pmos驅動電路

⑴ 求一個大功率N溝道mos管(12V,2A)的驅動電路

第一級是小信號驅動，因為單片機輸出功率不高，驅動第一級產生開關量，再驅動第內二級，第二級有偏容置，估計還是開關量，只是幅值放大了，高12，低0，第三級驅動PMOS開關，注意從第二級C級引出，因此POMS的G級PWM波與第二級相反（但是PMOS輸出與第二級相同，因為PMOS為-電壓導通，也具有反向作用），第四級為驅動NMOS又具有反向作用，其實我覺得只管驅動能力的話，第三級PMOS就可以驅動了，但是第三級輸出與單片機輸出反向，所有加了第四級，又具有反向，因此最終輸出增強了驅動能力，PWM波與單片機輸出相同，圖中每一級輸入與輸出之前都具有反向的作用。希望能幫到你

⑵ 麻煩大神看看這個PMOS驅動電路的二極體和電容的作用是什麼，答細有加分

無論MCU處於何種狀態(含MCU斷電)，只要IO無輸入(低電平)，Q18都會關閉。因為D1、R2的存在，Q1關閉後D1和R2使Q18(G極)正偏。
圖中C1為交流通道，D1為直流通導道(為Q18提供截止正壓，應叫直流補嘗二極體)。
至於D1、C1選值(主要是C1)，這就視乎IO的輸出頻率而定。

⑶ 如何選擇最適合的MOS管驅動電路

1、管種類和結構

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

至於為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極體很重要。順便說一句，體二極體只在單個的MOS管中存在，在集成電路晶元內部通常是沒有的。

2、MOS管導通特性

導通的意思是作為開關，相當於開關閉合。

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

3、MOS開關管損失

不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。

4、MOS管驅動

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用於高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用了。

MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

5、MOS管應用電路

MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動。

5種常用開關電源MOSFET驅動電路解析

在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但並不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。

當電源IC與MOS管選定之後， 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：

(1)開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振盪。

(2)開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。

(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。

(4)驅動電路結構簡單可靠、損耗小。

(5)根據情況施加隔離。

⑷ Pmos管開關電路

下圖是兩種PMOS管經典開關電路應用：其中第一種NMOS管為高電平導通，低電平截斷，Drain端接後面電路的接地端；第二種為PMOS管典型開關電路，為高電平斷開，低電平導通，Drain端接後面電路的VCC端。

首先要進行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。這就是後面介紹電路圖中柵極所接電阻至地。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，並可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

第一步：選用N溝道還是P溝道

為設計選擇正確器件的第一步是決定採用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N溝道MOSFET，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中採用PMOS管經典開關電路，這也是出於對電壓驅動的考慮。

第二步：確定額定電流

第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。該參數以FDN304P管DATASHEET為參考，參數如圖所示：

來看這個電路，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在於R110控制柵極電流不至於過大，R113控制柵極的常態，將R113上拉為高，截至PMOS，同時也可以看作是對控制信號的上拉，當MCU內部管腳並沒有上拉時，即輸出為開漏時，並不能驅動PMOS關閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小，到100歐姆也可。

⑸ 求一個用NPN管驅動PMOS管的電路

1，R1，R2的阻值應該對調，因為是採用電壓控制的PMOS管，阻值可以適當加大，減少功耗，如R1：10K，R2：200K，而且這樣還有一個好處，大幅的減輕Q11的負載，也減輕了單片機I/O口的輸出電流要求。
2，因為不清楚你的要求和整體電路，單從這個局部電路來說，我暫時無法對加穩壓管這方面對你提供什麼建議。
另，電路帶「電」，調試小心。

⑹ 求一個NPN三極體驅動PMOS管的電路

的NPN型號不多。用多大電阻怎麼計算。
另外顯示用的鎖存器我之前用的是74HC244，現在沒有那個，換成74LS244行不

⑺ MOS全橋驅動電路

電路有兩個輸入端，邏輯上是互為反相的，即輸入信號使Q1導通時，會令Q2截止；

Q1漏極輸出回低電答平，通過R7使得Q4柵極也是低電平，從而令Q4導通，為電機通過了電源和電流。場效應管是電壓驅動的，與三極體的電流驅動不同，因而為Q4通過柵壓的R7，其取值小了，是浪費電，但也不能過大了，還要為此類場效應管是柵極電容提供充放電流；

另外一半電路同理

⑻ 分析這個Mos管驅動電路原理

上面的是P溝道場管，下面的是N溝道場管；
此電路中，N溝道場管的柵極電壓高電平時導通低電平時截止，而P溝道場管的則剛好相反；
餘下的，就希望你自己能去想想了；

⑼ mos驅動電路圖看不懂

看了你們的對話,我發現樓主還沒明白,小白沒有關系,沒開數電模電更沒關系,現在的你能對照著圖紙連接實物,說明你很有學習電路的潛力!! 下面我給你詳細點的解釋,希望對你有所幫助.

J3的三個端子:1.PWM信號,控制MOS管的開關,也可以接普通高電平,其實PWM信號就是一組不斷高低變化的電平信號,這樣MOS就不停地開關,如果改變PWM的高低比例,就起到了控制輸出功率的作用.
2.Vcc是電源正極的意思 (在你這個電路里它不起作用,可以不接)
3,是地線(電源的負極)

J2的兩個端子:1.地線(電源的負極)
2.Vs另一組電源正極(你這里,該電壓是提供給空心杯做動力的)

J3的兩個端子 1.MOS輸出端,接空心杯負極
2.電源Vs輸出,接空心杯正極

這里的Vs與Vcc應該是有區別的,Vcc是經過穩壓後提供給系統的電源,比如單片機的+5V
Vs是給空心杯提供能源的,你這里應該直接電池的兩端,或是專門有一組高放電倍率的航模專用鋰電池!

二極體用的是普通的發光二極體,這里是指示工作狀態用

這個圖驅動兩個空心杯沒問題,如果還要更多也沒有問題,但要注意給MOS加散熱器.

⑽ 用PMOS管做開關控制3.3V電源，單片機的IO口接G極，輸出的電平出現2V的波動

參考這個電路圖《帶軟開啟功能的MOS管電源開關電路》：

帶軟開啟功能的MOS管電源開關電路