鍺管電路圖

⑴ 二極體降壓原理和電路圖

二極體是一個PN結，電流可以從P流向N ，反之不導通，P和N之間的電壓是0.7V左右，這就是二極體的壓降，在電路里串連一個二極體就降低0.7V的電壓，前提是電流方向是從P到N。

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二極體降壓特性：

正向性

外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後，PN結內電場被克服，二極體正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。

在正常使用的電流范圍內，導通時二極體的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極體的正向電壓。當二極體兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極體正向導通。

叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極體的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極體的正向導通壓降約為0.2~0.3V。

反向性

外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小，二極體處於截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極體的反向飽和電流受溫度影響很大。

一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。

擊穿

外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。

電擊穿時二極體失去單向導電性。如果二極體沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其性能仍可恢復，否則二極體就損壞了。因而使用時應避免二極體外加的反向電壓過高。

二極體是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極體和晶體二極體之分，電子二極體因為燈絲的熱損耗，效率比晶體二極體低，所以現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極體。二極體的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極體。

⑵ 有高人能給（繪）出這個簡單鍺管小功放的電路圖嗎

網上有最簡單的電路圖。

鍺管就是pnp管，找pnp單管電路圖。

⑶ 二極體、三極體的工作原理及基本電路圖

二極體和三極體都是由PN結構成，二極體是一個PN結，三極體是兩個PN結。
二極體根據材料的版不同有鍺權管和硅管，導通電壓分別為0.3V和0.7V，通常用來整流。
三極體有基極B、集電極C、射極E三個腳，有NPN型和PNP型，根據三個引腳的電壓不同，在電路中的作用不同，通常用於放大或者開關。