光耦经典电路

『壹』 光耦驱动电路

最好用左边一种，它能兼容CMOS和TTL逻辑，右边一种只能用于内CMOS逻辑，用于TTL时下拉电流可能容不够，导致低电平电压比较高。
左边一种如果逻辑极性不对，不要改用右边的电路，可以改输入端，让输入通过电阻和光耦对地。
另外，24V逻辑转5V逻辑其实不需要光耦，一个二极管和一个对5V电源的上拉电阻就够了，如果是接内置上拉的单片机等芯片，只需要一个二极管。当然也可以只用一个限流电阻，单片机内部的ESD保护二极管可以将输入电压钳制在0至5V之间。

『贰』 请常用光耦电路有哪些，磁耦电路有哪些

光耦分两部分，前部分为发光管，后部分为光敏接收部分，普通的用途专就是隔离，拿单路的属521或817来说，1脚为前端输入+，2脚为前端入-，3脚为后端输出-，4脚为后端输出+，前后端都要串联限流电阻，如果只选用开关隔离，光耦一般电流也就在5mA左右，可长时间通电，电阻值可以根据电源电压计算选用！如果用于模拟量就比较复杂了，要精密计算得出，而且连进口的521现在误差也比较大，玩模拟量一般是老工程师用的，新人已经不怎么用模拟量了，全玩数字电路！

光耦的电路看我上传的图

『叁』 光耦控制双向可控硅经典电路，为什么电阻要用360R的，是怎么计算出来的

好像没具体计算公式，目前只知道上面电阻是限流，下面电阻是防误触导通，右边RC是保护。。。。

『肆』 关于光耦电路的原理

光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。

在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。

另外一个参数是光耦的电流传输比是指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，

这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。

光耦电路中C-E饱和电压Vce(sat)，即光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。正向工作电压Vf(ForwardVoltage)，Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。

(4)光耦经典电路扩展阅读；

线形光耦介绍，光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单，在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到，如UART协议的20mA电流环。对于模拟信号，光耦因为输入输出的线形较差，并且随温度变化较大，限制了其在模拟信号隔离的应用。

对于高频交流模拟信号，变压器隔离是最常见的选择，但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案，如ADI的AD202，能够提供从直流到几K的频率内提供0.025%的线性度，但这种隔离器件内部先进行电压-频率转换。

对产生的交流信号进行变压器隔离，然后进行频率-电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂，体积大，成本高，不适合大规模应用。

『伍』 光耦应用电路

单片机中，本身就有光电隔离，如果你再想加一级，可采取以下电路。

『陆』 双向可控硅电路 按照经典电路接的

简单说，触发信号抄电平是以阴极（或阳极2）为参考点的，因此，触发信号必须经过阴极节点先自成回路（即不包含可控硅内部电路），R3（或其等效电路）就是用来实现这种回路的，显见的，触发电平就是R3的电压降了；

『柒』 3V -24V 光耦隔离电路

1、PC817、TIP521,4N25等光耦都可以的，器工作速度可以到达30kHz左右。
2、如果你需要更高的速度，可使用6N135等高速光隔，其工作速度可达2MHz。

『捌』 线性光耦HCNR201典型电路

A2作用电压放大 有影响：Vout/Vin=R2/PD2

『玖』 光耦3020能否驱动阻容性负载。电路选择的是光耦所附带的典型电路

不能，3020承受不了。

『拾』 请教一个简单的光耦电路

具体是什么问题，想用光耦做什么电路？下图是一个通过光耦控制继电器的电路。