阈值判别电路

① 这个电路的阈值电压是多少，反馈路上有个二极管，就不会分析了，求解怎么分析和求解阈值电压，跪求

这很简单。当输出为高电平时。U0通过R1二极管是运放的同相端比3V高。
（6.7-0.7-3)/2R1 X R1 +3V 这就是输出高电平时，反相端要达到的阈值电压。

② 阈值电压对电路静态功耗有什么影响

有，看你抄问的是输出还是袭输入你TTL逻辑电路的话，输入一般是三极管，达到0.7的PN结压降就会导通，因此一般输入低电平认为是0.7V，大于0.7V都认为是高电平输出的话一般都是推挽结构的三极管，上下各有0.3V的三极管饱和压降，因此输出高电平一般是4.7，低电平一般是0.3V左右如果是OC输出的话，高电平没有压降，就是电源电压，比如5V，低电平有一个饱和压降，小于0.3V。CMOS电路的话因为内部使用的是MOS管，输入电压阈值一般为1/2电源值电路工作比较稳定输出与TTL类似，不一样的是CMOS电路在低电流输出时，因为它的导通电阻一般都非常小，毫欧级，所以压降也非常小，通常输出高电平电压能达到VCC-0.1低电平电压小于0.1V

③ 如何设计 阈值电压 开关 逻辑电路

这个提法太笼统了，你得提出具体案例，才方便说明；

④ 阈值电压是什么 怎么理解

阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。

在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。

MOS管的阈值电压等于背栅（backgate）和源极（source）接在一起时形成沟道（channel）需要的栅极（gate）对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

(4)阈值判别电路扩展阅读

偏置电压指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间，集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的pn结应该正偏，集电极-基极之间的pn应该反偏、

因此，设置晶体管基射结正偏，集基结反偏，使晶体管工作在放大状态的电路，简称为偏置电路。直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。

⑤ 怎么判断集成运算放大器有几个阈值电压

直接查集成电路手册就行了，阈值电压在制作集成电路时就定型了，在手册里都清楚标注了。

⑥ 求滞回比较器电路的阈值

2、反相滞回比较器
工作原理：滞回比较器的三个主要参数是：阈值电压v1、v2和回差电压vh，改变基准电压vref（也叫参考电压）的大小，可同时调节两个阈值电压v1和v2的大小，且不影响回差电压值vh；改变rw和r2的比值或输出电压的正负幅度可以调整回差值大小。提示：如果电路中遇到干扰电压时，可以适当调节rw和r2的比值，使干扰信
(a)
电路图
(b)
传输特性
图10－2
滞回比较器
号的峰值落在回差电压范围内，就不会引起电路输出端的误动作，即错误的翻转。实验电路如图10－2所示
（1）按图接线，并将rw调为100k（或用实验箱上100k电阻直接连上）。输入信号ui接实验箱左侧直流电压-5v-+5v输出端并用万用表直流电压档调到大约±0.8v左右（视运放同相端3脚对地电压而定）。测出v0从u+跳变到u-时ui的临界值。（原理与方法1：当输入电压ui经过r1电阻进入运放反相输入端2脚后，此电压一旦与同相端3脚u∑对地电压相等（ui=±u∑），就使得输出电压uo发生反相跳变，这一变化使同相端3脚+u∑重新得到一个与原来相反的对地直流电压-u∑(此电压与u∑大小基本相等，极性相反。由分压公式知：
u∑={10k/（100k+10k)}
±uo)。我们只需用万用表直流电压档先测量一下3脚u∑对地电压值，就可知输入电压ui为多大值时，输出端uo必然发生反相跳变。两次测量u∑，可知u0从u+跳变到u-时和u-从变到u+时ui的临界值。（2）为了观察uo上下跳变，将示波器耦合方式选为dc，y轴衰减置为5v/div,以便观察输出端uo直流电压的上、下跳变。
（3）vi接信号发生器f=500hz，有效值为1-3v的正弦波，观察并记录ui和u0的波形。
（4）将电路中的rw调为200k，重复上述实验（只不过是分压比变了，±u∑对地电压变小了）。
（5）参考公式:
；

⑦ 设计一个电流阈值电路，当电流大于60mA时，二极管灯亮，低于60mA，二极管灯灭……

可在二极管正极和地加一个电阻（可以用电位器）给二极管立向加电压二板菠负极加一电源伎当电流达到60mA时二权管的正向电压大于负极约0.7伏可调整电位器进行调试。

⑧ 电路中怎么判别三极管是放大，截止还是饱和

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

首先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开（图1.22A）。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。图1.22A中的MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。图示的器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。

图1.22B中是当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。

MOS电容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反转（VBG＝3V），（C）积累（VBG＝-3V）。

中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。

MOS电容的特性能被用来形成MOS管。图1.23A是最终器件的截面图。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。

MOSFET晶体管的截面图：NMOS（A）和PMOS（B）。在图中，S＝Source，G=Gate,D=Drain。虽然backgate图上也有，但没有说明。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对soure和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。

Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在。图1.23B中就是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”， 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。

⑨ 有没有达到电压阈值才放电的电路

电击棍、照相机的闪光灯都是这样的电路。让小电流慢慢向电容充电，充满后一次放电就行。

⑩ 阈值是指一个数值还是一个范围区间

阈值是表示一个临界值；
在应用中，通常会让在临界值之下表现出一个状态，而在临界值之上表现出另一个状态；
阈值可以同时定义（或者叫设置）几个，这样就出现区间即是范围；
如果保温电路，低于60°就需要加热，高于65°就停止加热；