所謂復雜電路

『壹』 新買的手機就一定要充滿12個小時嗎

新手機充電不需要充滿12個小時，電充滿就可以拔掉了。

現在的手機電池基本上都是鋰離子電池，第一次充電只需要像平時充電一樣就可以了。以前使用的鎳電池才需要完全放電再用長時間的充電激活。

由於鋰電池本身的特性，決定了它幾乎沒有記憶效應。因此用戶手機中的新鋰電池在激活過程中，是不需要特別的方法和設備的。

新手機第一次充電，提示充滿就可以拔掉充電器了，不必充過長時間。另外盡量將新手機電量用到低於20%後再充，這樣可以減少充電次數，提升電池壽命。

充電後不及時拔掉電源，會讓電池一直維持著滿電的狀態，這樣做會加快電池的損耗速度。很多人習慣晚上睡前充電，第二天早上起床才拔除。

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手機充電的誤區：

一、充電器混用

使用小功率的插頭給大功率插頭的手機充電，速度不是一般地慢；而如果使用大功率的插頭給小功率插頭的手機充電，速度則會加快很多。但這都會對手機電池造成很大的傷害，因此在充電時最好選用原裝的充電器。

二、充電時不注意溫度

在低溫的環境下，鋰電池的低溫保護機制會促使電池中不發生物質的化學反應，因而無法充電或者是充電速度減慢，而在高溫時，鋰電池會不穩定，甚至引起爆炸。

三、充電戴上手機套

為了保護我們根本離不開的手機，很多人都選擇給手機穿上「外衣」，但不知道的是，鋰電池是很怕熱的，充電時會發熱，所以最好摘掉手機殼再充電。

四、邊充電邊玩

如果條件允許，最好是充電時關機，這對電池是最好的保養。邊充電邊玩手機，除了傷害手機電池以外，對人體也是有害的。

『貳』 汽車電子電壓調節器如何接線

汽車調節器的作用如下：

1、調節發電機輸出電壓：通過繼電器觸頭接通和分離將專發電機的磁場激勵屬接於不同的迴路上，從而控制發電機的勵磁電流，實現對發電機輸出電壓穩定的目的。

2、防止充電電流過大：當充電電流過大時，電路將使電壓調節繼電器和電流限制繼電器同時動作，斷開發電機的勵磁電路，使發電機停止工作。
3、在產生逆流時切斷充電電路，在發生逆流時，繼電器會迅速切斷充電迴路。

調節器使用注意事項

1、選用專用調節器，特殊情況臨時使用代用調節器時，注意代用調節器的標稱電壓與搭鐵極性。

2、調節器與發電機的電壓等級必須一致,否則電源系統不能正常工作。

3、調節器與發電機(磁場線圈)的搭鐵形式必須一致。

『叄』 半導體中名詞「wafer」「chip」「die」的聯系和區別是什麼

一、半導體中名詞「wafer」「chip」「die」中文名字和用途

①wafer——晶圓

wafer 即為圖片所示的晶圓，由純硅（Si）構成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規格不等，晶片就是基於這個wafer上生產出來的。晶圓是指硅半導體集成電路製作所用的硅晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。

②chip——晶元

一片載有Nand Flash晶圓的wafer，wafer首先經過切割，然後測試，將完好的、穩定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的Nand Flash晶元（chip）。晶元一般主要含義是作為一種載體使用，並且集成電路經過很多道復雜的設計工序之後所產生的一種結果。

③die——晶粒

Wafer上的一個小塊，就是一個晶片晶圓體，學名die，封裝後就成為一個顆粒。晶粒是組成多晶體的外形不規則的小晶體，而每個晶粒有時又有若干個位向稍有差異的亞晶粒所組成。晶粒的平均直徑通常在0.015~0.25mm范圍內，而亞晶粒的平均直徑通常為0.001mm數量級。

二、半導體中名詞「wafer」「chip」「die」的聯系和區別

①材料來源方面的區別

以硅工藝為例，一般把整片的矽片叫做wafer，通過工藝流程後每一個單元會被劃片，封裝。在封裝前的單個單元的裸片叫做die。chip是對晶元的泛稱，有時特指封裝好的晶元。

②品質方面的區別

品質合格的die切割下去後，原來的晶圓就成了下圖的樣子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。這些殘余的die，其實是品質不合格的晶圓。被摳走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，會被原廠封裝製作為成品NAND顆粒，而不合格的部分，也就是圖中留下的部分則當做廢品處理掉。

③大小方面的區別

封裝前的單個單元的裸片叫做die。chip是對晶元的泛稱，有時特指封裝好的晶元。cell也是單元，但是比die更加小 cell <die< chip。

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一、半導體基本介紹

半導體指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在消費電子、通信系統、醫療儀器等領域有廣泛應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

半導體晶元的製造過程可以分為沙子原料（石英）、硅錠、晶圓、光刻，蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試、包裝等諸多步驟，而且每一步里邊又包含更多細致的過程。

『肆』 5nm晶元集體翻車，出現了哪些問題

近幾年，半導體技術的創新和產品更新迭代越來越快，尤其以新款智能手機的升級換代最具代表性。各大手機就紛紛陸續推出了搭載新一代處理器的高端旗艦機型，除了5G、高刷屏、大電池以及高功率快充，新一代的5nm製程工藝晶元，也成為今年各大廠商新款手機必不可少的標配。理論上，晶元的工藝製程越低，功耗越低、能效比也就越高，不過目前看來，現階段的幾款5nm晶元卻集體翻車了，功耗和發熱普遍偏高，綜合表現並不理想。

總而言之，5nm晶元集體翻車，看來主要是由於晶元供應商太過盲目追求性能的提升，而疏忽了功耗和能效的優化，以至於性能雖然增強了，但續航、功耗和發熱等方面卻拖了後腿。

目前看來，5nm晶元集體翻車，聯發科卻成了唯一的贏家，並且聯發科還有大把時間進行優化和打磨，完全能夠有機會進一步的提升。至於發哥最終能有怎樣的表現，不妨讓我們拭目以待吧！