硅光电池放大电路

❶ 能不能帮我设计一个硅光电池电流转电压的放大电路。

精度提高的话用的电阻要用正负百分之1的，以上只代表原理图，仅供参考！

❷ 能不能用光敏二极管的信号放大电路做测量光照强度的测量电路

不太好，至少不能进行较为精密的测量。光敏二极管对光强的线性响应只在一定范专围里（大属概在0Lx到1500Lx），而且噪声略大。如果要做光强测量电路，建议使用硅光电池，利用其输出电流与光强的线性关系，得到照度值，响应好，精度高。需要说明的是，光电池对光强变化频率的响应带宽与其负载大小有关，需要在不同测量要求下选择不同的负载，以使其响应效果最好。具体的就不说吧，这些足够你用了。

❸ 请教此电路如何放大电压的

是啊，没错滴。一般来说，I/V变换用电阻就可以了。比如电流环····（嗯内，想起那天把电压当容功率算了，喝酒就蒙圈）可是电流很小的情况下，为了得到足够的电压幅值，就需要比较大的阻值了，会导致输出阻抗变高，结果为了适应后级电路，你还得加个缓冲器···直接用运放做I/V变换，一举两得。。拿你顶楼的图来说，如果只用电阻，RZ的一端要接地，这部分电路的输出阻抗体现在硅光电池与RZ的节点上，
2.2MEG欧；如果用运放做
I/V
变换，输出阻抗体现在运放的输出上，<100欧。资料你搜下啊，或者自己分析下，把你顶楼的电路除了运放、RZ、硅光电池留下，其它都去掉。。哦，电源不算。运放的虚短虚断···

❹ 测试光照度 用哪款光电池和集成运放

推荐你用高精度的轨至轨双运放OPA2333，该运放是常用的轨至轨运放，输出幅度可以非常接近电源电压。它是低功耗、小尺寸的零漂移放大器。它实现了高精度、微功耗以及微小型封装的完美组合。OPA2333 具有超低失调 (2uV)、超低静态电流 (17uA)、低至 1.8V 的工作电压以及 SC70 或 SOT23 封装等优异特性，是医疗仪器、温度测量、测试设备、安全与消费类等应用领域的理想选择。该运放价格不是很高，一般在5~10元。建议你买OPA2333，它是双运放，OPA333是单运放。使用时你应当接成同相放大器使用，否则因为放大器输入阻抗低，会使光电池电压下降。

❺ OP07放大芯片的电路应用求解--放大硅光电池的电压。

这是一个跨阻放大器， 输出电压Vo=-IR(I 是光电二极体的电流，R是反馈电阻)
跨阻放大简单点说就是电流转电压放大

❻ 光敏电阻，光敏二极管，光敏三极管，硅光电池各有什么特点

1. 光敏电阻：

概念：常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

作用：光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。

组成：光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。

优点：

内部的光电效应和电极无关（光电二极管才有关），即可以使用直流电源灵敏度和半导体材料、以及入射光的波长有关环氧树脂胶封装 (Coated with epoxy) 可靠性好 (Good reliability) 体积小 (Smallvolume) 灵敏度高 (High sensitivity) 反应速度快(Quickresponse) 光谱特性好 (Good spectrum characteristic)

缺点：

受温度影响较大响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高）是耗材

2、 光敏二极管：

概念：又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。

基本特性：

(1) 光谱特性

(2) 伏安特性

(3) 光照特性

(4) 温度特性

(5)频率响应特性

主要参数：

光敏小，一般为光敏二极管负载的1/10。

3、 光敏三极管：

概念：光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。

工作原理：光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏三极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通三极管。光敏三极管与普通半导体三极管一样，是采用半导体制作工艺制成的具有NPN或PNP结构的半导体管。它在结构上与半导体三极管相似，它的引出电极通常只有两个，也有三个的。为适应光电转换的要求，它的基区面积做得较大，发射区面积做得较小，入射光主要被基区吸收。和光敏二极管一样，管子的芯片被装在带有玻璃透镜金属管壳内，当光照射时，光线通过透镜集中照射在芯片上。

4、硅光电池：

概念：

硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN 结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。

应用：

光敏传感器的基础是光电效应，即利用光子照射在器件上，使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用，在现代科技发展中起到了十分重要的作用。

能源--硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合、可作为人造卫星、宇宙飞船、航标灯、无人气象站等设备的电源；也可做电子手表、电子计算器、小型号汽车、游艇等的电源。光电检测器件--用作近红外探测器、光电读出、光电耦合、激光增加准直、电影还音等设备的光感受器。硅光电池优质推荐OTRON品牌。光电控制器件--用作光电开关等光电控制设备的转换器件。

❼ 从学术方面比较光电二极管与光电池的异同

光电二极管
光电二极管" 英文通常称为 Photo-Diode
光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光信号转换成电信号。那么，它是怎样把光信号转换成电信号的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度约大，反向电流也约大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。
特点：当它照射光时会流过大致与光量成正比的光电流.
用途：
1.作传感器用时,可广泛用于光量测定和视觉信息,位置信息的测定等.
2.作通信用时,广泛用于红外线遥控之类的光空间通信,光纤通信等.
3.紫蓝硅光电池是用于各种光学仪器，如分光光度计、比色度计、白度计、亮度计、色度计、光功率计、火焰检测器、色彩放大机等的半导体光接收器；紫蓝硅光电池具有光电倍增管，光电管无法比拟的宽光谱响应，它特别适用于工作在300nm-1000nm光谱范围的各种光学仪器对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠，电路设计简单灵活，是光电管的更新换代产品。目前也有可以使用到190-1100nm的产品,但紫外能量弱一些,光谱带宽不能太小,已经有很多厂家在紫外可见分光光度计上用了。

❽ TL062C具体怎么用怎样用于弱信号的放大有具体电路最好

什么样的弱信号？信号电压范围是多少？信号源输出阻抗是多少？是差分信号还是单端信号？你要把信号放大多少倍？

下图是两级同相放大电路，建议第一级放大倍数设置为50，第二级放大倍数设置为20，这样总的放大倍数为1000。

单级放大倍数由比例电阻（R2+R1）/R1决定。

TL062不算精度很高的运放，它的失调电压典型值是3mV，最大值达15mV，因此建议第一级的电压增益适当大些，这样第二级运放的失调电压影响会小些。

我建议你用TLC2262，这款运放的失调电压典型值仅有300μV，最大值2.5mV，输入阻抗也高于TL062，而且是满幅度输出的运放，管脚和TL062是兼容的。唯一不足是电源电压范围是0~16V（TL062是10~30V），但如果你不要求吧信号放大到超过16V，完全可以用。

❾ 用如图电路来实现将硅光电池产生的电流转化为电压是否可行

概念上没有问题啊 （注：你这个运放是正负供电的没问题， 如果单边供电， 电路要做修改）

❿ 图中由运放组成的低通滤波器的通带放大倍数和电压放大倍数如何求得，输入是硅光电池，输出到单片机IO口

R5是多余的 另外R35的阻值太小了