場效應管的電路圖

⑴ 請幫忙分析一下這個場效應管開關電路~ 場效應管採用的是IRFR5305. P型的場效應管

這是一個P型場效應管，電阻R1的作用是為柵極提供一個管子關斷後極間電容放電迴路同時牽制柵極電亮滑位不會在沒有柵極信號的條件下自行導清搭通。R2作用是提供柵極電敬正臘壓的通路。當電阻R2的下端出現一個負的電壓，場效應管Q1就可以導通。

⑵ 求場效應管做功放的電路圖

⑶ 請推薦一場效應管和電路圖，用於5V或3.3V單片機控制5V和12V電源通斷

電路圖見下圖，有具體的元器件型號：

⑷ 誰能幫我看看電路圖上場效應管的三個引腳分別是什麼很簡單的問題。

這圖看不清楚，圖中MOS管是最常見的IRF640,參數為200V-18A大功率場效應管。
場效應管與普通三極體內功能一樣容，他的三個電極對應為：發射機---源極S，基極--柵極G，集電極--漏極D。IRF640管腳排列為（管腳朝下、面對型號）左起1腳為G，2腳為D，3腳為S。

⑸ 場效應管開關電路

只有兩種可能：一是場效應管本身有質量問題，二是並接在電磁閥線圈的二極體短路或接反了（接成正向導通了）

⑹ 請教場效應管的簡單接法

舉例說明，左圖為N溝道場效應管（型號IRF630），右圖為P溝道場效應管（型號IRF9640），電源電壓12V，具體到你這個電路中，圖中電阻等元件可以根據實際電路更換相關阻值，從圖中你可以初步了解場效應管做開關電路的接法。

2，P溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間截止，柵極G低電平D與S間導通）

柵極/基極(G)接控制信號，源極(S)接負載電源正極，漏極(D)接負載輸入正極，負載輸出負極直接接負載電源負極（模擬地）。

當柵極/基極(G)電壓小於源極(S)電壓（負載電源電壓）1.2V以上時，源極(S)到漏極(D)導通，導通電流很小，可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。

這樣負載正極被連通負載電源正極，負載工作。當柵極/基極(G)電壓小於源極(S)電壓（負載電源電壓）不足1.2V，或柵極/基極(G)電壓大於等於源極(S)電壓時，源極(S)到漏極(D)電阻極大，可以認為源極(S)到漏極(D)斷路，則負載不工作。

MOSFET場效應管做為快速開關元件的用法就簡單說到這里，復雜理論咱不說它，知道怎麼用就行了。如果僅僅是作為電子開關使用，也可以簡單用三極體代替MOSFET管，只不過三極體的效率、開關速度、開關可靠性遠不如MOSFET管。

(6)場效應管的電路圖擴展閱讀

工作原理

場效應管工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID」。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。

在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過渡層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。

其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

⑺ 請教場效應管的簡單接法

舉例說明，左圖為N溝道場效應管（型號IRF630），右圖為P溝道場效應段喊管（型號IRF9640），電源電壓12V，如下圖圖中電阻等元件可以根據實際電路更換相關阻值，從圖中可以了解場效應管做開關電路的接法。

場效應管，英文縮寫MOSFET，一般有3個管腳。依內部PN結方向的不同，MOSFET分為N溝道型和P溝道型，一般使用N溝道型可帶來便捷性。

1，N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）柵極/基極(G)接控制信號，源極(S)接負載電源負極（模擬地），漏極(D)接負載輸出負極，負載輸入正極直接接負載電源正極。

當柵極/基極(G)電壓大於MOSFET管開啟電壓（通常為1.2V），源極(S)到漏極(D)導通，導通電流很小，可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載負極被連通負載電源負極，負載工作。

當柵極/基極(G)電壓小於MOSFET管開啟電壓時，源極(S)到漏極(D)電阻極大，可以認為源極(S)到漏極(D)斷路，則負載負極被負載電源正極拉高，負載不工作。

這樣，只要控制MOSFET的柵極/基極(G)電壓有無，即可控制負載的工作與不工作，形成一個開關效應。MOSFET管的開關時間非常快，一般在納秒極，就認為是瞬間開啟/關閉就可以了，在MOSFET管內部是沒有延遲的。

(7)場效應管的電路圖擴展閱讀：

工作原理：

場效應管工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID」。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。

在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去握旁野，即從漏極向源極有電流ID流動。

從門極向漏極擴展的過渡層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過渡層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽啟廳和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

從門極向漏極擴展的過渡層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。

⑻ 三種基本放大電路原理圖

三種基本放大電路原理圖：

基本放大電路是電路的一種，可以應用在電路施工中。基本差橘放大電路輸入電阻很低，一般只有幾歐到幾十歐，但其輸出電阻卻很高。

基本直放大電路既可以放大交流信號，也可放大直流信號和變化非常緩慢的信號，且信號傳輸效率高，具有結構簡單、便於集成化等優點，虛握團集成電路中多採用這種耦合方式。

含義

單極型管的單極放大電路，用場效應管作為放大器件組成的放大電路，稱為場效應管放大電路。場效應管和雙極型晶體管一樣是電路的核心器件皮激，在電路中起以小控大的作用。在場效應管的放大電路中，為實現電路對信號的放大作用，必須要建立偏置電路以提供合適的偏置電壓，使場效應管工作在特性的恆流區。

N溝道耗盡型MOS管組成的共源極放大電路場效應管的柵極通過電阻Rg接地，源極通過電阻Rs接地。這種偏置方法靠漏極電流Id在源極電阻Rs上產生的電壓為柵源極提供一個偏置電壓Ugs，故稱為自偏壓電路。

⑼ 場效應管的電路圖如同所示，求它的微變等效電路圖。

場效應管微變等效電路，教材上都有的，應該看看書的；

可見輸入端相當於開路的，即是沒有電流流經電阻 Rg，那麼 Rg 是可以忽略的；

同樣的，rds 通常都遠大於 Rd，所以在計算中也是可以忽略掉的；

最後就如同圖一電路，只是把電阻 rds 更換為 rd 就是了；

⑽ 四個場效應管驅動電機誰給我個電路圖

四個場效應管驅動一個電機共有兩種電路、其中上圖是直流電機正反轉控制電路。只要將圖中1和1、0和0對角兩個基極並連後引出兩條控制線,分別輸入0(接地)和1(10V)就可以控制直流電機正/反轉。

另外一種是五線二相步進電機底邊驅動電路,不知你要的那一種