電路單結管

① 在電路中接入單結晶體管時,把b1,b2反接,管子會不會燒壞

一般不會燒壞，只是觸發不了。就是加了觸發信號沒有反應。

② 單向觸發電路就是單結晶體管觸發電路嗎

單向觸發電路肯定不是單結晶體管觸發電路。
單結晶體管觸發電路是利用單結晶體管內(又稱雙基極二極體容)的負阻特性，使它在特定的電壓下導通，從而產生觸發信號，這個電路常用在晶閘管(SCR)的觸發電路中。
你說的單向觸發電路我一時還說不清，單向觸發顧名思義，只向一個方向觸發，這樣的電路太多了，比如，RS觸發器，R端永遠置0，它怎麼也不可能置1，它算不算單向觸發電路呢。

③ 這個單結晶體管觸發電路電路圖的工作原理是什麼 還有圖中所注四個點的波形圖怎麼畫

簡單說，就是3點電壓（電容電壓）升高到某一個值後，單結管導通，那版么4點的電阻與3點的電容構成權迴路，電容放電，當3點電壓（電容電壓）降低到某一個值後，單結管截止，電源通過點上面的電阻開始對電容充電，如此反復，所以3點波形是三角波，4點波形是脈沖方波；
1點波形是全波整流後又無濾波時的波形，2點波形，因為有穩壓管的作用而是1點波形的削波；

④ 單向晶閘管，單結晶體管，穩壓管在電路中的作用和導通條件

單向晶閘管導通條件：大於峰點電壓時導通，小於谷底電壓時截止。單結晶體管的作用：作為調壓開關。穩壓管作用：把電壓穩定在8V上。

⑤ 單結管的結構是怎樣的

單結晶體管有一復個PN結和三個電制極，即一個發射極和二個基極，所以又叫雙基極二極體。
單結晶體管有一個重要的電氣特性——負阻特性，利用這種特性可以組成張弛振盪器、自激多諧振盪器、階梯波發生器、定時器等多種脈沖單元電路。
單結晶體管的內部結構：在一塊高阻率的N型矽片兩端，製作兩個接觸電極，分別叫第一基極b1和第二基極b2，矽片的另一側在靠近第二基極b2處製作了一個PN結，並在P型矽片上引出電極E，E叫發射極。
第一基極b1和第二基極b2之間的純電阻，稱為基區電阻，一般在2 KΩ~ 10
KΩ之間。第一基極b1與發射極E之間的電阻，在正常工作時，將隨發射極電流而變化。PN結的作用相當於一個二極體。
在阻值比較中，E-b1的阻值較大，E-b2的阻值較小；即E-b1的阻值 大於 E-b2的阻值。
用萬用表測單結晶體管的阻值，第一基極b1和第二基極b2之間的正反電阻均一樣，為正常，否則該單結晶體管性能不好。

⑥ 單結晶體管觸發電路由哪三個部分組成

單結晶體管觸發電路由單結晶體管和相關阻容元件構成一個張弛振盪器專。這個是其一部屬分。
振盪器的供電由同步變壓器及橋式整流電路提供。倍頻後經過限幅的電壓周期性的過零（50Hz時的周期為10ms），起到觸發信號的同步作用。這個部分可以稱為電源部分。
第三個部分是脈沖輸出部分。可以直接輸出到可控硅，也可以通過脈沖變壓器輸出。

⑦ 單結晶體管有什麼作用是怎樣工作的

單結晶體管的工作原理

將雙基極二極體按圖(a)接於電路之中，觀察其特性。首先在兩個基極之間加電壓UBB，再在發射極E和第一基極B1之間加上電壓UE，UE可以用電位器RP進行調節。這樣該電路可以改畫成圖2(b)的形式，雙基極二極體可以用一個PN結和二個電阻RB1、RB2組成的等效電路替代。

UBB＋UD），單結晶體管內的PN結處於反向偏置，E與B1之間不能導通，呈現很大電阻。當UE很小時，有一個很小的反向漏電流。隨著UE的增高，這個電流逐漸變成一個大約幾微安的正向漏電流。這一段在圖3所示的曲線中稱為截止區，即單結晶體管尚未導通的一段。

⑧ 什麼是單結晶體管為什麼他可以用於單向晶閘管的觸發電路

單結晶體管也叫做雙基極二極體，兩個基極一個連接電源一個接地通過電阻具有一定分壓比當電容充電到一定程度通過發射結放電形成觸發可控硅的電壓。

⑨ 6.[簡答題] 單結晶體管可用於什麼電路

單結晶體管可用於脈沖發生電路。

⑩ 單結晶體管的應用

單結晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡單，因此在各種開關應用中，在構成定時電路或觸發SCR等方面獲得了廣泛應用。它的開關特性具有很高的溫度穩定性，基本上不隨溫度而變化。
圖4所示為單結晶體管組成的振盪電路。所謂振盪，是指在沒有輸入信號的情況下，電路輸出一定頻率、一定幅值的電壓或電流信號。當合閘通電時，電容C上的電壓為零，管予截止，電源VBB通過電阻R對C充電，隨時間增長電容上電壓uC逐漸增大；一旦UEB1增大到峰點電壓UP後，管子進入負阻 區，輸入端等效電阻急劇減小，使C通過管子的輸入迴路迅速放電，iE隨之迅速減小，當UEB1減小到谷點電壓Uv後，管子截止；電容又開始充電。上述過程 循環往返，只有當斷電時才會停止，因而產生振盪。由於充電時間常數遠大於放電時間常數，當穩定振盪時，電容上電壓的波形如圖4(b)所示。
圖4 單結晶體管組成的振盪電路及波形
為了提高使用可靠性，在使用過程中應注意以下問題：
（1）在第二基極B2上串聯1個限流電阻R2，限制單結管的峰值功率
（2）電路中的CT或VP（峰值電壓）較大時，CT上應串聯一個保護電阻，以保護發射極B1不受到電損傷。例如：電容CT大於10μF或 VP大於30V時就應適當串電阻，這個附加電阻的阻值至少應取每微法CT串1Ω電阻。否則，較大的電容器放電電流會逐漸損傷單結管的EB1結，使振盪器的 振盪頻率或單穩電路的定時寬度隨著時間的增長而逐漸發生變化。
（3）在某些應用中，用一隻二極體與單結管的基極B2或發射極E相串聯，這樣可改善溫度穩定性及減小電源電壓變化的影響
（4）單結管和硅可控整流器的抗輻照特性很差，不宜在輻照環境中使用。