断开”，故称“常闭”式。
可见，开关a、b端在电路中不受电位高低的限制，但在使用中应满足a端电位为正，b端为负，并使U&ab>3V为好，同时还应注意Uab应小于光电三极管的BVceo。
依据图1的原理，光电耦合器可以组成如图2中（a）、（b）等多种形式。
图2
图2中（a）为单刀双掷开关电路，其中外接二极管D的作用，是保证输入正脉冲信号时“oa”组接通，“ob”组关断。图中（b）为双刀双掷开关电路，无输入信号时，BG截止，“ob”与“od”组断开，“oa”与“oc”组接通；BG导通（即有信号输入时），“ob”与“od”组接通，而“oa”与“oc”组断开。它们适于自动控制和遥控设备中使用。 图3
图3中（a）所示电路为光耦合器构成的可控硅开关电路。可控硅SCR的触发电压取自电阻R，其大小由通过光电三极管的电流决定，直接由输入电压控制。该电路简单，控制端与输出端有可靠的电隔离。
图3中（b）所示电路，为控制负载为纯电阻（如白炽灯泡）的开关电路，图中R1的阻值由下式确定：R1=V/1．2A，1．2A为双向开关的额定电流。当主电网电压为220V时，V=/2·220=308V，则R1=308/1．2=250Ω．所以，可控硅SCR的规格应依R1的大小进行选择。
当开关电路的负载为感性负载（如电动机等），则由于流过感性负载（线圈）的电流与电压的相位不同，需增加相应元件，方能保证开关电路的正常工作，如图46?所示。
图中双向可控硅SCR的触发电流，是由R3与C的不同数值而决定的。
表46—1 IG、R3及三者关系表
/IG(Ma)/R3(kΩ)/C(μF)
/15/2.4/0.1
/30/1.2/0.2
/50/0.8/0.3/
图4的开关电路，特别适于遥控时选用。
图4 图5中（a）所示电路，为光电耦合器控制的双稳态输出开关电路，它的特点是由于光电耦合开关接在两管的发射极回路上，故能有效地解决输出与负载间的隔离问题。图5（a）
图5 （b）
图5中（b）所示电路为光电耦合开关的施密特电路。当输入电压U1为低电平时，光电三极管C、e间呈高电阻，BG1导通，BG2截止，则输出电压U0为低电平；当输入电压U1大于鉴幅值时，光电三极管c、e间呈低电阻，则BG1截止，BG2导通，输出的电压U0为高电平。调节电阻R3，即改变鉴幅电平。 图6
对于不同电平的转换电路或输入、输出电路的电位需要分开时，采用光电耦合器就显得十分方便了。
中图6的（a）与（b）图示电路，就是5V电源的TTL集成电路与15V电源的HTL集成电路，相互连接进行电平转换的基本电路。
图（a）中，TTL门电路导通时，即输出低电平，发光二极管导通，光电三极管输出高电平；TTL门电路截止时，发光二极管截止，光电三极管输出低电平。
图（b）中，则是利用TTL截止输出高电平，发光二极管导通，光电三极管输出低电平；TTL导通输出低电平，发光二极管截止，光电三极管输出高电平。
在进行具体应用时，因CMOS集成电路在低电平时的电流只有1～2mA，难以直接驱动所接的负载，故一般需加一级三极管放大电路来驱动。 图7
串联型稳压电路，比较放大管需选用耐压高的三极管，若利用光电耦合器的输入与输出间绝缘良好的特点，便可实现高压控制。
图7中的（a）与（b）所示的电路，就是利用光电耦合器的高压稳压电路。
图（a）中，当输出电压因某种原因导致升高时，则BG5的偏压增加，发光二极管的正向电流增大，使光电三极管集电结电压减小，即引起调整管BG1发射结电压下降，其集电结电压上升，从而使原来升高的输出电压减小，保持输出电压的稳定。BG3管为限流保护电路。光电耦合器是工作在放大状态的。图（b）的工作原理与图（a）相同。