或mos電路

『壹』 基於MOS管或三極體做的開關電路

樓上的原理方面都說得很到位了！
而且網上很多這方面資料，論壇也有，做電路，還是需要自己親自動手，多思考，多動手，多總結，才能夠真正的領悟，從而提升自己！

『貳』 怎麼用mos管構成與門和或門，還有大家都喜歡用與非門和或非門 為什麼

mos管構成與門、或門、與非門和或非門如下圖，從中可以看出，與門和或門由兩級電路構成，且用的器件較多，即影響速度又降低集成度，所以用與非門和或非門多。

1.與門：

『叄』 怎麼看一個mos管電路

這里場效應管肯定是起著開關作用，至於說電平轉換，真的沒必要如此浪費資源，用電阻就可以了。而這樣構成電路，估計是要多個相同IIC設備，卻無法改變其相同的地址，就只能是採用開關電路來切換了；

『肆』 MOS管在開關電路的作用

MOS管在開關電路的作用是信號的轉換、控制電路的通斷。

金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。

改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。

N溝道的MOS管的電路中，BEEP引腳為高電平即可導通，蜂鳴器發出聲音，低電平關閉蜂鳴器；P溝道的MOS管是用來控制GPS模塊的電源通斷，GPS_PWR引腳為低電平時導通，GPS模塊正常供電，高電平時GPS模塊斷電。

(4)或mos電路擴展閱讀

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路採用-24V電壓供電。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便於直接耦合，容易製成規模大的集成電路 。

『伍』 mos管在電路中的作用

MOS即MOSFET全稱金屬氧化膜絕緣柵型場效應管，有門極Gate,源極Source,漏極Drain.通過給Gate加電壓產生電場控制S/D之間的溝道電子或者空穴密度（或者說溝道寬度）來改變S/D之間的阻抗。這是一種簡單好用，接近理想的電壓控制電流源電晶體
它具以下特點:開關速度快、高頻率性能好，輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩定
性優良、無二次擊穿問題、全工作區寬、工作線性度高等等，其最重要的優點
就是能夠減少體積大小與重量，提供給設計者一種高速度、高功率、高電壓、
與高增益的元件。在各類中小功率開關電路中應用極為廣泛。
MOS又分為兩種，一種為耗盡型（Depletion MOS），另一種為增強型
（Enhancement MOS）。這兩種型態的結構沒有太大的差異，只是耗盡型MOS一
開始在Drain-Source的通道上就有載子，所以即使在VGS為零的情況下，耗盡型
MOS仍可以導通的。而增強型MOS則必須在其VGS大於某一特定值才能導通。

『陸』 mos管或igbt為什麼要用驅動電路

不太理解你的問題的意思啊。驅動電路能進行受控的開和關，這樣就能對mos管中的Id電流進行調制，另外mos管開通和關斷都需要進行充電和放電（雖然mos是電壓驅動型器件，但由於結容的存在，需要對這些電容充電才能有驅動電壓），這都需要電流，電流就是由驅動電路提供的，除此之外你還想問什麼？

『柒』 集成電路設計的一個題目，用mos管設計一個同或門電路。謝謝！！很急

如圖

『捌』 請教：MOS管做開關電路

MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於MOS管是電壓控制元件，所以主要回由柵源電壓uGS決定其答工作狀態。

MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。

MOS管也是三端壓控元件，三端分別是G、D、S，可以等效於普通三極體的B、C、E三極，VGS的電壓（=VG-VS）控制Mos 開關狀態:

當VGS大於Von（開啟電壓，NMOS為2~4V，PMOS為-2~-4V）時就使得Mos打開，D& S兩極之間導通，壓降為零，阻抗較小，零點幾歐姆；

同理當VGS小於Von時就使得Mos處於關閉狀態，D& S兩極之間阻抗很大；

所以，G極就是控制極；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值為4V，可是擊穿電壓為正負20V；又比如IRF9530，開啟電壓為最大-4V，也就是說Vgs=-5V時已經打開，開啟電壓上限也為正負20V，當Vgs=-21V或者22V時，管子會被擊穿。通常使用時，可以使所加電壓Vgs=正負9伏比較適合。

『玖』 MOS電路的簡介

MOS集成電路又分為PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconctor，P溝道金屬氧化物半導體)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconctor，N溝道金屬氧化物半導體)和CMOS(Complement Metal Oxide Semiconctor，復合互補金屬氧化物半導體)等類型。

『拾』 有沒有替代場效應管或MOS管組成的開關控制電路的集成IC

CD4066之類的CMOS雙向模擬開關就很好用，要求更高些可以選用Maxim的相關產品。