A. 我剛開始學電腦維修，請簡單介紹一下CPU的發展歷史：每款CPU及它的時期，有內存和顯卡的更好
目前主流的抄CPU分inter和AMD兩大公司襲的產品 其中inter公司的從賽揚 奔騰 到現在的酷睿系列，單核到雙核的型號太多，具體你可以到網上查，我也不一一例舉。amd公司的從最早的速龍 速龍雙核
炫龍 閃龍 飛龍 毒龍什麼的 太多玩意兒。根本記不清楚的。做維修的只要區別出構架 能配什麼樣的主板，以及它的主頻 緩存這些參數就行。顯卡也沒什麼好記的 只要區分一下 AGP和PCI介面就行了，還有就是顯存，用的晶元。內存嘛！知道它的運行頻率 電壓 快閃記憶體顆粒的容量 就行。別的也沒什麼的。我做維修很久，感覺也沒什麼好記的。
B. 2代內存維修需要什麼主板啊
插槽是不一樣，DDR3比DDR2頻率高，速度快，容量大，性能高。 DDR3內存相對於DDR2內存，其實只是規格上的提高，並沒有真正的全面換代的新架構。DDR3接觸針腳數目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內存的支持較好，而大容量內存的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位操作系統的執行上限（不考慮PAE等等的內存映像模式，因這些32位元元延伸模式只是過渡方式，會降低效能，不會在零售市場成為技術主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內存的普及時期。DDR3 UB DIMM 2007進入市場，成為主流時間點多數廠商預計會是到2010年。 一、DDR2與DDR3內存的特性區別： 1、邏輯Bank數量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶元的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了准備。 2、封裝（Packages） 由於DDR3新增了一些功能，在引腳方面會有所增加，8bit晶元採用78球FBGA封裝，16bit晶元採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。 3、突發長度（BL，Burst Length） 由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。 4、定址時序（Timing） 就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。 二、與DDR2相比DDR3具有的優點（桌上型unbuffered DIMM）： 1.速度更快：prefetch buffer寬度從4bit提升到8bit，核心同頻率下數據傳輸量將會是DDR2的兩倍。 2.更省電：DDR3 Mole電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V，同頻率下比DDR2更省電，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能，內部增加溫度senser，可依溫度動態控制更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功能），達到省電目的。 3.容量更大：更多的Bank數量，依照JEDEC標准，DDR2應可出到單位元元4Gb的容量（亦即單條模塊可到8GB），但目前許多DRAM廠商的規劃，DDR2生產可能會跳過這個4Gb單位元元容量，也就是說屆時單條DDR2的DRAM模塊，容量最大可能只會到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB起跳，目前規劃單條模塊到16GB也沒問題（注意：這里指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限）。(停車網)
C. 我的內存條DDR2的壞了要到哪裡維修呢
暈DDR2是介面問題啊,那你還怎麼修啊,如果是介面接觸不好的話用橡皮擦下就行啦
D. 筆記本神舟優雅UV21-S23 的內存是ddr2-667還是800
個人覺得應該是667。本人用的是UV20-C17，這個小本用的是667。我估計UV21-S23應該也是用667，因為二者是一樣的模具出來的。