蜂考电路原理

1. 急求“简述单晶硅太阳能的电池结构、制作工艺、工作原理。”要交作业...求助高手

太阳能电池的结构工作原理和制造技术

近几年来，受世界太阳能电池发展“热潮”的影响，我国太阳能电池产业发展空前高涨，本文收集了太阳能电池的一些有关技术，以供读者参考。

（一）太阳能电池的发展历史：

太阳能电池是产生光生伏打效应（简称光伏效应）的半导体器件。因此，太阳能电池又称为光伏电池，太阳能电池产业又称为光伏产业。

1954年世界第一块实用化太阳能电池在美国贝尔实验室问世，幷首先应用于空间技术。当时太阳能电池的转换效率为8％。1973年世界爆发石油危机，从此之后，人们普遍对于太阳能电池关注，近10几年来，随着世界能源短缺和环境污染等问题日趋严重，太阳能电池的清洁性、安全性、长寿命，免维护以及资源可再生性等优点更加显现。一些发达国家制定了一系列鼓舞光伏发电的优惠政策，幷实施庞大的光伏工程计划，为太阳能电池产业创造了良好的发展机遇和巨大的市场空间，太阳能电池产业进入了高速发展时期，幷带动了上游多晶硅材料业和下游太阳能电池设备业的发展。在1997－2006年的10年中，世界光伏产业扩大了20倍，今后10年世界光伏产业仍以每年30％以上的增长速度发展。

世界太阳能电池的发展历史如表1所示：

表1世界太阳能电池发展的主要节点

年份重要节点

1954美国贝尔实验室发明单晶硅太阳能电池，效率为6％

1955第一个光伏航标灯问世，美国RCA发明GaAs太阳能电池

1958太阳能电池首次装备于美国先锋1号卫星，转换效率为8％。

1959第一个单晶硅太阳能电池问世。

1960太阳能电池首次实现并网运行。

1974突破反射绒面技术，硅太阳能电池效率达到18％。

1975非晶硅及带硅太阳能电池问世

1978美国建成100KW光伏电站

1980单晶硅太阳能电池效率达到20％，多晶硅为14.5％，GaAs为22.5％

1986美国建成6.5KW光伏电站

1990德国提出“2000光伏屋顶计划”

1995高效聚光GaAs太阳能电池问世，效率达32％。

1997美国提出“克林顿总统百万太阳能屋顶计划

日本提出“新阳光计划”

1998单晶硅太阳能电池效率达到24.7％，荷兰提出“百万光伏屋顶计划”

2000世界太阳能电池总产量达287MW，欧洲计划2010年生产60亿瓦光伏电池。

（二）、太阳能电池的种类

（三）、硅太阳能电池的结构及工作原理

硅太阳能电池的外形及基本结构如图1。基本材料为P型单晶硅，厚度为0.3—0.5mm左右。上表面为N+型区，构成一个PN＋结。顶区表面有栅状金属电极，硅片背面为金属底电极。上下电极分别与N＋区和P区形成欧姆接触，整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。

当入发射光照在电池表面时，光子穿过减反射膜进入硅中，能量大于硅禁带宽度的光子在N+区，PN＋结空间电荷区和P区中激发出光生电子——空穴对。各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区，就对发光电压作出贡献。光生电子留于N＋区，光生空穴留于P区，在PN＋结的两侧形成正负电荷的积累，产生光生电压，此为光生伏打效应。当光伏电池两端接一负载后，光电池就从P区经负载流至N＋区，负载中就有功率输出。

太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光（或紫外光）敏感，约占总光源电流的5－10％（随N＋区厚度而变），PN＋结空间电荷的光生电流对可见光敏感，约占5％左右。电池基体区域产生的光电流对红外光敏感，占80－90％，是光生电流的主要组成部分。

（四）、太阳能电池的制造技术

晶体硅太阳能电池的制造工艺流程如图2。提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。

1、具体的制造工艺技术说明如下：

（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。

（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。

（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。

（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。

（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。

（6）去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。

（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。

（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2，SiO2，Al2O3，SiO，Si3N4，TiO2，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。

（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。

（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。

由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求，这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。

（五）、太阳能电池的芯片尺寸：

规模化生产太阳能电池的芯片尺寸分别为（103×103）mm2、（125×125）mm2、（156×156）mm2和（210×210）mm2的方片。目前的主流仍是（156×156）mm2，2007年将过渡到（210×210）mm2为主流芯片。最近德国已推出了代表国际最先进的（210×210）mm2硅片全自动生产设备。

芯片的厚度也愈来愈薄，从→300→270→240→210→180um，目前晶体硅片主要使用厚度为210—240um。

（六）、太阳能电池的芯片材料及转换效率：

1、晶体硅（单晶硅和多晶硅）太阳能电池：

2004年晶体硅太阳能电池占总量的84.6％，生产技术成熟，是光伏产业的主导产品。在光伏产业中占据着统治地位。

对于高效单晶硅太阳能电池，国际公认澳大利亚新南威尔士大学达到了最高转换效率为24.7％，目前世界技术先进产品转换效率为19－20％。对于多晶硅太阳能电池澳大利亚新南威尔士大学多晶硅电池效率已突破19.8％，技术先进产品的效率为15－18％。

2、非晶体硅太阳能电池：

α－Si（非晶硅）太阳能电池一般采用高频辉光使硅烷分解沉积而成。由于分解温度低（250－5000C），可在薄玻璃、陶瓷、不锈钢和塑料底片上沉积1um厚的薄膜，且易于大面积化。非晶硅太阳能电池多数采用PIN结构，有时还制成多层叠层式结构。

非晶硅太阳能电池大量生产的大面积产品的转换效率为10－12％，小面积产品转换效率已提高到14.6％，叠层结构电池的最高效率为21％。

3、砷化镓（GaAs）太阳能电池：

GaAs太阳能电池多数采用液相外延法或MOCVD技术制备，GaAs太阳能电池的效率可高达29.5％，一般在19.5％左右。产品具有耐高温和抗辐射特点，但生产成本较高，产量受限，主要用作空间电源。以硅片为衬底，拥MOCVD方法制造GaAs/Si异质结太阳能电池是降低成本很有希望的方法，最高效率23.3％，GaAs叠层结构的太阳能电池效率接近40％。

4、其他化合物半导体太阳能电池：

这方面主要有CIS（铜铟硒）薄膜、CdTe(碲化镉)薄膜和InP(磷化铟)太阳能电池等。这些太阳能电池的结构与非晶硅电池相似。但CIS薄膜一般厚度为2－3um，已达到的转换效率为17.7％。CdTe薄膜很适合于制作太阳能电池。其理论转换效率达30％，目前国际先进水平转换效率为15.8％，多用于空间方面。2004年世界各种太阳能电池产量的种类分布如表2

表22004年世界各种太阳能电池产量的种类分布

序号太阳能电池种类总产量（MW）百分比（％）

1单晶硅平板电池314.428.6

2多晶硅平板电池669.256.0

3非晶硅（室内室外）47.13.9

4带硅电池41..03.4

5CdTea（碲化镉）电池13.01.1

6CIS(铜铟硒)3.00.25

7非晶硅/单晶硅电池80.06.7

总量1195.2100

（七）、提高太阳能电池效率的特殊技术：

晶体硅太阳能电池的理论效率为25％（AMO1.0光谱条件下）。太阳能电池的理论效率与入射光能转变成电流之前的各种可能损耗的因素有关。其中，有些因素由太阳能电池的基本物理决定的，有些则与材料和工艺相关。从提高太阳能电池效率的原理上讲，应从以下几方面着手：

1、减少太阳能电池薄膜光反射的损失

2、降低PN结的正向电池（俗称太阳能电池暗电流）

3、PN结的空间电荷区宽度减少，幷减少空间电荷区的复合中心。

4、提高硅晶体中少数载流子寿命，即减少重金属杂质含量和其他可作为复合中心的杂质，晶体结构缺陷等。

5、当采取太阳能电池硅晶体各区厚度和其他结构参数。

目前提高太阳能电池效率的主要措施如下，而各项措施的采用往往引导出相应的新的工艺技术。

（1）选择长载流子寿命的高性能衬底硅晶体。

（2）太阳能电池芯片表面制造绒面或倒金字塔多坑表面结构。电池芯片背面制作背面镜，以降低表面反射和构成良好的隔光机制。

（3）合理设计发射结结构，以收集尽可能多的光生载流子。

（4）采用高性能表面钝化膜，以降低表面复合速率。

（5）采用深结结构，幷在金属接触处加强钝化。

（6）合理的电极接触设计以达到低串联电阻等。

（八）、太阳能电池的产业链

（九）、上海太阳能电池产业概况：

上海对于光电转换器件的研究起步于1959年。当时在中科院技术物理研究所和上海科技大学等单位作为光电探测器件课题进行研究。上世纪八十年代，上海仪表局所属的上海半导体器件八厂等单位生产小功率的兰硅光电池在市场上销售。八十年代后期，受世界太阳能电池产业迅速发展的影响，上海开始建立专业的太阳能电池芯片生产企业和专业的研究机构。近10年多来，随着我国太阳能电池“热潮”的到来，制造太阳能电池组件的企业纷纷建立，而且随着单晶硅和多晶硅材料供应紧张，许多小型的硅单晶企业也蜂涌而至。从上世纪九十年代以来，上海的太阳能电池产业逐步形成规模。

目前，上海地区从事太阳能电池芯片、组件、硅材料和设备生产和技术研究的单位共20余个。

其中，太阳能电池芯片制造的主要企业有上海太阳能科技有限公司、上海泰阳公司等。2006年中芯国际（上海）公司Fab10建成投产，利用8英寸硅单晶硅片制造太阳能电池芯片，开创了上海利用8英寸多晶硅片制造太阳能电池的新范例。目前，上海太阳能电池芯片的产量在30－40MW左右。上海太阳能电池组件的生产企业共有10个左右。主要企业仍有上海太阳能科技有限公司和上海泰阳公司（与上海交通大学合作）等。目前上海太阳能电池组件的产量为50－70MW左右。由于太阳能电池组件生产技术及设备要求较为简单，因此，太阳能电池组件生产企业中，有多家为民营企业。由于国内太阳能电池芯片供应不足，这些企业往往采用进口芯片组装后绝大部分返销境外，仅少数投放国内市场。

近几年来，由于可提供太阳能电池芯片生产的硅单晶片和硅多晶硅片严重短缺，价格不断大幅度上升，例如2003年进口电子级多晶硅每公斤为22－25美元，而2006年进口同样多晶硅的价格上升200％至300％，有些经销商转手倒卖时，价格甚至抬高5至8倍。在这种情况下，许多中小型的硅单晶生产企业蜂涌而至。从上世纪九十年代以来，在上海及周边地区建立中小型太阳能电池硅单晶（或硅多晶）的生产企业达4至5个之多。上海通用硅有限公司和上海卡姆丹克公司（合资企业）是其中有代表性的企业。它们各具有许多直拉单晶炉，可以拉制5.5〃，6〃，6.5〃和8〃直径的硅单晶，形成了可供年产25——30MW太阳能电池芯片的市场。但是由于多晶硅原材料供应不足，这些企业拉制的硅单晶原材料只能供给生产20MW太阳能电池芯片所用。因此，硅材料缺乏已成为抑制上海（乃至全国）太阳能电池产业封装的瓶颈。因此，通过上海与外省市的合作发展多晶硅产业已是涉及到微电子产业和太阳能电池产业的战略问题。

（十）中芯国际（上海）的经验：

中芯国际（上海）为国内集成电路（或半导体器件）芯片制造企业开展太阳能电池芯片或组件生产走出了一条成功之路，从中芯国际（上海）Fab10投产的实践来看，证明了以下事实，即集成电路（或半导体器件）芯片制造企业太阳能电池芯片具有许多有利条件：

●基本工艺相同；

●废旧硅圆片可充分利用，有利于降低制造成本；

●生产线设备基本上可用进口设备或国产设备节省投资；

●太阳能电池芯片制造若延伸至组件制造，更有利于企业获得较好效益。

但由于集成电路（或半导体器件）芯片制造企业的可利用的单晶硅片数量有限，因此当太阳能电池芯片生产规模扩大时必须考虑其他晶体硅的来源

2. 各种电路图中字母缩写的含义

A
A模拟
A/DC模拟信号到数字信号的转换
A/L音频/逻辑板
AAFPCB音频电路板
AB地址总线
ab 地址总线
accessorier 配件
ACCESSORRIER配件
ADC（A/O）模拟到数字的转换
adc 模拟到数字的转换
ADDRESSBUS地址总线
AFC自动频率控制
afc 自动频率控制
AFC自动频率控制
AFMS来音频信号
afms 来自音频信号
AFMS来音频信号
AFPCB音频电路板
AF音频信号
AGC自动增益控制
agc 自动增益控制
AGC自动增益控制
aged 模拟地
AGND模拟地
AGND模拟地
ALARM告警
alarm 告警
ALC自动电平控制
ALEV自动电平
AM调幅
AMP放大器
AMP放大器
AM调幅
ANT天线
ANT/SW天线开关
ant 天线
Anternna天线
antsw 天线开关
ANTSW天线切换开关
ANT天线
APC自动功率控制
APC/AOC自动功率控制
ARFCH绝对信道号
ASIC专用接口集成电路
AST-DET饱和度检测
ATMS到移动台音频信号
atms 到移动台音频信号
ATMS到移动台音频信号
AUC身份鉴定中心
AUDIO音频
AUDIO音频
AUTO自动
AUX辅助
AVCC音频处理芯片
A模拟信号
b+ 内电路工作电压
BALUN平衡于一不平衡转换
BAND-SEL频段选择/切换
BAND频段
Base band基带(信号)
base 三极管基极
batt+ 电池电压
BDR接收数据信号
Blick Diagram方框图
BPF带通滤波器
BUFFER缓冲放大器
BUS通信总线
buzz 蜂鸣器
C
CALL呼叫
CARD卡
Carrier载波调制
CCONTCSX开机维持(NOKIA)
CCONTINT关机请求信号
CDMA码分多址
cdma 码分多址
CEPT欧洲邮电管理委员会
CH信道
CHAGCER充电器
CHECK检查
CIRCCITY整机
Circuit Diagram电路原理图
CLK时钟
CLK-OUT逻辑时钟输出
CLK-SELECT时钟选择信号(Motorola手机)
COBBA音频IC(诺基亚系列常用)
COL列
COLLECTOR集电极
CONTROL控制
control 控制
CP脉冲、泵
CP-TX RXVCO控制输出接收锁相电平
CP-TX TXVCO控制输出发射锁相电平
CPU中央处理器
cpu 中央处理器
CS片选
CTL-GSM频段控制信号
d b 数据总线
D/AC数字信号到模拟信号的转换
d 数字
dac 数字到模拟的转换
dcin 外接直流电愿输入
DCS-CS发射机控制信号:控制TXVCO与I/Q调制器
DDI数据接口电路
DECIPHRIG解秘
DEINTERLEARING去交织
DET检测
dfms 来数据信号
dgnd 数字地
Diplex双工滤波器
Direct Coner Siorl Lionear Receicer直接变换的线性接收机
dsp 数字信号处理器
DSP数字信号处理器
dtms 到数据信号
DUPLEX / DIPLEX双工器
Duplex Sapatation双工间隔
E
Earph耳机
EEPROM电擦除可编程只读存储器
EIR设备号寄存器
EL发光
EMITTER发射极
emitter 三极管发射极
EMOD Demo Laticon解调
EN使能
EN使能、允许、启动
en 使能
ENAB使能
EPROM电编程只读存贮器
ERASABLE可擦的
ETACS增强的全接入通信系统
etacs 增强的全接入通信系统
EXT外部
EXT外部
ext 外部的
FBUS处接通信接口信号线
fdma 频分多址
feed back 反馈
fh 跳频
FILFTER滤波器
fl 滤波器
fm 调频
from 来自于
gain 增益
GAIN增益
Gen Out信号发生器
gnd 地
GSM-PINDIODE功率放大器输出匹配电路切换控制信号
GSM-SEL频段切换控制信号之一
G-TX-VCO900MHZ发射VCO切换控制
hook 外接免提状态
I
I同相支路
I/O输入/输出
I/O输入/输出
i/o输入输出
i 同相支路
IC集成电路
ICTRL供电电流大小控制端
ictrl 供电电流大小控制端
IF中频
if 中频
IFLO中频本振
IF中频
IMEI国际移动设备识别码
IN输入
INSERTCARD插卡
INT中断
int 中断
Interface界面,电子电路基础知识2,接口
ISDN综合业务数字网
I同相支路
LayoutPCB元件分布图
LCDCLK显示器时钟
led 发光二极管
LOCK锁定
loop fliter 环路滤波器
LO本振
LPF低通滤波器
lspctrl 扬声器控制
M
MAINVCO主振荡器(Motorola)
MCC移动国家码
MCLK主时钟
mclk 主时钟
MCLK主时钟
MCLK主时钟
MDM调制解调
MDM调制解调器(Motorola手机)
MENU菜单
MF陶瓷滤波器
MIC话筒
mic 送话器
MISO主机输入从机输出(Motorola)
MIX混合
Mixed Second第二混频信号
MIXERSECOND第二混频信号
MIX混频器
MOD调制信号
mod 调制信号
MODEM调制解调器
MODFreq调制频率
MODIN调制I信号负
modin 调制i信号负
MODIN调制I信号负
MODIP调制I信号正
MODIP调制I信号正
MODQN调制Q信号负
MODQN调制Q信号负
MODQP调制Q信号正
MODQP调制Q信号正
MOD调制
MOD调制信号
MOEM调制解调器DM
mopip 调制i信号正
MOSI主机输出从机输入(Motorola)
MS移动台
MSC移动交换中心
MSIN移动台识别码
MSK最小移频键控
MSRN漫游
MUTE静音
mute 静音
N
NAM号码分配模块
NC空、不接
NONETWORK无网络
ofst 偏置
on 开
onsrq 免提开关控制
PA 功率放大器
PADRV功率放大器驱动
PCB板图
PCM脉冲编码调制
PD/PH相位比较器
pll 锁相环
PLL锁相环
PLL锁相环路
powcontrol 功率控制
POWCONTROL功率控制
Power Supply电源系统
powlev 功率级别
POWLEV功放级别
PURX复位信号(NOKIA)
pwrsrc 供电选择
Q
Q uadrature molalion正交调制
Q 正交支路
Q正交支路
q 正交支路
R
RACH随机接入信道
RADIO射频本振
RAM随机存储器
ram 随机储存器（暂 存）
RD读
Receiver收信机
REF参考、基准
ref 参考
RESET复位
reset 复位
RFPCB射频板
RF射频
rf 射频
RFADAT射频频率合成器数据
rfadat 射频频率合成数据
RFADAT射频频率合成器数据
RFAENB射频频率合成器启动
rfaenb 射频频率合成启动
RFAENB射频频率合成器启动
RFConnector射频接口
RFI射频接口
RFIN/OFF高频输入/输出
ROM只读存储器
ROW行
RSSI场强
RSSI接收信号强度指示
rssi 接收强度指示
RSSI接收信号强度指示
RX接收
rx 接收
RX-ACQ接收机数据传输请求信号
RXEN接收使能
RXIFN接收中频信号负
rxifn 接收中频信号负
RXIFN接收中频信号负
RXIFP接收中频信号正
rxifp 接收中频信号正
RXIFP接收中频信号正
RXIN接收I信号负
RXIN接收输出
RXIP接收I信号正
RXI接收基带信号(同相)
RXON接收开
rxon 接收开
RXON接收机启动/开关控制
RXOUT接收输出
RXQN接收Q信号负
RXQP接收Q信号正
RXQ接收基带信号(正交)
RXVCO收信压控振荡器
RX接收
sat-det 饱和度检测
saw 声表面波滤波器
SAW声表面波滤波器
SF超级滤波器
SHFVCO专用射频VCO(NOKIA)
SLEEPCLK睡眠时钟
SMOC数字信号处理器
spi 串行外围接口
spk 扬声器
SUPLEX双工器作用相当于天线开关
sw 开关
swdc 末调整电压
SW开关
synclk 频率合成器时钟
SYNCLK频率合成器时钟
syndat 频率合成器数据
SYNDAT频率合成器数据
SYNEN频率合成器启动/使能
synstr 频率合成器启动
SYNSTR频率合成器启动
SYNTCON频率合成器开/关
synton 频率合成器开/关
T
TACS全接入移动通信系统
TCH话音通道
TDMA时分多址
tdma 时分多址
TEMP温度监测
temp 温度监测
TEST测试
TP测试点
tp 测试点 tx 发送
Transmitter发信机
TRX收发信机
TXEN发送使能
tx en 发送使能
TX 发送
TX发信
TXC发信控制
TX-DEY-OUT发射时序控制输出
TXENT发射供电
TXEN发射使能
TXEN发送使能
TX-IF发信中频
TXIN发送I信号负
TXIP发送I信号正
TXI发射基带信号
TXON发送开
txon 发送开
TXON发送开
TXOUT发射输出
TXPWR发射功率
TXQN发送Q信号负
TXQP发送Q信号正
TXQ发射基带信号
TXRF发射射频
TXVCO发信压控振荡器
txvco 发送压控振荡器频率控制
UHFVCO超高频/射频VCO
UHF超高频段
UI用户接口BSIC专用集成电路
UREGISTERED未注册
vbatt 电池电压
vcc 电愿
VCO 压控振荡器
vco 压控振荡
VCTCXO温补压控振荡器
vcxocont 基准振荡器频率控制
VHFVCO甚高频/中频VCO
vpp 峰峰值
vppflash flash 编程控制
vrpad 调整后电压
vswitch 开关电压
W
WATCHDOG看门狗
WATCHDOG看门狗信号
WCDMA宽带码分多址
WD-CP看门狗脉冲
WDG看门狗(维持信号电压)
WDOG看门狗
WR写

3. 蜂巢结构的原理是什么

蜂巢是严格的六角柱形体，它的一端是六角形开口，另一端则是封闭的六角棱锥体的底，由三个相同的菱形组成。蜂巢内外面的巢穴（叫做巢房）刚好一半相互错开，相互组合六角形的边交叉的点是内侧六角形的中心，提高了蜂巢的强度，防止巢房底破裂。

蜂巢结构是蜂巢的基本结构,是由一个个正六角形单房、房口全朝下或朝向一边、背对背对称排列组合而成的一种结构.。

科学家们研究发现,正六角形的建筑结构,密合度最高、所需材料最简、可使用空间最大。因此,可容纳数量高达上万只的蜜蜂居住。这种正六角形的蜂巢结构,展现出惊人的数学才华,令许多建筑师们自叹不如、佩服有加。

蜂窝结构是覆盖二维平面的最佳拓扑结构。

这种结构有着优秀的几何力学性能，因此在材料学科用有广泛应用。

(3)蜂考电路原理扩展阅读

药用价值

蜂巢药用价值也很高，常用新鲜干净的蜂巢治疗鼻炎。研究表明，蜂巢制剂有促进机体细胞免疫功能的作用，也对金黄色葡萄球菌、绿脓杆菌、大肠杆菌、痢疾杆菌、伤寒杆菌和普通变形杆菌等都有很强的抑制力；对烟曲霉、黄曲霉、茄镰菌、明串珠菌等真菌也有抑制作用。

蜂巢的化学成分很复杂，主要含有蜂蜡、树脂、油脂、色素、鞣质、糖类、有机酸、脂肪酸、甙类、酶和昆虫激素等。

4. 我想要工程制图蜂考

想要做工程制图，你首先需要学习三视图最基础的，不行去报一个班，或者上大学有专门的课程，还有就是自己去图书馆或者自己买一本机械制图书或者工程制图的书籍，自学成才，其实制图是很简单的，不是很难

5. 嵌入式比赛中的电路原理图设计是怎么做

嵌入式系统的抗干扰设计
王军安
〔西安电子科技大学计算机外部设备研究所)
摘要:针对嵌入式系统的杭干扰设计要求，从电路及印制板设计、机箱及电缆连接等方面讨
论了硬件系统的电磁兼容设计技术;从软件的可靠性设计、程序跑飞的预防、补救及妥全措
施等方面讨论了软件系统的抗干扰设计技术.
关键词:嵌入式系统 抗干扰 EMI可靠性
引言
嵌入式系统的工作现场往往具有大量的电磁干扰源，它们一般可分为:(1)来自电源的
传导干扰:(2)来自传输信道的传导干扰;(3)来自空间的辐射干扰。嵌入式系统在设计时
如果未采取有效的抗干扰措施，则运行时CPU及其它微弱信号处理模块很容易受这些干扰源
影响，而无法正常工作。因此，抗干扰性能一直是影响嵌入式系统工作可靠性的主要因素。
如何提高抗干扰性能，一直是嵌入式系统开发者关心的问题。
为了提高嵌入式系统的工作可靠性，在系统设计开始时，就应该对使用环境的电磁干扰
情况作出合理估计，并提出适当的电磁兼容性 (EMI)指标。在硬件设计、实现、系统互连
中，需要采取相关措施保证EMI指标;在软件设计及编程时，对于嵌入式计算机最容易出现
的逗程序跑飞地问题，需要采取预防和补救措施。本文将结合作者的实践经验，对以上问题进
行讨论。
一、硬件系统的抗干扰设计
硬件系统的抗干扰设计主要指电磁兼容性设计，电磁兼容性包含两个方面:(1)对环境
中的电磁干扰有一定的耐受能力;(2)不可以向空间环境发射过强的电磁能量。
EMI问题主要源自电路的分布参数。许多电路从原理 (集中参数)上看，似乎没有问题，
而实际系统中由于器件的非理想性，以及结构、布线等问题，造成EMI发射或敏感。抗干扰
设计的基本原理包括:
(I)抑制干扰源:减小电压/电流变化率，如并联阻容吸收电路，串联阻尼电感，并联续
流二极管等。
(2)切断传导及辐射千扰的传播路径:如使用滤波器或隔离电路，使用屏蔽技术。
(3)提高敏感器件的抗千扰性能:缩短连线，减小环路面积，加宽电源及地线
以下主要从电原理及印制板设计、机箱屏蔽及电缆连接技术等方面讨论硬件系统的抗干
扰设计技术。
1.1电路设计及布线
在研制初期，就应该对系统进行可靠性预计及分析工作，确定影响可靠性的关键部件及
元器件。确认方案的合理性后，对影响可靠性的关键元器件降额使用。
以 卜是作者在实践中的儿点体会:
(1)尽可能简化、优化体系结构。如使用功能更全的Soc,嵌入式计算机。
(2)注意嵌入式系统的可靠复位。当电源有尖峰干扰或电压上升速度太慢时，普通阻容
复位电路难以正确复位，可考虑专用器件。
(3)电路的环路面积对EMI性能影响很大，使用大规模集成电路，可以有效减小环路面
积，从而提高抗干扰性、减小空间电磁发射。
(4)逻辑器件尽量使用CMOs电路，因为噪声容限大、功耗低。CMOs器件的输出阻抗
很小，而输入阻抗很大，连线过长时，应在输入端使用阻抗匹配电阻:不使用的输入端应接
高电平。
(5)数字信号的转换速率应与要求速度相适应 (必要时使用阻尼电路)，仅在需要时使
用高速器件。
(6)注意信号电缆的EMI性能。最好使用屏蔽电缆，必要时使用隔离电路。如必须使用
扁平电缆，则可以将信号线与地线交错布置。
关于印制板设计的几点建议:
(1)成本允许时，尽量使用4层以上的线路板，以提高EMI性能。
(2)仔细考虑器件的位置和方向。
(3)对敏感电路及强辐射电路使用屏蔽。
(4)尽量减小高频信号及高敏感信号 (如时钟信号)的回路面积，旁边不布置其它信号
线，并用地线包围。
(5)在器件的电源、地端就近布置退藕电容器。
(6)无论器件位置、布线、信号电缆、地线，都尽可能按照电特性的不同 (模拟信号、
数字信号、离散量信号等)进行分组。
(7)不同部分的电路使用不同的地线，并形成树形连接，避免地线环路;PCB空白位置
可以用地线填充:如果要连接系统地线与机箱地线，则在信号电缆连接器位置进行低阻抗连
接。
(8)使用先进的制造工艺。如PCB设计、制做、焊接、器件老化。
1.2机箱及过线的EMI设计
机箱及穿过的电源线、信号电缆通常是EMI设计的关键问题。机箱的作用是双向电磁屏
蔽及接地，而穿过的导线很容易破坏机箱的电磁屏蔽效果。
为了防止设备本身产生的电磁干扰进入电源线，同时防止电源线上的干扰进入设备，一
般需要使用电源线滤波器抑制双向的共模及差模传导干扰，还可以使用瞬态电压保护器及压
敏电阻抑制浪涌电压。
需要指出，来自电源线的共模千扰通过共模抑制电容器接至机箱。机箱必须妥善接地，
才能保证共模千扰的抑制效果。较大的共模抑制电容器可以改善共模千扰的抑制效果，但会
产生较大的漏电流，对安全不利。
当设备比较复杂时，屏蔽和接地方案需要仔细设计。如图1，作者的一些体会:
(1)从机箱电源输入口到电源线滤波器输入端的连线应尽量短，以防止双向空间电磁祸
合。最好选用带插座的电源线滤波器。
电源线滤波器外壳应该与机箱形成良好导电接触，并就近布置接地桩。
电Dv,线滤波器的输入、输出引线不要靠近，以防庄电磁祸合。建议把电源线滤波器靠近机箱
壁放置。
(2)穿过机箱的信号电缆很容易引入共模干扰，最好使用馈通滤波器或光电隔离器，必
要时应使用屏蔽网套。信号电缆应远离电源线。
(3)为了屏蔽电磁干扰、抑制静电放电干扰，机箱应近似为完整、连续的导电体:严格
控制机箱开孔尺寸，必要时使用多个狭缝或蜂窝状屏蔽通风窗。
(4)键盘及显示器件往往需要较大的窗口，不利于电磁屏蔽，可以考虑使用隔离仓技术
将显示电路与其它电路隔离，或使用透明屏蔽材料。
图1建议的机箱及屏蔽方案
二、软件系统的抗干扰设计
嵌入式系统的灵魂是软件系统，嵌入式系统的抗干扰设计，必须解决软件系统的抗干扰
问题。很遗憾，目前的冯一诺依曼计算机体系无法保证软件运行的绝对可靠，因此，必须使用
工程方法增强软件系统的可靠性。以下结合作者的实践经验，给出一些针对软件系统的可靠
性设计技术。
2.1软件的可靠性设计
(1)开机自检。即在复位后，软件先进行系统检查，以确保ROM内容正确、RAM可正
常读写、各外设正常工作……开机自检对系统可靠运行是十分必要的。
(2)软件的正确性和功能符合性。符合功能规范要求、并能正确运行，是软件可靠性设
计的基本要求。和微机上的纯软件相比，嵌入式软件不但和具体硬件紧密关联，而且往往具
有明显的、需要程序员维护的多任务特性:嵌入式系统还要求简洁、直观的人机交互方式，
因而需要仔细设计软件。
(3)对错误数据的抗敏性。除了基本功能符合性之外，软件设计时还应提高对错误数据
的抗敏性，如对输入数据应进行必要的检查、数据通信的校验机制等。关于数据通信的举例:
从串口接收数据，数据报格式为:[报头」[-氏度]{数据}[报文校验和]，接收到[长度l后，应检查
长度值的合法性:接收时，还应检查数据报相邻字节的时间间隔，超时后放弃接收。
(’) 面向对象的程序设计。嵌入式系统的编程语言一般是c语言，甚至汇编语言，它们
都是过程性语言。和面向对象的编程语言 (C++, java)相比，过程性语言缺乏数据抽象、封
装和隐藏，程序员经常使用一堆零散的变量表示一个对象，不容易保证软件的可靠性，也不
利于软件维护。
根据作者的实践经验，即使使用过程性语言，只要在程序设计中使用了面向对象的编程
思想，也可以设计出可移植性强、易于维护的程序。当然，在传统的过程性语言中体现出面
向对象的编程思想，需要一定的编程经验和技巧。
2.2暂态设计
在设备复位、启动或关闭时，往往要求输出端口具有确定状态、或进入安全态，可以从
以 卜儿方面分析、测试并处理:
(1)假设电源稳定，当CPU处于复位状态时，设各输出端处于什么状态?
可以分析得到。如果复位时输出端状态与要求状态相反，可以使用非门转换;如果复位时口
线呈现高阻态，则可以加上拉或一「拉电阻。
(2)电源接通、断开瞬间，设备输出端处于什么状态?
由于实际系统的复杂性，电源接通、断开瞬间，设备输出端的状态很难准确分析，一般采用
试验、调整方法解决。
(3)许多可编程芯片都有复位时间要求，设备启动时能否保证这些芯片的复位时间?主
要依靠分析和试验方法解决。
2.3程序跑飞时输出保持安全态
安全态指非动作态 (如电机停止运转)。在嵌入式系统中，来自内部的程序设计缺陷或外
部窜入的电磁干扰都有可能造成程序跑飞。在系统方案设计时就应采取措施，当程序跑飞时
输出尽可能保持在安全态。
程序跑飞时，CPU已无法执行正常程序流程。为了使输出保持在安全态，必须使用硬件
逻辑判断CPU发出的指令是否正确。基本思路是:CPU的输出口线不直接控制动作器，而在
两者之间增加硬件判断逻辑:当CPU口线输出特定的信号序列时，硬件判断逻辑才输出动作
指令，否则不输出动作指令。
如图2,图中使用了单稳态触发器判断动作信号:只有当CPU口线连续输出高于一定频
率的方波时，才有动作指令输出。图中用与非门实现两个信号的逗与地操作，提高可靠性。可
以使用CPLD等器件实现更复杂的动作信号判断。
图2用单稳态触发器实现指令判断
2.4程序跑飞后能自动恢复
即看门狗(WatcliDog)技术，己普遍应用。其基本原理是:设置一个定时器(即逗看门狗，
’)，
该定时器溢出时会引起系统复位。程序需仔细设计:在正常执行时，能及时地对看门狗定时
器清零 (称为逗喂狗，，)，看门狗定时器不会溢出:当程序跑飞后，由于没有及时逗喂狗地
，看门
狗定时器溢出，系统复位。
看门狗程序设计的关键是:(1)逗喂狗地指令应比较特殊，以防程序跑飞后CPU将其它数
据解释为逗喂狗地指令:(2)只在少数关键程序位置逗喂狗地
，以保证程序跑飞后看门狗溢出。
可见，看门狗的作用是程序跑飞后尽快复位，并不能从根本上改善系统的可靠性。因此，
可靠性设计仍应从系统、硬件、软件实现上仔细设计‘
除看门狗之外，还有其它类似技术。如:(1)在不使用的程序存储器中存放逗软利复位地
指令，当程序跑 匕后，引起软件复位;(2)在汇编指令之间插入一些nop指令，减少CPU对
L指令错误读取的概率。
2.5部分数据发生错误— 休闲复位
软件的运行错误有时还表现为一部分数据发生错误，而主进程 〔或土循环)仍在运行。
如:系统在开始运行时设定外设的工作状态，运行中不再刷新。在运行中，如果外设的一{作
状态被干扰破坏，将无法恢复。这样的错误很难用看门狗技术完全检测。嵌入式系统通常设
计为尽量简洁的用户界面、尽量少的用户干预，当系统出现运行错误时，应尽可能自动恢复
到正常运行状态。
为解决以上问题，一种可用的处理方法是:程序定期刷新外设的工作状态 其缺点是;
系统性能下降、效果不理想、具体实现较复杂。为此，作者在实践中使用逗空闲复位地技术进
行解决:
当系统处于空闲状态一定时间以后，自动重新启动。为了维持以前的状态信息，可以在
非易失性存储器中保存少数关键数据。系统重新启动后，需要检查这些数据，如果数据值无
异常，则装入这些数据:否则，装入缺省数据，并根据需要给予提示。
三、结语
嵌入式系统的抗干扰设计是一个非常复杂、实践性很强的问题，以上主要从硬件的EMI
设计及软件的抗干扰设计等方面讨论了作者对嵌入式系统抗千扰设计技术的一些理解。从目
前的应用现状看，硬件EMI设计技术己经很成熟，应用也较成功;但作为嵌入式系统的核心
与灵魂的软件系统，在可靠性方面还需要继续改进。
参考文献
张松春等，电子控制设备抗干扰技术及其应用，北京:机械工业出版社，1995
钟毓宁等，机电产品可靠性应用，中国计量出版社，1999
李海泉。计算机中的电磁干扰研究 计算机工程与设计，2002.12, p30
何立民，单片机应用技术选编一七，北京航空航天大学出版社。1999
[1]
阴
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[4]

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7. 单片机对讲机原理

方案一 以单片机为核心处理器的DMR对讲机方案(MSP430F149+AMBE1000)
1.工作原理
发射时,由麦克送来的模拟语音经CSP1027进行A/D转换,由声码器AMBE1000进行语音压缩,交单片机MSP430F149进行协议填充组帧,送到CC1101进行调制后发射。接收时,由CC1101解调出来的码流经MSP430F149进行帧恢复,交由声码器进行解压,数据经CSP1027进行D/A转换为模拟语音信号。
2.关键器件
微控制器采用TI公司的MSP430F149,它是16位超低功耗、混合信号微控制器,采用“冯·诺依曼”结构,可用JTAG(一种标准测试接口)进行仿真调试。
芯片的电源电压为(1.8～3.6)V,在RAM数据保持方式下耗电仅0.1uA,活动模式耗电250 uA/MIPS(每秒百万条指令数)。运算时由于本单片机采用16位RISC(精简指令集计算机),一个时钟周期可以执行一条指令,而传统的单片机要12个时钟周期才执行一条指令。工作在8MHz的晶振频率时,指令速度可达8MIPS,而同样这个指令速度,16位处理器比8位处理器高远不止两倍。
概述
声码器AMBE1000在国内已有产品,价格比较合理。CC1101的灵敏度为-116dBm(1.2kbps,1%数据包误码率,工作在433MHz时),与国内的对讲机可用灵敏度-120dBm相比偏低,但符合欧盟的CE标准规定小于-107dBm.另外,射频模块的功率输出仅12dBm(16mW),所以本方案仅适用短距离范围的通信。提高灵敏度可考虑用器件ADF7021作为射频模块。
方案二 以DSP+MCU为核心处理器的对讲机方案
1.工作原理
方案以MSP430为中心系统来完成数据的收、发控制等工作,系统采用MSP430中 USART模块的SPI同步通信模式。在接收过程中,首先接收来自射频芯片的FSK数据,解调后由MSP430将数据帧的同步域、尾域、ID域以及命令字节去除后,数据发至C5402进行去压缩处理,数据交AIC23进行D/A转换为语音信号。在发送过程中,首先由AIC23进行A/D转换,数据交C5402将语音压缩,再由微控制器MSP430进行协议填充,加上头域、尾域、ID域以及命令字节形成数据帧,然后控制射频模块将数据发送。
2.关键器件
TMS320C5402是TI公司于1996年推出的一种定点DSP芯片,采用先进的修正哈佛结构和8总线结构,使处理器的性能大大提高。其独立的程序和数据总线允许同时访问程序存储器和数据存储器,实现高速并行操作。如,可以在一条指令中同时执行3次读操作和1次写操作。TMS320C5402的运行速度为40MIPS,指令周期为25ns.此外,还可以在数据总线与程序总线之间相互传送数据。从而使处理器具有单个周期内同时执行算术运算、逻辑运算、位移操作、乘法累加运算以及访问程序、数据存储等强大功能。
概述
采用DSP方案时,免去选用语音芯片声码器的烦恼,提高了数字对讲机对语音处理的能力,可让语音编码的算法尽量优化,从而使对讲机语音信号的处理更具通用性和扩展性。本方案是以DSP为开发平台,经过连续可变斜率增量(CVSD)调制编解码得到语音信号的清晰度和自然度好,但软件开发工作量大。CC1000不支持4FSK调制与解调,本方案不适用于DMR与dPMR协议。另外CC1000的接收可用灵敏度为-110dBm,国内对讲机厂家可能嫌低。
方案三 以单片机为核心处理器的dPMR对讲机方案(CMX618+CMX7141)
1.工作原理
发射时,麦克送来的模拟语音经CMX618内部进行增益调节,A/D转换和压缩处理,然后通过SPI(串行外围设备接口)进入CMX7141基带处理器,在微控制器LPC2138的控制和管理下经CMX7141芯片内部进行信道编码,dPMR协议栈打包,数字滤波以及4FSK调制,调制编码后的语音数据经CMX7141芯片的MOD1/2管脚分别输出给外部的发射VCO和压控温补参考时钟,经两点调制输出射频载波给发射功放,并到天线输出。
接收时,CMX7141对基于超外差射频接收模块送来的4FSK解调信号在微控制器LPC2138的控制和管理下进行4FSK解调,dPMR拆包,信道解码,最终得到语音编码数据,经SPI串口送给CMX618进行语音解压缩并恢复语音信号。
2.关键器件
语音编解码片CMX618是CML微电子(新加坡)私人有限公司的产品,芯片由音频压缩/解压器、RALCWI编解码器、前向纠错编解码器和其他特殊功能模块几部分组成。
RALCWI是一种鲁棒的先进的复杂性波形插入技术,与其他语音编解码技术不同,它使用独有的信号分解和参数编码方法,可确保在较高的压缩率下有较好的语音质量。
在声码器中,采用RALCWI技术实现的语音质量与编码速率在4kbps以上的标准声码器话音质量相当。
概述
本方案优点是开发时的灵活性高,模拟与数字可双模设计,且同一个硬件开发平台能满足不同的数字对讲机标准,支持多种语音声码器,射频的接收灵敏度可做得较高达到-118dBm(误码率为1%时)。发射功率0.5W,功率容易提升。
缺点是前期的软件开发成本高并有一定难度,射频模块ATB010只支持dPMR的EN301,166标准,不支持DMR.
方案四 以MCU+DSP的DMR对讲机方案(MSP430FG4619+VC5510)
1.工作原理
发射时，由麦克送来的模拟语音经模数转换器AD73311采样成数字信号，AMBE2000对语音数字信号进行压缩编码，数字信号由VC5510进行DMR通信协议填充组成帧信号和4FSK的调频波成形，最后由微控制器MCU进行D/A转换，送往射频模块进行发射调制，实现发射。
接收时，MCU将射频模块送来已解调数据进行A/D转换，经VC5510进行拆帧，交AMBE2000进行解压，数据由AD73311数模转换为语音信号。
微控制器MSP430FG4619是整个系统的控制中心，人机接口如键盘、显示器与MCU直接连接。微控制器实现对射频模块的控制，包括基带信号的发送与接收、射频频率点的控制、信道检测等，MCU还负责DMR协议的高层信令控制、人机接口的互通等。
另外，请注意微控制器还要完成基带信号的AD/DA转换功能。
2.关键器件
AMBE2000TM声码器是美国语音公司DVSI推出的一款适应性强、高性能、单芯片的语音压缩编解码器。它能在低速率下提供优良的语音质量，并实现了实时的、全双工的标准设定的AMBE语音压缩软件算法。
大量的评估显示，这款声码器具有在一般数据速率下提供同数字蜂窝系统一样性能的能力。AMBE在2.4kbps速率下保持自然语音质量和清晰度，由于AMBE算法复杂性低，所以它能够完全集成在成本低、功耗低的芯片上。
概述
方案简单，实用。
软件开发中，微控制器和数字处理器的程序对DMR协议的分层必须有清晰的概念，正确的程序设计是硬件实现的保证。声码器的选用有较大的余地。
方案五 以ARM+DSP的DMR对讲机方案
1.工作原理
发射时,由麦克送来的话音信号由数模转换器AD73311进行采样,数据由声码器进行压缩,OMAP5910内的DSP与ARM对压缩的数据进行协议添加与控制,形成4FSK波形,数模转换器AIC23将4FSK数字波形模拟化后进行射频调制,调频载波由天线发射。
接收时,射频模块对接收的模拟信号进行解调,模拟信号交AIC23进行数字化处理,OMAP5910对接收到的数据进行信道解码和拆帧,帧信号交声码器进行解压,数据由AD73311还原为模拟语音信号。
2.关键器件
OMAP5910是一款嵌入式双核处理器,它集成了高性能的ARM925、TMS320C55x DSP核和已经得到的广泛应用的各种接口与外设,具有较强的处理能力、较低的功耗和较高的信价比。ARM处理器内核用于DMR协议的处理与系统控制,DSP内核用于完成数字信号的实时处理。
OMAP5910及其设计套件具有多个目标应用市场,提供多媒体功能、改善人机界面并延长电池寿命。
概述
从技术上讲,双核处理器方案与前面介绍的DSP+MCU相比,可以降低系统体积,减少电路的复杂性,对通信协议能作较好的兼容,升级空间大。声码器的应用有可选国产芯片的余地。
缺点是前期的软件开发工作量大,ARM与DSP间的协调工作要深入研究,以免浪费处理器的资源。此外,由于OMAP的功能十分强大,该平台还可以有更多的应用,如加入视频、娱乐等功能。
方案六
1.工作原理
发射时,麦克送来的模拟语音经WM8758B进行A/D转换,送到SCT3252进行压缩处理,经SCT3252进行dPMR协议处理后送到WM8758B的D/A转换单元调制成4FSK信号,经两点调制输出射频载波给发射功放,送天线输出。
接收时,WM8758B对射频模拟信号进行A/D转换,送到SCT3252进行4FSK解调,dPMR拆包,信道解码,最终得到语音编码数据,经解码处理后把语音数据送到WM8758B进行D/A转换,经由外部放大电路送入喇叭还原成话音。
2.关键器件
SCT3252是上海士康公司生产的语音编解码及dPMR协议栈处理芯片。具有较好的语音质量及较高的接收灵敏度(可达-126dBm)。
概述
本方案的特点是语音编解码及dPMR协议栈都集成在SCT3252中,大大减少了控制单元MCU的工作量,另外SCT3252为LQFP100封装,焊接方便。整个方案简单,软件升级的空间大。本方案可以实现数模兼容,通过开关可方便进行数字与模拟通信之间的切换。
WM8758B只起模数转换作用,厂家认为,把它集成进SCT3252是指日可待的事。

8. 求一电路图，用光敏管控制蜂鸣器，要求有光时蜂鸣器不响，无光时蜂鸣器响，最好五伏供电的，并说明电路工

这个简单的要命呀！给你说个最简单不考虑能耗费电哈！准备一个电阻与光敏电阻相串！然后光敏电路与蜂敏器相并！接入电路就行了！

9. 充电电路原理图解释

上图为充电器原理图，下面介绍工作原理。

1.恒流、限压、充电电路。该部分由02、R6、R8、ZD2、R9、R10和R13等元件组成。当接通市电叫，开关变压器T1次级感应出交流电压。经D4、C4整流滤波后提供约12.5V直流电压。一路通过R6、R1l、R14、LED3(FuL饱和指示灯)和R15形成回路，LED3点亮，表示待充状态：另一路电压通过R8限流，ZD2(5V1)稳压，再由并联的R9、R10和R13分压为Q2b极提供偏置，使Q2处于导通预充状态。恒流源机构由Q2与其基极分压电阻和ZD2等元件组成。当装入被充电池时12.5V电压即通过R6限流，经Q2的c—e极对电池恒流充电。这时由于Ul(Ul为软封装IC型号不详)与R6并联。R6两端的电压降使其①脚电位高于③脚，②脚就输出每秒约两个负脉冲。

使LED2(CH充电指示灯)频频闪烁点亮，表示正在正常充电。随着被充电池端电压的逐渐升高，即Q2 e极电位升高，升至设定的限压值(4.25V)时，由于Q2的b极电位不变，使Q2转入截止，充电结束。这时Q2c极悬空，Ul的③脚呈高电位，U1的②脚输出高电平，LED2熄灭。这时电流就通过R6、R11、R14限流对电池涓流充电，并点亮LED3。LED3作待充、饱和、涓流充电三重指示。

2.极性识别电路。此部分由R12和LEDl(TEST红色极性指示灯)构成。保护电路由Q3和R7等元件构成。假设被充电池极性接反了。

LED1就正偏点亮，警告应切换开关K，才能正常充电。如果电池一旦接反，Q3的I)极经R7获得正偏置，Q3导通，Q2的b极电位被下拉短路而截止，阻断了电流输出(否则电池就会被反充而报废)，从而保护了电池和充电器两者的安全。

10. LMDS的工作原理

这个是什么工作原理，我有点不理解，看不明白为什么。