蜂考電路原理

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太陽能電池的結構工作原理和製造技術

近幾年來，受世界太陽能電池發展「熱潮」的影響，我國太陽能電池產業發展空前高漲，本文收集了太陽能電池的一些有關技術，以供讀者參考。

（一）太陽能電池的發展歷史：

太陽能電池是產生光生伏打效應（簡稱光伏效應）的半導體器件。因此，太陽能電池又稱為光伏電池，太陽能電池產業又稱為光伏產業。

1954年世界第一塊實用化太陽能電池在美國貝爾實驗室問世，幷首先應用於空間技術。當時太陽能電池的轉換效率為8％。1973年世界爆發石油危機，從此之後，人們普遍對於太陽能電池關注，近10幾年來，隨著世界能源短缺和環境污染等問題日趨嚴重，太陽能電池的清潔性、安全性、長壽命，免維護以及資源可再生性等優點更加顯現。一些發達國家制定了一系列鼓舞光伏發電的優惠政策，幷實施龐大的光伏工程計劃，為太陽能電池產業創造了良好的發展機遇和巨大的市場空間，太陽能電池產業進入了高速發展時期，幷帶動了上游多晶硅材料業和下游太陽能電池設備業的發展。在1997－2006年的10年中，世界光伏產業擴大了20倍，今後10年世界光伏產業仍以每年30％以上的增長速度發展。

世界太陽能電池的發展歷史如表1所示：

表1世界太陽能電池發展的主要節點

年份重要節點

1954美國貝爾實驗室發明單晶硅太陽能電池，效率為6％

1955第一個光伏航標燈問世，美國RCA發明GaAs太陽能電池

1958太陽能電池首次裝備於美國先鋒1號衛星，轉換效率為8％。

1959第一個單晶硅太陽能電池問世。

1960太陽能電池首次實現並網運行。

1974突破反射絨面技術，硅太陽能電池效率達到18％。

1975非晶硅及帶硅太陽能電池問世

1978美國建成100KW光伏電站

1980單晶硅太陽能電池效率達到20％，多晶硅為14.5％，GaAs為22.5％

1986美國建成6.5KW光伏電站

1990德國提出「2000光伏屋頂計劃」

1995高效聚光GaAs太陽能電池問世，效率達32％。

1997美國提出「柯林頓總統百萬太陽能屋頂計劃

日本提出「新陽光計劃」

1998單晶硅太陽能電池效率達到24.7％，荷蘭提出「百萬光伏屋頂計劃」

2000世界太陽能電池總產量達287MW，歐洲計劃2010年生產60億瓦光伏電池。

（二）、太陽能電池的種類

（三）、硅太陽能電池的結構及工作原理

硅太陽能電池的外形及基本結構如圖1。基本材料為P型單晶硅，厚度為0.3—0.5mm左右。上表面為N+型區，構成一個PN＋結。頂區表面有柵狀金屬電極，矽片背面為金屬底電極。上下電極分別與N＋區和P區形成歐姆接觸，整個上表面還均勻覆蓋著減反射膜。

當入發射光照在電池表面時，光子穿過減反射膜進入硅中，能量大於硅禁帶寬度的光子在N+區，PN＋結空間電荷區和P區中激發出光生電子——空穴對。各區中的光生載流子如果在復合前能越過耗盡區，就對發光電壓作出貢獻。光生電子留於N＋區，光生空穴留於P區，在PN＋結的兩側形成正負電荷的積累，產生光生電壓，此為光生伏打效應。當光伏電池兩端接一負載後，光電池就從P區經負載流至N＋區，負載中就有功率輸出。

太陽能電池各區對不同波長光的敏感型是不同的。靠近頂區濕產生陽光電流對短波長的紫光（或紫外光）敏感，約占總光源電流的5－10％（隨N＋區厚度而變），PN＋結空間電荷的光生電流對可見光敏感，約佔5％左右。電池基體區域產生的光電流對紅外光敏感，佔80－90％，是光生電流的主要組成部分。

（四）、太陽能電池的製造技術

晶體硅太陽能電池的製造工藝流程如圖2。提高太陽能電池的轉換效率和降低成本是太陽能電池技術發展的主流。

1、具體的製造工藝技術說明如下：

（1）切片：採用多線切割，將硅棒切割成正方形的矽片。

（2）清洗：用常規的矽片清洗方法清洗，然後用酸（或鹼）溶液將矽片表面切割損傷層除去30－50um。

（3）制備絨面：用鹼溶液對矽片進行各向異性腐蝕在矽片表面制備絨面。

（4）磷擴散：採用塗布源（或液態源，或固態氮化磷片狀源）進行擴散，製成PN＋結，結深一般為0.3－0.5um。

（5）周邊刻蝕：擴散時在矽片周邊表面形成的擴散層，會使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。

（6）去除背面PN＋結。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN＋結。

（7）製作上下電極：用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結等工藝。先製作下電極，然後製作上電極。鋁漿印刷是大量採用的工藝方法。

（8）製作減反射膜：為了減少入反射損失，要在矽片表面上覆蓋一層減反射膜。製作減反射膜的材料有MgF2，SiO2，Al2O3，SiO，Si3N4，TiO2，Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴塗法等。

（9）燒結：將電池晶元燒結於鎳或銅的底板上。

（10）測試分檔：按規定參數規范，測試分類。

由此可見，太陽能電池晶元的製造採用的工藝方法與半導體器件基本相同，生產的工藝設備也基本相同，但工藝加工精度遠低於集成電路晶元的製造要求，這為太陽能電池的規模生產提供了有利條件。

（五）、太陽能電池的晶元尺寸：

規模化生產太陽能電池的晶元尺寸分別為（103×103）mm2、（125×125）mm2、（156×156）mm2和（210×210）mm2的方片。目前的主流仍是（156×156）mm2，2007年將過渡到（210×210）mm2為主流晶元。最近德國已推出了代表國際最先進的（210×210）mm2矽片全自動生產設備。

晶元的厚度也愈來愈薄，從→300→270→240→210→180um，目前晶體矽片主要使用厚度為210—240um。

（六）、太陽能電池的晶元材料及轉換效率：

1、晶體硅（單晶硅和多晶硅）太陽能電池：

2004年晶體硅太陽能電池占總量的84.6％，生產技術成熟，是光伏產業的主導產品。在光伏產業中占據著統治地位。

對於高效單晶硅太陽能電池，國際公認澳大利亞新南威爾士大學達到了最高轉換效率為24.7％，目前世界技術先進產品轉換效率為19－20％。對於多晶硅太陽能電池澳大利亞新南威爾士大學多晶硅電池效率已突破19.8％，技術先進產品的效率為15－18％。

2、非晶體硅太陽能電池：

α－Si（非晶硅）太陽能電池一般採用高頻輝光使硅烷分解沉積而成。由於分解溫度低（250－5000C），可在薄玻璃、陶瓷、不銹鋼和塑料底片上沉積1um厚的薄膜，且易於大面積化。非晶硅太陽能電池多數採用PIN結構，有時還製成多層疊層式結構。

非晶硅太陽能電池大量生產的大面積產品的轉換效率為10－12％，小面積產品轉換效率已提高到14.6％，疊層結構電池的最高效率為21％。

3、砷化鎵（GaAs）太陽能電池：

GaAs太陽能電池多數採用液相外延法或MOCVD技術制備，GaAs太陽能電池的效率可高達29.5％，一般在19.5％左右。產品具有耐高溫和抗輻射特點，但生產成本較高，產量受限，主要用作空間電源。以矽片為襯底，擁MOCVD方法製造GaAs/Si異質結太陽能電池是降低成本很有希望的方法，最高效率23.3％，GaAs疊層結構的太陽能電池效率接近40％。

4、其他化合物半導體太陽能電池：

這方面主要有CIS（銅銦硒）薄膜、CdTe(碲化鎘)薄膜和InP(磷化銦)太陽能電池等。這些太陽能電池的結構與非晶硅電池相似。但CIS薄膜一般厚度為2－3um，已達到的轉換效率為17.7％。CdTe薄膜很適合於製作太陽能電池。其理論轉換效率達30％，目前國際先進水平轉換效率為15.8％，多用於空間方面。2004年世界各種太陽能電池產量的種類分布如表2

表22004年世界各種太陽能電池產量的種類分布

序號太陽能電池種類總產量（MW）百分比（％）

1單晶硅平板電池314.428.6

2多晶硅平板電池669.256.0

3非晶硅（室內室外）47.13.9

4帶硅電池41..03.4

5CdTea（碲化鎘）電池13.01.1

6CIS(銅銦硒)3.00.25

7非晶硅/單晶硅電池80.06.7

總量1195.2100

（七）、提高太陽能電池效率的特殊技術：

晶體硅太陽能電池的理論效率為25％（AMO1.0光譜條件下）。太陽能電池的理論效率與入射光能轉變成電流之前的各種可能損耗的因素有關。其中，有些因素由太陽能電池的基本物理決定的，有些則與材料和工藝相關。從提高太陽能電池效率的原理上講，應從以下幾方面著手：

1、減少太陽能電池薄膜光反射的損失

2、降低PN結的正向電池（俗稱太陽能電池暗電流）

3、PN結的空間電荷區寬度減少，幷減少空間電荷區的復合中心。

4、提高硅晶體中少數載流子壽命，即減少重金屬雜質含量和其他可作為復合中心的雜質，晶體結構缺陷等。

5、當採取太陽能電池硅晶體各區厚度和其他結構參數。

目前提高太陽能電池效率的主要措施如下，而各項措施的採用往往引導出相應的新的工藝技術。

（1）選擇長載流子壽命的高性能襯底硅晶體。

（2）太陽能電池晶元表面製造絨面或倒金字塔多坑表面結構。電池晶元背面製作背面鏡，以降低表面反射和構成良好的隔光機制。

（3）合理設計發射結結構，以收集盡可能多的光生載流子。

（4）採用高性能表面鈍化膜，以降低表面復合速率。

（5）採用深結結構，幷在金屬接觸處加強鈍化。

（6）合理的電極接觸設計以達到低串聯電阻等。

（八）、太陽能電池的產業鏈

（九）、上海太陽能電池產業概況：

上海對於光電轉換器件的研究起步於1959年。當時在中科院技術物理研究所和上海科技大學等單位作為光電探測器件課題進行研究。上世紀八十年代，上海儀表局所屬的上海半導體器件八廠等單位生產小功率的蘭硅光電池在市場上銷售。八十年代後期，受世界太陽能電池產業迅速發展的影響，上海開始建立專業的太陽能電池晶元生產企業和專業的研究機構。近10年多來，隨著我國太陽能電池「熱潮」的到來，製造太陽能電池組件的企業紛紛建立，而且隨著單晶硅和多晶硅材料供應緊張，許多小型的硅單晶企業也蜂湧而至。從上世紀九十年代以來，上海的太陽能電池產業逐步形成規模。

目前，上海地區從事太陽能電池晶元、組件、硅材料和設備生產和技術研究的單位共20餘個。

其中，太陽能電池晶元製造的主要企業有上海太陽能科技有限公司、上海泰陽公司等。2006年中芯國際（上海）公司Fab10建成投產，利用8英寸硅單晶矽片製造太陽能電池晶元，開創了上海利用8英寸多晶矽片製造太陽能電池的新範例。目前，上海太陽能電池晶元的產量在30－40MW左右。上海太陽能電池組件的生產企業共有10個左右。主要企業仍有上海太陽能科技有限公司和上海泰陽公司（與上海交通大學合作）等。目前上海太陽能電池組件的產量為50－70MW左右。由於太陽能電池組件生產技術及設備要求較為簡單，因此，太陽能電池組件生產企業中，有多家為民營企業。由於國內太陽能電池晶元供應不足，這些企業往往採用進口晶元組裝後絕大部分返銷境外，僅少數投放國內市場。

近幾年來，由於可提供太陽能電池晶元生產的硅單晶片和硅多晶矽片嚴重短缺，價格不斷大幅度上升，例如2003年進口電子級多晶硅每公斤為22－25美元，而2006年進口同樣多晶硅的價格上升200％至300％，有些經銷商轉手倒賣時，價格甚至抬高5至8倍。在這種情況下，許多中小型的硅單晶生產企業蜂湧而至。從上世紀九十年代以來，在上海及周邊地區建立中小型太陽能電池硅單晶（或硅多晶）的生產企業達4至5個之多。上海通用硅有限公司和上海卡姆丹克公司（合資企業）是其中有代表性的企業。它們各具有許多直拉單晶爐，可以拉制5.5〃，6〃，6.5〃和8〃直徑的硅單晶，形成了可供年產25——30MW太陽能電池晶元的市場。但是由於多晶硅原材料供應不足，這些企業拉制的硅單晶原材料只能供給生產20MW太陽能電池晶元所用。因此，硅材料缺乏已成為抑制上海（乃至全國）太陽能電池產業封裝的瓶頸。因此，通過上海與外省市的合作發展多晶硅產業已是涉及到微電子產業和太陽能電池產業的戰略問題。

（十）中芯國際（上海）的經驗：

中芯國際（上海）為國內集成電路（或半導體器件）晶元製造企業開展太陽能電池晶元或組件生產走出了一條成功之路，從中芯國際（上海）Fab10投產的實踐來看，證明了以下事實，即集成電路（或半導體器件）晶元製造企業太陽能電池晶元具有許多有利條件：

●基本工藝相同；

●廢舊硅圓片可充分利用，有利於降低製造成本；

●生產線設備基本上可用進口設備或國產設備節省投資；

●太陽能電池晶元製造若延伸至組件製造，更有利於企業獲得較好效益。

但由於集成電路（或半導體器件）晶元製造企業的可利用的單晶矽片數量有限，因此當太陽能電池晶元生產規模擴大時必須考慮其他晶體硅的來源

2. 各種電路圖中字母縮寫的含義

A
A模擬
A/DC模擬信號到數字信號的轉換
A/L音頻/邏輯板
AAFPCB音頻電路板
AB地址匯流排
ab 地址匯流排
accessorier 配件
ACCESSORRIER配件
ADC（A/O）模擬到數字的轉換
adc 模擬到數字的轉換
ADDRESSBUS地址匯流排
AFC自動頻率控制
afc 自動頻率控制
AFC自動頻率控制
AFMS來音頻信號
afms 來自音頻信號
AFMS來音頻信號
AFPCB音頻電路板
AF音頻信號
AGC自動增益控制
agc 自動增益控制
AGC自動增益控制
aged 模擬地
AGND模擬地
AGND模擬地
ALARM告警
alarm 告警
ALC自動電平控制
ALEV自動電平
AM調幅
AMP放大器
AMP放大器
AM調幅
ANT天線
ANT/SW天線開關
ant 天線
Anternna天線
antsw 天線開關
ANTSW天線切換開關
ANT天線
APC自動功率控制
APC/AOC自動功率控制
ARFCH絕對信道號
ASIC專用介面集成電路
AST-DET飽和度檢測
ATMS到移動台音頻信號
atms 到移動台音頻信號
ATMS到移動台音頻信號
AUC身份鑒定中心
AUDIO音頻
AUDIO音頻
AUTO自動
AUX輔助
AVCC音頻處理晶元
A模擬信號
b+ 內電路工作電壓
BALUN平衡於一不平衡轉換
BAND-SEL頻段選擇/切換
BAND頻段
Base band基帶(信號)
base 三極體基極
batt+ 電池電壓
BDR接收數據信號
Blick Diagram方框圖
BPF帶通濾波器
BUFFER緩沖放大器
BUS通信匯流排
buzz 蜂鳴器
C
CALL呼叫
CARD卡
Carrier載波調制
CCONTCSX開機維持(NOKIA)
CCONTINT關機請求信號
CDMA碼分多址
cdma 碼分多址
CEPT歐洲郵電管理委員會
CH信道
CHAGCER充電器
CHECK檢查
CIRCCITY整機
Circuit Diagram電路原理圖
CLK時鍾
CLK-OUT邏輯時鍾輸出
CLK-SELECT時鍾選擇信號(Motorola手機)
COBBA音頻IC(諾基亞系列常用)
COL列
COLLECTOR集電極
CONTROL控制
control 控制
CP脈沖、泵
CP-TX RXVCO控制輸出接收鎖相電平
CP-TX TXVCO控制輸出發射鎖相電平
CPU中央處理器
cpu 中央處理器
CS片選
CTL-GSM頻段控制信號
d b 數據匯流排
D/AC數字信號到模擬信號的轉換
d 數字
dac 數字到模擬的轉換
dcin 外接直流電願輸入
DCS-CS發射機控制信號:控制TXVCO與I/Q調制器
DDI數據介面電路
DECIPHRIG解秘
DEINTERLEARING去交織
DET檢測
dfms 來數據信號
dgnd 數字地
Diplex雙工濾波器
Direct Coner Siorl Lionear Receicer直接變換的線性接收機
dsp 數字信號處理器
DSP數字信號處理器
dtms 到數據信號
DUPLEX / DIPLEX雙工器
Duplex Sapatation雙工間隔
E
Earph耳機
EEPROM電擦除可編程只讀存儲器
EIR設備號寄存器
EL發光
EMITTER發射極
emitter 三極體發射極
EMOD Demo Laticon解調
EN使能
EN使能、允許、啟動
en 使能
ENAB使能
EPROM電編程只讀存貯器
ERASABLE可擦的
ETACS增強的全接入通信系統
etacs 增強的全接入通信系統
EXT外部
EXT外部
ext 外部的
FBUS處接通信介面信號線
fdma 頻分多址
feed back 反饋
fh 跳頻
FILFTER濾波器
fl 濾波器
fm 調頻
from 來自於
gain 增益
GAIN增益
Gen Out信號發生器
gnd 地
GSM-PINDIODE功率放大器輸出匹配電路切換控制信號
GSM-SEL頻段切換控制信號之一
G-TX-VCO900MHZ發射VCO切換控制
hook 外接免提狀態
I
I同相支路
I/O輸入/輸出
I/O輸入/輸出
i/o輸入輸出
i 同相支路
IC集成電路
ICTRL供電電流大小控制端
ictrl 供電電流大小控制端
IF中頻
if 中頻
IFLO中頻本振
IF中頻
IMEI國際移動設備識別碼
IN輸入
INSERTCARD插卡
INT中斷
int 中斷
Interface界面,電子電路基礎知識2,介面
ISDN綜合業務數字網
I同相支路
LayoutPCB元件分布圖
LCDCLK顯示器時鍾
led 發光二極體
LOCK鎖定
loop fliter 環路濾波器
LO本振
LPF低通濾波器
lspctrl 揚聲器控制
M
MAINVCO主振盪器(Motorola)
MCC移動國家碼
MCLK主時鍾
mclk 主時鍾
MCLK主時鍾
MCLK主時鍾
MDM調制解調
MDM數據機(Motorola手機)
MENU菜單
MF陶瓷濾波器
MIC話筒
mic 送話器
MISO主機輸入從機輸出(Motorola)
MIX混合
Mixed Second第二混頻信號
MIXERSECOND第二混頻信號
MIX混頻器
MOD調制信號
mod 調制信號
MODEM數據機
MODFreq調制頻率
MODIN調制I信號負
modin 調制i信號負
MODIN調制I信號負
MODIP調制I信號正
MODIP調制I信號正
MODQN調制Q信號負
MODQN調制Q信號負
MODQP調制Q信號正
MODQP調制Q信號正
MOD調制
MOD調制信號
MOEM數據機DM
mopip 調制i信號正
MOSI主機輸出從機輸入(Motorola)
MS移動台
MSC移動交換中心
MSIN移動台識別碼
MSK最小移頻鍵控
MSRN漫遊
MUTE靜音
mute 靜音
N
NAM號碼分配模塊
NC空、不接
NONETWORK無網路
ofst 偏置
on 開
onsrq 免提開關控制
PA 功率放大器
PADRV功率放大器驅動
PCB板圖
PCM脈沖編碼調制
PD/PH相位比較器
pll 鎖相環
PLL鎖相環
PLL鎖相環路
powcontrol 功率控制
POWCONTROL功率控制
Power Supply電源系統
powlev 功率級別
POWLEV功放級別
PURX復位信號(NOKIA)
pwrsrc 供電選擇
Q
Q uadrature molalion正交調制
Q 正交支路
Q正交支路
q 正交支路
R
RACH隨機接入信道
RADIO射頻本振
RAM隨機存儲器
ram 隨機儲存器（暫 存）
RD讀
Receiver收信機
REF參考、基準
ref 參考
RESET復位
reset 復位
RFPCB射頻板
RF射頻
rf 射頻
RFADAT射頻頻率合成器數據
rfadat 射頻頻率合成數據
RFADAT射頻頻率合成器數據
RFAENB射頻頻率合成器啟動
rfaenb 射頻頻率合成啟動
RFAENB射頻頻率合成器啟動
RFConnector射頻介面
RFI射頻介面
RFIN/OFF高頻輸入/輸出
ROM只讀存儲器
ROW行
RSSI場強
RSSI接收信號強度指示
rssi 接收強度指示
RSSI接收信號強度指示
RX接收
rx 接收
RX-ACQ接收機數據傳輸請求信號
RXEN接收使能
RXIFN接收中頻信號負
rxifn 接收中頻信號負
RXIFN接收中頻信號負
RXIFP接收中頻信號正
rxifp 接收中頻信號正
RXIFP接收中頻信號正
RXIN接收I信號負
RXIN接收輸出
RXIP接收I信號正
RXI接收基帶信號(同相)
RXON接收開
rxon 接收開
RXON接收機啟動/開關控制
RXOUT接收輸出
RXQN接收Q信號負
RXQP接收Q信號正
RXQ接收基帶信號(正交)
RXVCO收信壓控振盪器
RX接收
sat-det 飽和度檢測
saw 聲表面波濾波器
SAW聲表面波濾波器
SF超級濾波器
SHFVCO專用射頻VCO(NOKIA)
SLEEPCLK睡眠時鍾
SMOC數字信號處理器
spi 串列外圍介面
spk 揚聲器
SUPLEX雙工器作用相當於天線開關
sw 開關
swdc 末調整電壓
SW開關
synclk 頻率合成器時鍾
SYNCLK頻率合成器時鍾
syndat 頻率合成器數據
SYNDAT頻率合成器數據
SYNEN頻率合成器啟動/使能
synstr 頻率合成器啟動
SYNSTR頻率合成器啟動
SYNTCON頻率合成器開/關
synton 頻率合成器開/關
T
TACS全接入移動通信系統
TCH話音通道
TDMA時分多址
tdma 時分多址
TEMP溫度監測
temp 溫度監測
TEST測試
TP測試點
tp 測試點 tx 發送
Transmitter發信機
TRX收發信機
TXEN發送使能
tx en 發送使能
TX 發送
TX發信
TXC發信控制
TX-DEY-OUT發射時序控制輸出
TXENT發射供電
TXEN發射使能
TXEN發送使能
TX-IF發信中頻
TXIN發送I信號負
TXIP發送I信號正
TXI發射基帶信號
TXON發送開
txon 發送開
TXON發送開
TXOUT發射輸出
TXPWR發射功率
TXQN發送Q信號負
TXQP發送Q信號正
TXQ發射基帶信號
TXRF發射射頻
TXVCO發信壓控振盪器
txvco 發送壓控振盪器頻率控制
UHFVCO超高頻/射頻VCO
UHF超高頻段
UI用戶介面BSIC專用集成電路
UREGISTERED未注冊
vbatt 電池電壓
vcc 電願
VCO 壓控振盪器
vco 壓控振盪
VCTCXO溫補壓控振盪器
vcxocont 基準振盪器頻率控制
VHFVCO甚高頻/中頻VCO
vpp 峰峰值
vppflash flash 編程式控制制
vrpad 調整後電壓
vswitch 開關電壓
W
WATCHDOG看門狗
WATCHDOG看門狗信號
WCDMA寬頻碼分多址
WD-CP看門狗脈沖
WDG看門狗(維持信號電壓)
WDOG看門狗
WR寫

3. 蜂巢結構的原理是什麼

蜂巢是嚴格的六角柱形體，它的一端是六角形開口，另一端則是封閉的六角棱錐體的底，由三個相同的菱形組成。蜂巢內外面的巢穴（叫做巢房）剛好一半相互錯開，相互組合六角形的邊交叉的點是內側六角形的中心，提高了蜂巢的強度，防止巢房底破裂。

蜂巢結構是蜂巢的基本結構,是由一個個正六角形單房、房口全朝下或朝向一邊、背對背對稱排列組合而成的一種結構.。

科學家們研究發現,正六角形的建築結構,密合度最高、所需材料最簡、可使用空間最大。因此,可容納數量高達上萬只的蜜蜂居住。這種正六角形的蜂巢結構,展現出驚人的數學才華,令許多建築師們自嘆不如、佩服有加。

蜂窩結構是覆蓋二維平面的最佳拓撲結構。

這種結構有著優秀的幾何力學性能，因此在材料學科用有廣泛應用。

(3)蜂考電路原理擴展閱讀

葯用價值

蜂巢葯用價值也很高，常用新鮮干凈的蜂巢治療鼻炎。研究表明，蜂巢制劑有促進機體細胞免疫功能的作用，也對金黃色葡萄球菌、綠膿桿菌、大腸桿菌、痢疾桿菌、傷寒桿菌和普通變形桿菌等都有很強的抑制力；對煙麴黴、黃麴黴、茄鐮菌、明串珠菌等真菌也有抑製作用。

蜂巢的化學成分很復雜，主要含有蜂蠟、樹脂、油脂、色素、鞣質、糖類、有機酸、脂肪酸、甙類、酶和昆蟲激素等。

4. 我想要工程制圖蜂考

想要做工程制圖，你首先需要學習三視圖最基礎的，不行去報一個班，或者上大學有專門的課程，還有就是自己去圖書館或者自己買一本機械制圖書或者工程制圖的書籍，自學成才，其實制圖是很簡單的，不是很難

5. 嵌入式比賽中的電路原理圖設計是怎麼做

嵌入式系統的抗干擾設計
王軍安
〔西安電子科技大學計算機外部設備研究所)
摘要:針對嵌入式系統的杭干擾設計要求，從電路及印製板設計、機箱及電纜連接等方面討
論了硬體系統的電磁兼容設計技術;從軟體的可靠性設計、程序跑飛的預防、補救及妥全措
施等方面討論了軟體系統的抗干擾設計技術.
關鍵詞:嵌入式系統 抗干擾 EMI可靠性
引言
嵌入式系統的工作現場往往具有大量的電磁干擾源，它們一般可分為:(1)來自電源的
傳導干擾:(2)來自傳輸信道的傳導干擾;(3)來自空間的輻射干擾。嵌入式系統在設計時
如果未採取有效的抗干擾措施，則運行時CPU及其它微弱信號處理模塊很容易受這些干擾源
影響，而無法正常工作。因此，抗干擾性能一直是影響嵌入式系統工作可靠性的主要因素。
如何提高抗干擾性能，一直是嵌入式系統開發者關心的問題。
為了提高嵌入式系統的工作可靠性，在系統設計開始時，就應該對使用環境的電磁干擾
情況作出合理估計，並提出適當的電磁兼容性 (EMI)指標。在硬體設計、實現、系統互連
中，需要採取相關措施保證EMI指標;在軟體設計及編程時，對於嵌入式計算機最容易出現
的逗程序跑飛地問題，需要採取預防和補救措施。本文將結合作者的實踐經驗，對以上問題進
行討論。
一、硬體系統的抗干擾設計
硬體系統的抗干擾設計主要指電磁兼容性設計，電磁兼容性包含兩個方面:(1)對環境
中的電磁干擾有一定的耐受能力;(2)不可以向空間環境發射過強的電磁能量。
EMI問題主要源自電路的分布參數。許多電路從原理 (集中參數)上看，似乎沒有問題，
而實際系統中由於器件的非理想性，以及結構、布線等問題，造成EMI發射或敏感。抗干擾
設計的基本原理包括:
(I)抑制干擾源:減小電壓/電流變化率，如並聯阻容吸收電路，串聯阻尼電感，並聯續
流二極體等。
(2)切斷傳導及輻射千擾的傳播路徑:如使用濾波器或隔離電路，使用屏蔽技術。
(3)提高敏感器件的抗千擾性能:縮短連線，減小環路面積，加寬電源及地線
以下主要從電原理及印製板設計、機箱屏蔽及電纜連接技術等方面討論硬體系統的抗干
擾設計技術。
1.1電路設計及布線
在研製初期，就應該對系統進行可靠性預計及分析工作，確定影響可靠性的關鍵部件及
元器件。確認方案的合理性後，對影響可靠性的關鍵元器件降額使用。
以 卜是作者在實踐中的兒點體會:
(1)盡可能簡化、優化體系結構。如使用功能更全的Soc,嵌入式計算機。
(2)注意嵌入式系統的可靠復位。當電源有尖峰干擾或電壓上升速度太慢時，普通阻容
復位電路難以正確復位，可考慮專用器件。
(3)電路的環路面積對EMI性能影響很大，使用大規模集成電路，可以有效減小環路面
積，從而提高抗干擾性、減小空間電磁發射。
(4)邏輯器件盡量使用CMOs電路，因為雜訊容限大、功耗低。CMOs器件的輸出阻抗
很小，而輸入阻抗很大，連線過長時，應在輸入端使用阻抗匹配電阻:不使用的輸入端應接
高電平。
(5)數字信號的轉換速率應與要求速度相適應 (必要時使用阻尼電路)，僅在需要時使
用高速器件。
(6)注意信號電纜的EMI性能。最好使用屏蔽電纜，必要時使用隔離電路。如必須使用
扁平電纜，則可以將信號線與地線交錯布置。
關於印製板設計的幾點建議:
(1)成本允許時，盡量使用4層以上的線路板，以提高EMI性能。
(2)仔細考慮器件的位置和方向。
(3)對敏感電路及強輻射電路使用屏蔽。
(4)盡量減小高頻信號及高敏感信號 (如時鍾信號)的迴路面積，旁邊不布置其它信號
線，並用地線包圍。
(5)在器件的電源、地端就近布置退藕電容器。
(6)無論器件位置、布線、信號電纜、地線，都盡可能按照電特性的不同 (模擬信號、
數字信號、離散量信號等)進行分組。
(7)不同部分的電路使用不同的地線，並形成樹形連接，避免地線環路;PCB空白位置
可以用地線填充:如果要連接系統地線與機箱地線，則在信號電纜連接器位置進行低阻抗連
接。
(8)使用先進的製造工藝。如PCB設計、製做、焊接、器件老化。
1.2機箱及過線的EMI設計
機箱及穿過的電源線、信號電纜通常是EMI設計的關鍵問題。機箱的作用是雙向電磁屏
蔽及接地，而穿過的導線很容易破壞機箱的電磁屏蔽效果。
為了防止設備本身產生的電磁干擾進入電源線，同時防止電源線上的干擾進入設備，一
般需要使用電源線濾波器抑制雙向的共模及差模傳導干擾，還可以使用瞬態電壓保護器及壓
敏電阻抑制浪涌電壓。
需要指出，來自電源線的共模千擾通過共模抑制電容器接至機箱。機箱必須妥善接地，
才能保證共模千擾的抑制效果。較大的共模抑制電容器可以改善共模千擾的抑制效果，但會
產生較大的漏電流，對安全不利。
當設備比較復雜時，屏蔽和接地方案需要仔細設計。如圖1，作者的一些體會:
(1)從機箱電源輸入口到電源線濾波器輸入端的連線應盡量短，以防止雙向空間電磁禍
合。最好選用帶插座的電源線濾波器。
電源線濾波器外殼應該與機箱形成良好導電接觸，並就近布置接地樁。
電Dv,線濾波器的輸入、輸出引線不要靠近，以防庄電磁禍合。建議把電源線濾波器靠近機箱
壁放置。
(2)穿過機箱的信號電纜很容易引入共模干擾，最好使用饋通濾波器或光電隔離器，必
要時應使用屏蔽網套。信號電纜應遠離電源線。
(3)為了屏蔽電磁干擾、抑制靜電放電干擾，機箱應近似為完整、連續的導電體:嚴格
控制機箱開孔尺寸，必要時使用多個狹縫或蜂窩狀屏蔽通風窗。
(4)鍵盤及顯示器件往往需要較大的窗口，不利於電磁屏蔽，可以考慮使用隔離倉技術
將顯示電路與其它電路隔離，或使用透明屏蔽材料。
圖1建議的機箱及屏蔽方案
二、軟體系統的抗干擾設計
嵌入式系統的靈魂是軟體系統，嵌入式系統的抗干擾設計，必須解決軟體系統的抗干擾
問題。很遺憾，目前的馮一諾依曼計算機體系無法保證軟體運行的絕對可靠，因此，必須使用
工程方法增強軟體系統的可靠性。以下結合作者的實踐經驗，給出一些針對軟體系統的可靠
性設計技術。
2.1軟體的可靠性設計
(1)開機自檢。即在復位後，軟體先進行系統檢查，以確保ROM內容正確、RAM可正
常讀寫、各外設正常工作……開機自檢對系統可靠運行是十分必要的。
(2)軟體的正確性和功能符合性。符合功能規范要求、並能正確運行，是軟體可靠性設
計的基本要求。和微機上的純軟體相比，嵌入式軟體不但和具體硬體緊密關聯，而且往往具
有明顯的、需要程序員維護的多任務特性:嵌入式系統還要求簡潔、直觀的人機交互方式，
因而需要仔細設計軟體。
(3)對錯誤數據的抗敏性。除了基本功能符合性之外，軟體設計時還應提高對錯誤數據
的抗敏性，如對輸入數據應進行必要的檢查、數據通信的校驗機制等。關於數據通信的舉例:
從串口接收數據，數據報格式為:[報頭」[-氏度]{數據}[報文校驗和]，接收到[長度l後，應檢查
長度值的合法性:接收時，還應檢查數據報相鄰位元組的時間間隔，超時後放棄接收。
(』) 面向對象的程序設計。嵌入式系統的編程語言一般是c語言，甚至匯編語言，它們
都是過程性語言。和面向對象的編程語言 (C++, java)相比，過程性語言缺乏數據抽象、封
裝和隱藏，程序員經常使用一堆零散的變數表示一個對象，不容易保證軟體的可靠性，也不
利於軟體維護。
根據作者的實踐經驗，即使使用過程性語言，只要在程序設計中使用了面向對象的編程
思想，也可以設計出可移植性強、易於維護的程序。當然，在傳統的過程性語言中體現出面
向對象的編程思想，需要一定的編程經驗和技巧。
2.2暫態設計
在設備復位、啟動或關閉時，往往要求輸出埠具有確定狀態、或進入安全態，可以從
以 卜兒方面分析、測試並處理:
(1)假設電源穩定，當CPU處於復位狀態時，設各輸出端處於什麼狀態?
可以分析得到。如果復位時輸出端狀態與要求狀態相反，可以使用非門轉換;如果復位時口
線呈現高阻態，則可以加上拉或一「拉電阻。
(2)電源接通、斷開瞬間，設備輸出端處於什麼狀態?
由於實際系統的復雜性，電源接通、斷開瞬間，設備輸出端的狀態很難准確分析，一般採用
試驗、調整方法解決。
(3)許多可編程晶元都有復位時間要求，設備啟動時能否保證這些晶元的復位時間?主
要依靠分析和試驗方法解決。
2.3程序跑飛時輸出保持安全態
安全態指非動作態 (如電機停止運轉)。在嵌入式系統中，來自內部的程序設計缺陷或外
部竄入的電磁干擾都有可能造成程序跑飛。在系統方案設計時就應採取措施，當程序跑飛時
輸出盡可能保持在安全態。
程序跑飛時，CPU已無法執行正常程序流程。為了使輸出保持在安全態，必須使用硬體
邏輯判斷CPU發出的指令是否正確。基本思路是:CPU的輸出口線不直接控制動作器，而在
兩者之間增加硬體判斷邏輯:當CPU口線輸出特定的信號序列時，硬體判斷邏輯才輸出動作
指令，否則不輸出動作指令。
如圖2,圖中使用了單穩態觸發器判斷動作信號:只有當CPU口線連續輸出高於一定頻
率的方波時，才有動作指令輸出。圖中用與非門實現兩個信號的逗與地操作，提高可靠性。可
以使用CPLD等器件實現更復雜的動作信號判斷。
圖2用單穩態觸發器實現指令判斷
2.4程序跑飛後能自動恢復
即看門狗(WatcliDog)技術，己普遍應用。其基本原理是:設置一個定時器(即逗看門狗，
』)，
該定時器溢出時會引起系統復位。程序需仔細設計:在正常執行時，能及時地對看門狗定時
器清零 (稱為逗喂狗，，)，看門狗定時器不會溢出:當程序跑飛後，由於沒有及時逗喂狗地
，看門
狗定時器溢出，系統復位。
看門狗程序設計的關鍵是:(1)逗喂狗地指令應比較特殊，以防程序跑飛後CPU將其它數
據解釋為逗喂狗地指令:(2)只在少數關鍵程序位置逗喂狗地
，以保證程序跑飛後看門狗溢出。
可見，看門狗的作用是程序跑飛後盡快復位，並不能從根本上改善系統的可靠性。因此，
可靠性設計仍應從系統、硬體、軟體實現上仔細設計『
除看門狗之外，還有其它類似技術。如:(1)在不使用的程序存儲器中存放逗軟利復位地
指令，當程序跑 匕後，引起軟體復位;(2)在匯編指令之間插入一些nop指令，減少CPU對
L指令錯誤讀取的概率。
2.5部分數據發生錯誤— 休閑復位
軟體的運行錯誤有時還表現為一部分數據發生錯誤，而主進程 〔或土循環)仍在運行。
如:系統在開始運行時設定外設的工作狀態，運行中不再刷新。在運行中，如果外設的一{作
狀態被干擾破壞，將無法恢復。這樣的錯誤很難用看門狗技術完全檢測。嵌入式系統通常設
計為盡量簡潔的用戶界面、盡量少的用戶干預，當系統出現運行錯誤時，應盡可能自動恢復
到正常運行狀態。
為解決以上問題，一種可用的處理方法是:程序定期刷新外設的工作狀態 其缺點是;
系統性能下降、效果不理想、具體實現較復雜。為此，作者在實踐中使用逗空閑復位地技術進
行解決:
當系統處於空閑狀態一定時間以後，自動重新啟動。為了維持以前的狀態信息，可以在
非易失性存儲器中保存少數關鍵數據。系統重新啟動後，需要檢查這些數據，如果數據值無
異常，則裝入這些數據:否則，裝入預設數據，並根據需要給予提示。
三、結語
嵌入式系統的抗干擾設計是一個非常復雜、實踐性很強的問題，以上主要從硬體的EMI
設計及軟體的抗干擾設計等方面討論了作者對嵌入式系統抗千擾設計技術的一些理解。從目
前的應用現狀看，硬體EMI設計技術己經很成熟，應用也較成功;但作為嵌入式系統的核心
與靈魂的軟體系統，在可靠性方面還需要繼續改進。
參考文獻
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鍾毓寧等，機電產品可靠性應用，中國計量出版社，1999
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7. 單片機對講機原理

方案一 以單片機為核心處理器的DMR對講機方案(MSP430F149+AMBE1000)
1.工作原理
發射時,由麥克送來的模擬語音經CSP1027進行A/D轉換,由聲碼器AMBE1000進行語音壓縮,交單片機MSP430F149進行協議填充組幀,送到CC1101進行調制後發射。接收時,由CC1101解調出來的碼流經MSP430F149進行幀恢復,交由聲碼器進行解壓,數據經CSP1027進行D/A轉換為模擬語音信號。
2.關鍵器件
微控制器採用TI公司的MSP430F149,它是16位超低功耗、混合信號微控制器,採用「馮·諾依曼」結構,可用JTAG(一種標准測試介面)進行模擬調試。
晶元的電源電壓為(1.8～3.6)V,在RAM數據保持方式下耗電僅0.1uA,活動模式耗電250 uA/MIPS(每秒百萬條指令數)。運算時由於本單片機採用16位RISC(精簡指令集計算機),一個時鍾周期可以執行一條指令,而傳統的單片機要12個時鍾周期才執行一條指令。工作在8MHz的晶振頻率時,指令速度可達8MIPS,而同樣這個指令速度,16位處理器比8位處理器高遠不止兩倍。
概述
聲碼器AMBE1000在國內已有產品,價格比較合理。CC1101的靈敏度為-116dBm(1.2kbps,1%數據包誤碼率,工作在433MHz時),與國內的對講機可用靈敏度-120dBm相比偏低,但符合歐盟的CE標准規定小於-107dBm.另外,射頻模塊的功率輸出僅12dBm(16mW),所以本方案僅適用短距離范圍的通信。提高靈敏度可考慮用器件ADF7021作為射頻模塊。
方案二 以DSP+MCU為核心處理器的對講機方案
1.工作原理
方案以MSP430為中心系統來完成數據的收、發控制等工作,系統採用MSP430中 USART模塊的SPI同步通信模式。在接收過程中,首先接收來自射頻晶元的FSK數據,解調後由MSP430將數據幀的同步域、尾域、ID域以及命令位元組去除後,數據發至C5402進行去壓縮處理,數據交AIC23進行D/A轉換為語音信號。在發送過程中,首先由AIC23進行A/D轉換,數據交C5402將語音壓縮,再由微控制器MSP430進行協議填充,加上頭域、尾域、ID域以及命令位元組形成數據幀,然後控制射頻模塊將數據發送。
2.關鍵器件
TMS320C5402是TI公司於1996年推出的一種定點DSP晶元,採用先進的修正哈佛結構和8匯流排結構,使處理器的性能大大提高。其獨立的程序和數據匯流排允許同時訪問程序存儲器和數據存儲器,實現高速並行操作。如,可以在一條指令中同時執行3次讀操作和1次寫操作。TMS320C5402的運行速度為40MIPS,指令周期為25ns.此外,還可以在數據匯流排與程序匯流排之間相互傳送數據。從而使處理器具有單個周期內同時執行算術運算、邏輯運算、位移操作、乘法累加運算以及訪問程序、數據存儲等強大功能。
概述
採用DSP方案時,免去選用語音晶元聲碼器的煩惱,提高了數字對講機對語音處理的能力,可讓語音編碼的演算法盡量優化,從而使對講機語音信號的處理更具通用性和擴展性。本方案是以DSP為開發平台,經過連續可變斜率增量(CVSD)調制編解碼得到語音信號的清晰度和自然度好,但軟體開發工作量大。CC1000不支持4FSK調制與解調,本方案不適用於DMR與dPMR協議。另外CC1000的接收可用靈敏度為-110dBm,國內對講機廠家可能嫌低。
方案三 以單片機為核心處理器的dPMR對講機方案(CMX618+CMX7141)
1.工作原理
發射時,麥克送來的模擬語音經CMX618內部進行增益調節,A/D轉換和壓縮處理,然後通過SPI(串列外圍設備介面)進入CMX7141基帶處理器,在微控制器LPC2138的控制和管理下經CMX7141晶元內部進行信道編碼,dPMR協議棧打包,數字濾波以及4FSK調制,調制編碼後的語音數據經CMX7141晶元的MOD1/2管腳分別輸出給外部的發射VCO和壓控溫補參考時鍾,經兩點調制輸出射頻載波給發射功放,並到天線輸出。
接收時,CMX7141對基於超外差射頻接收模塊送來的4FSK解調信號在微控制器LPC2138的控制和管理下進行4FSK解調,dPMR拆包,信道解碼,最終得到語音編碼數據,經SPI串口送給CMX618進行語音解壓縮並恢復語音信號。
2.關鍵器件
語音編解碼片CMX618是CML微電子(新加坡)私人有限公司的產品,晶元由音頻壓縮/解壓器、RALCWI編解碼器、前向糾錯編解碼器和其他特殊功能模塊幾部分組成。
RALCWI是一種魯棒的先進的復雜性波形插入技術,與其他語音編解碼技術不同,它使用獨有的信號分解和參數編碼方法,可確保在較高的壓縮率下有較好的語音質量。
在聲碼器中,採用RALCWI技術實現的語音質量與編碼速率在4kbps以上的標准聲碼器話音質量相當。
概述
本方案優點是開發時的靈活性高,模擬與數字可雙模設計,且同一個硬體開發平台能滿足不同的數字對講機標准,支持多種語音聲碼器,射頻的接收靈敏度可做得較高達到-118dBm(誤碼率為1%時)。發射功率0.5W,功率容易提升。
缺點是前期的軟體開發成本高並有一定難度,射頻模塊ATB010隻支持dPMR的EN301,166標准,不支持DMR.
方案四 以MCU+DSP的DMR對講機方案(MSP430FG4619+VC5510)
1.工作原理
發射時，由麥克送來的模擬語音經模數轉換器AD73311采樣成數字信號，AMBE2000對語音數字信號進行壓縮編碼，數字信號由VC5510進行DMR通信協議填充組成幀信號和4FSK的調頻波成形，最後由微控制器MCU進行D/A轉換，送往射頻模塊進行發射調制，實現發射。
接收時，MCU將射頻模塊送來已解調數據進行A/D轉換，經VC5510進行拆幀，交AMBE2000進行解壓，數據由AD73311數模轉換為語音信號。
微控制器MSP430FG4619是整個系統的控制中心，人機介面如鍵盤、顯示器與MCU直接連接。微控制器實現對射頻模塊的控制，包括基帶信號的發送與接收、射頻頻率點的控制、信道檢測等，MCU還負責DMR協議的高層信令控制、人機介面的互通等。
另外，請注意微控制器還要完成基帶信號的AD/DA轉換功能。
2.關鍵器件
AMBE2000TM聲碼器是美國語音公司DVSI推出的一款適應性強、高性能、單晶元的語音壓縮編解碼器。它能在低速率下提供優良的語音質量，並實現了實時的、全雙工的標准設定的AMBE語音壓縮軟體演算法。
大量的評估顯示，這款聲碼器具有在一般數據速率下提供同數字蜂窩系統一樣性能的能力。AMBE在2.4kbps速率下保持自然語音質量和清晰度，由於AMBE演算法復雜性低，所以它能夠完全集成在成本低、功耗低的晶元上。
概述
方案簡單，實用。
軟體開發中，微控制器和數字處理器的程序對DMR協議的分層必須有清晰的概念，正確的程序設計是硬體實現的保證。聲碼器的選用有較大的餘地。
方案五 以ARM+DSP的DMR對講機方案
1.工作原理
發射時,由麥克送來的話音信號由數模轉換器AD73311進行采樣,數據由聲碼器進行壓縮,OMAP5910內的DSP與ARM對壓縮的數據進行協議添加與控制,形成4FSK波形,數模轉換器AIC23將4FSK數字波形模擬化後進行射頻調制,調頻載波由天線發射。
接收時,射頻模塊對接收的模擬信號進行解調,模擬信號交AIC23進行數字化處理,OMAP5910對接收到的數據進行信道解碼和拆幀,幀信號交聲碼器進行解壓,數據由AD73311還原為模擬語音信號。
2.關鍵器件
OMAP5910是一款嵌入式雙核處理器,它集成了高性能的ARM925、TMS320C55x DSP核和已經得到的廣泛應用的各種介面與外設,具有較強的處理能力、較低的功耗和較高的信價比。ARM處理器內核用於DMR協議的處理與系統控制,DSP內核用於完成數字信號的實時處理。
OMAP5910及其設計套件具有多個目標應用市場,提供多媒體功能、改善人機界面並延長電池壽命。
概述
從技術上講,雙核處理器方案與前面介紹的DSP+MCU相比,可以降低系統體積,減少電路的復雜性,對通信協議能作較好的兼容,升級空間大。聲碼器的應用有可選國產晶元的餘地。
缺點是前期的軟體開發工作量大,ARM與DSP間的協調工作要深入研究,以免浪費處理器的資源。此外,由於OMAP的功能十分強大,該平台還可以有更多的應用,如加入視頻、娛樂等功能。
方案六
1.工作原理
發射時,麥克送來的模擬語音經WM8758B進行A/D轉換,送到SCT3252進行壓縮處理,經SCT3252進行dPMR協議處理後送到WM8758B的D/A轉換單元調製成4FSK信號,經兩點調制輸出射頻載波給發射功放,送天線輸出。
接收時,WM8758B對射頻模擬信號進行A/D轉換,送到SCT3252進行4FSK解調,dPMR拆包,信道解碼,最終得到語音編碼數據,經解碼處理後把語音數據送到WM8758B進行D/A轉換,經由外部放大電路送入喇叭還原成話音。
2.關鍵器件
SCT3252是上海士康公司生產的語音編解碼及dPMR協議棧處理晶元。具有較好的語音質量及較高的接收靈敏度(可達-126dBm)。
概述
本方案的特點是語音編解碼及dPMR協議棧都集成在SCT3252中,大大減少了控制單元MCU的工作量,另外SCT3252為LQFP100封裝,焊接方便。整個方案簡單,軟體升級的空間大。本方案可以實現數模兼容,通過開關可方便進行數字與模擬通信之間的切換。
WM8758B只起模數轉換作用,廠家認為,把它集成進SCT3252是指日可待的事。

8. 求一電路圖，用光敏管控制蜂鳴器，要求有光時蜂鳴器不響，無光時蜂鳴器響，最好五伏供電的，並說明電路工

這個簡單的要命呀！給你說個最簡單不考慮能耗費電哈！准備一個電阻與光敏電阻相串！然後光敏電路與蜂敏器相並！接入電路就行了！

9. 充電電路原理圖解釋

上圖為充電器原理圖，下面介紹工作原理。

1.恆流、限壓、充電電路。該部分由02、R6、R8、ZD2、R9、R10和R13等元件組成。當接通市電叫，開關變壓器T1次級感應出交流電壓。經D4、C4整流濾波後提供約12.5V直流電壓。一路通過R6、R1l、R14、LED3(FuL飽和指示燈)和R15形成迴路，LED3點亮，表示待充狀態：另一路電壓通過R8限流，ZD2(5V1)穩壓，再由並聯的R9、R10和R13分壓為Q2b極提供偏置，使Q2處於導通預充狀態。恆流源機構由Q2與其基極分壓電阻和ZD2等元件組成。當裝入被充電池時12.5V電壓即通過R6限流，經Q2的c—e極對電池恆流充電。這時由於Ul(Ul為軟封裝IC型號不詳)與R6並聯。R6兩端的電壓降使其①腳電位高於③腳，②腳就輸出每秒約兩個負脈沖。

使LED2(CH充電指示燈)頻頻閃爍點亮，表示正在正常充電。隨著被充電池端電壓的逐漸升高，即Q2 e極電位升高，升至設定的限壓值(4.25V)時，由於Q2的b極電位不變，使Q2轉入截止，充電結束。這時Q2c極懸空，Ul的③腳呈高電位，U1的②腳輸出高電平，LED2熄滅。這時電流就通過R6、R11、R14限流對電池涓流充電，並點亮LED3。LED3作待充、飽和、涓流充電三重指示。

2.極性識別電路。此部分由R12和LEDl(TEST紅色極性指示燈)構成。保護電路由Q3和R7等元件構成。假設被充電池極性接反了。

LED1就正偏點亮，警告應切換開關K，才能正常充電。如果電池一旦接反，Q3的I)極經R7獲得正偏置，Q3導通，Q2的b極電位被下拉短路而截止，阻斷了電流輸出(否則電池就會被反充而報廢)，從而保護了電池和充電器兩者的安全。

10. LMDS的工作原理

這個是什麼工作原理，我有點不理解，看不明白為什麼。