A. mos管驱动电路问题 PWM 如下图(可放大)
这是一个简单的开关电源电路,查一下4066的电源电路图就知道了。红色的那个应该是排阻一类的器件,D8-3C应该是排二极管,就是多个二极管共阳或共阴连接,保护电路用的,没有其它作用。
B. 如何选择最适合的MOS管驱动电路
1、管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
2、MOS管导通特性
导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
3、MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
4、MOS管驱动
跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。
5、MOS管应用电路
MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动。
5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析
在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:
(1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。
(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。
(5)根据情况施加隔离。
C. MOS全桥驱动电路
电路有两个输入端,逻辑上是互为反相的,即输入信号使Q1导通时,会令Q2截止;
Q1漏极输出回低电答平,通过R7使得Q4栅极也是低电平,从而令Q4导通,为电机通过了电源和电流。场效应管是电压驱动的,与三极管的电流驱动不同,因而为Q4通过栅压的R7,其取值小了,是浪费电,但也不能过大了,还要为此类场效应管是栅极电容提供充放电流;
另外一半电路同理
D. 求助电路大神,在设计一个Nmos管功率驱动电路来控制48VDC电压的通断,采用IRF3810mos管
图没有,一般切断电源正极用P沟道场效应管,切断电源负极用N沟道场效应管,就不用升压电路了。
E. 在设计一个Nmos管功率驱动电路来控制48VDC电压的通断,采用IRF3810mos管
对于场效应管的抄输入阻抗来说,光耦关断时的漏电流足以使它导通,你应该在场效应管的控制极接一只下偏置电阻才行,因为光耦不管是导通还是截止对场效应管来说都是导通状态,在R10和R15下端各接上一只下偏置电阻就行了,取值以光耦导通时的分压足以使场效应管导通,关断时又可以将电压置于接近零为准,哦,R10和R15取值太小了,光耦会烧断的,可以将阻值增大一千倍
F. mos 驱动电机电路
Y16给0,电机才会转,按照你的描述,COM5接电源12V地,R155
D1不需要,光耦电源15V就可以了
G. NMOS管高边驱动,希望能够设计一个升压驱动电路使栅极电压高于电源电压,使NMOS管导通。。。
如图:我自己对MOS管的理解就是P型在应用时栅极应给个上拉的正偏的电压,N型栅极拉低让其零偏回或答反偏;可是看到有人在电路中应用时没有加那个下拉电阻。
这个电路MOS管只用作开关作用,那是不是说MOS在实际应用时,在数电和模电电路中的用法不一样? 像图里这样应用会不会对电路有什么影响?
也就是说这个下拉电阻有没有对电路有什么影响,为什么???
H. 求一个大功率N沟道mos管(12V,2A)的驱动电路
第一级是小信号驱动,因为单片机输出功率不高,驱动第一级产生开关量,再驱动第内二级,第二级有偏容置,估计还是开关量,只是幅值放大了,高12,低0,第三级驱动PMOS开关,注意从第二级C级引出,因此POMS的G级PWM波与第二级相反(但是PMOS输出与第二级相同,因为PMOS为-电压导通,也具有反向作用),第四级为驱动NMOS又具有反向作用,其实我觉得只管驱动能力的话,第三级PMOS就可以驱动了,但是第三级输出与单片机输出反向,所有加了第四级,又具有反向,因此最终输出增强了驱动能力,PWM波与单片机输出相同,图中每一级输入与输出之前都具有反向的作用。希望能帮到你
I. mos管为什么要驱动电路 博客
不太理解你的问题的意思啊。驱动电路能进行受控的开和关,这样就能对mos管中专的id电流进行调制,另外mos管开通属和关断都需要进行充电和放电(虽然mos是电压驱动型器件,但由于结容的存在,需要对这些电容充电才能有驱动电压),这都需要电流,电流就是由驱动电路提供的,除此之外你还想问什么?
J. 求N-MOS管高端驱动电路。
你找下逆变器的驱动,用专用的IC也可以,IR2110之类的