电路扩散

① 扩散硅压力传感器的制作流程及电路图

压力传感器有好多种,主要有:
1)利用晶体的压电效应的效应的压力传感器
2)利压力传感器是工业实践中最为常用的一种传感器，而我们通常使用的压力传感器主要是利用压电效应制造而成的，这样的传感器也称为压电传感器。
第一章 传感器和测量的基本知识
1-1 测量的基本概念

测量的概念，测量的方法，直接测量的几种方法，仪表的精确度与分辨率。

§1-2 传感器中的强性敏感元件

什么叫弹性敏感元件、弹性敏感元件的弹性特性：刚度和灵敏度。弹性敏感元件的形式及其应用范围。

§1-3 传感器的一般特性

静特性：线性度、迟滞、重复性、灵敏度。

动特性：传递函数和动态响应的物理概念。

第二章 电阻型传感器及应用
2-1 电阻丝

电阻丝（热电阻）工作原理、热电阻材料及常用热电阻、普通工业用热电阻式传感器的简单结构（附热电阻丝参数表格）

应用：主要讲测温，扩展到热电阻式流量计等。
2-2 电位器
简单介绍结构、工作原理：主要介绍线性电位器的空载特性、阶梯特性、分辨率和阶梯误差，简单介绍负载特性和非线性电位器。
原理：电位器式压力传感器、电位器式加速度传感器。
2-3 电阻应变片
电阻应变片的工作原理，简介应变片的结构和材料。电阻应变片的工作特性及参数、电阻应变片的温度误差及补偿办法。
半导体应变片简介、配合测量电路、应变仪简介。
应用：应变式力传感器、应变式压力传器，应变式加速传感器等。
第三章 电感型传感器及应用
3-1 自感式
闭磁路变隙式和开磁路螺线管式的工作原理特性（含差动）。
配用电路：交流电桥。
应用：测量线位移的静态量和动态量、测量力、压力、转矩。
3-2 差动变压器式
差动变压器的基本原理。螺线管式的工作原理、结构、特性、零点残余电压及消除。
配用电路：差动相敏检波电路和相敏整流电路简介。
应用：位移测量、振动和加速度测量、压力测量。
3-3 电涡流式
基本知识、工作原理、电涡流的形成范围、被测体的材料、形状和大小对传感器灵敏度的影响。
配用电路简介、应用举例。
3-4 压磁式又叫磁弹性式。
压磁效应、压磁式传感器基本结构、工作原理、特性和应用。
第四章 电容型传感器及应用
4-1 电容式传感器特点及结构形式
工作原理、结构形式、静特性（变间隙式、变面积式、变介质常数式）。
4-2 电容式传感器特点及应用特点、配用电路简介。
应用：压力传感器、加速度传感器、荷重传感器、位移传感器等。
第五章 谐振型传感器及应用
5-1 振动弦式结构、工作原理、激励方式。
应用：振弦式压力传感器、振梁式压力传感器、振弦式扭矩传感器。
5-2 振动筒式结构、工作原理、振动频率与压力关系。
应用：振动筒式压力传感器、振动管式密度传感器。
5-3 振动膜式结构、工作原理、应用。
第六章 光传感器及应用
6-1 真空光电元件
真空光电变换原理和光电阴极、真空光电管、真空光电倍增管。
6-2 光敏元件
闪光电效应、光敏电阻、光敏二极管和光敏三极管及其光谱特性与应用。
6-3 计算光栅
光栅传感器的结构、工作原理、细分技术。
第七章 电动势型传感器
7-1 热电偶
热电偶的工作原理、材料和常用热电偶、结构、冷端处理及测量的误差、延长导线、应用。
7-2 光电池
光伏效应、硅光电池。
7-3 压电石英晶体和压电陶瓷
石英晶体的压电效应、人工铁电陶瓷的压电效应（压电元件的受力状态和变形方式）压电材料和配用电路简介（电荷放大器）。
应用：压电式测力传感器、频率测量。
7-4 霍尔元件
霍尔效应、霍尔元件的构造和基本电路、特性参数、霍尔元件的温度补偿和不等位电势补偿。
应用：微位移的测量、磁场的测量
7-5 磁电式基本原理与结构、非线性误差的补偿。
应用：振动的测量、扭矩的测量。

第八章 其它半导体传感器及应用

§8-1 热敏电阻

特点：材料、特性、适应及应用。

§8-2 因态压敏电阻

半导体压阻效应、扩散硅压阻器件结构简介。

应用：压阻式压力传感器、压阻式加速度传感器。

§8-3 湿敏电阻

湿敏电阻的结构和工作原理、特性及应用

湿敏电容的结构和工作原理、特性及应用

§8-4 磁敏元件

磁敏二极管和磁敏三极管的原理、特性及应用。

§8-5 气敏元件

半导体气敏电阻的工作原理、特性及应用。

我们知道，晶体是各向异性的，非晶体是各向同性的。某些晶体介质，当沿着一定方向受到机械力作用发生变形时，就产生了极化效应；当机械力撤掉之后，又会重新回到不带电的状态，也就是受到压力的时候，某些晶体可能产生出电的效应，这就是所谓的极化效应。科学家就是根据这个效应研制出了压力传感器。

压电传感器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英（二氧化硅）是一种天然晶体，压电效应就是在这种晶体中发现的，在一定的温度范围之内，压电性质一直存在，但温度超过这个范围之后，压电性质完全消失（这个高温就是所谓的“居里点”）。由于随着应力的变化电场变化微小（也就说压电系数比较低），所以石英逐渐被其他的压电晶体所替代。而酒石酸钾钠具有很大的压电灵敏度和压电系数，但是它只能在室温和湿度比较低的环境下才能够应用<-- adcode -->

。磷酸二氢胺属于人造晶体，能够承受高温和相当高的湿度，所以已经得到了广泛的应用。

在现在压电效应也应用在多晶体上，比如现在的压电陶瓷，包括钛酸钡压电陶瓷、PZT、铌酸盐系压电陶瓷、铌镁酸铅压电陶瓷等等。

压电效应是压电传感器的主要工作原理，压电传感器不能用于静态测量，因为经过外力作用后的电荷，只有在回路具有无限大的输入阻抗时才得到保存。实际的情况不是这样的，所以这决定了压电传感器只能够测量动态的应力。

压电传感器主要应用在加速度、压力和力等的测量中。压电式加速度传感器是一种常用的加速度计。它具有结构简单、体积小、重量轻、使用寿命长等优异的特点。压电式加速度传感器在飞机、汽车、船舶、桥梁和建筑的振动和冲击测量中已经得到了广泛的应用，特别是航空和宇航领域中更有它的特殊地位。压电式传感器也可以用来测量发动机内部燃烧压力的测量与真空度的测量。也可以用于军事工业，例如用它来测量枪炮子弹在膛中击发的一瞬间的膛压的变化和炮口的冲击波压力。它既可以用来测量大的压力，也可以用来测量微小的压力。

压电式传感器也广泛应用在生物医学测量中，比如说心室导管式微音器就是由压电传感器制成的，因为测量动态压力是如此普遍，所以压电传感器的应用就非常广。

除了压电传感器之外，还有利用压阻效应制造出来的压阻传感器，利用应变效应的应变式传感器等，这些不同的压力传感器利用不同的效应和不同的材料，在不同的场合能够发挥它们独特的用途。
用压力引起极板位移的电容式压力传感器.

② 什么是扩散型压敏电阻

压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”, 或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。所以从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。 在中国台湾，压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）”。

压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。

压敏电阻的响应时间为ns级，比气体放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。

当加在压敏电阻上的电压低于它的阈值时，流过它的电流极小，它相当于一个阻值无穷大的电阻。也就是说，当加在它上面的电压低于其阈值时，它相当于一个断开状态的开关。
当加在压敏电阻上的电压超过它的阈值时，流过它的电流激增，它相当于阻值无穷小的电阻。也就是说，当加在它上面的电压高于其阈值时，它相当于一个闭合状态的开关。

③ 双极型集成电路怎么埋层扩散

埋层光刻后，进行锑扩散，就是埋层扩散。埋层扩散完成后再进行外延。

④ PN结TTL电路为什么要隔离扩散

你的问题应该是为什么双极集成电路要做隔离扩散吧？
因为硅是半导体，衬底会互通，所以通过PN结或氧化墙隔离。

⑤ 举出4个扩散现象的例子

在厕所能问到臭味
鲜花香气四溢
把盐放进水了..整杯水都咸了
有毒气体泄漏了附近居民要紧急疏散

⑥ 芯片中，电路之间的距离很近，会不会因为扩散运动导致电路失效

不会。电路板的基底材料具有良好的绝缘性能，导电粒子不可能扩散到基版底材料上。而且在电路板权设计时已经考虑了相关的问题，产品检验时也会剔除某些不合格品，所以实际应用中不会出现扩散渗流故障。除非材料不合格、工艺不过关，那么整批产品都不合格，不会投放市场。

⑦ 半导体扩散工艺是什么

半导体扩散工艺。扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发
展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。
3．1 扩散机构
3．1．1 替位式扩散机构
这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。

3．1．2 填隙式扩散机构
这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式。由于CMOS是由PMOS和NMOS组成，因此需要在一种衬底上制造出另一种型号的衬底,才可以在一种型号的硅片上同时制造出N管、P管，在选择注入后的推阱工艺就可以在硅片上制出P阱、N阱；由于推阱一般需要有一定的结深，而杂质在高温下的扩散速率较大，因此推阱工艺往往需要在较高的温度（1150C）下进行，以缩短工艺时间，提高硅片的产出率。 阱电阻：用来监控推阱后N（或P）阱电阻的大小，阱电阻的大小会对制作在N（或P）阱里的晶体管的栅开启电压及击穿电压造成直接影响；但电阻控制片的制作由于有一定的制作流程，因此电阻有时会受制备工艺的影响。

⑧ 电源二极管PN结，扩散运动与漂移运动的区别

1、概述不同：

扩散运动（指的是扩散电流的运动）的概述：化学中的扩散电流是指在极谱分析中由溶液本体扩散到电极表面的金属离子所形成的电流。而溶液中离子的扩散速率有极大值，当扩散速率达到最大时所形成的电流就称为极限扩散电流。

漂移运动（指的是漂移电流的运动）的特点：在凝聚体物理学和电化学中，漂移电流是在施加电场下载流子定向运动产生的电流。当电场加在半导体材料上时，载流子流动产生电流。漂移速度是指漂移电流中载流子运动的平均速度。

2、作用不同：

扩散运动（指的是扩散电流的运动）的作用：针对扩散电容来说，PN结反向偏置时电阻大，扩散电容小，主要为势垒电容。正向偏置时，电容大，取决于扩散电容，电阻小。频率越高，电容效应越显著。在集成电路中，一般利用PN结的势垒电容，即让PN结反偏，只是改变电压的大小，而不改变极性。

漂移运动（指的是漂移电流的运动）的作用：正向电压增加时，N区将有更多的电子扩散到P区，也就是P区中的少子，电子浓度、浓度梯度增加。同理，正向电压增加时，N区中的少子---空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反，正向电压降低时，少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。

式中id为平均极限扩散电流(单位μA)，代表汞滴上从形成至降落过程中的平均电流，n为电极反应中电子的转移数，D为电极上起反应的物质在溶液中的扩散系数(单位是cm/s)，m为汞的流速(单位mg/s)，t为汞滴的周期(单位S)，C为电极上起反应物质的浓度(单位mmol/L)。

这一公式反映了影响扩散电流主要因素，当控制这些影响因素使之恒定时，则扩散电流id与待测物质的浓度成正比，即id=KC，是极谱定量的依据

⑨ 什么是扩散式电路板

1.
概述RC-A2R系列压力变送来器放源大电路板主要配套于2088压力变送器壳体(E+H).该电路板采用新型设计思路,加强线性优化,抗(变频器)干扰等处理.使得变送器在使用过程中稳定性大大提高.目前已被广大压力变送器厂家使用.
2.
性能指标适用性:扩散硅、陶瓷压阻、应变式传感器芯片(用户自选)输出信号:4-20mA 二线制供电。

⑩ 模拟电路中扩散，复合，漂移运动为什么会产生电流，电流的方向分别是什么样的

不能含糊，概念要清晰，你就直说三极管好了，模拟电路的范畴很大的内，不只是三极容管。而三极管不仅存在于模拟电路中，也存在于数字电路中。
至于如何生成电流，现在不理解不打紧的，就先按教材说的，通过日后的进一步学习，你会慢慢理解的；