晶閘管電路符號

1. 三極體跟晶閘管在電路圖中的分別用哪種簡圖來表示，英文名稱分別是什麼。

.每種元件，各個抄國家表襲示不同，自成體系；
國際通用慣例是：
三極體就是晶體管，用「T」表示，來源於英文「transistor」；
晶閘管就是可控硅，用「SCR」表示來源於英文「silicon controlled rectifier」 ；
二極體用「D」 表示，源於英文「diode「；
電阻用「R」 表示，源於英文「resistance「；
電阻用「C」 表示，源於英文「capacitance「等等。

2. 電氣原理圖中XS，符號是（ ），表示什麼

電氣原理圖中的XS在GB 7159-1987《電氣技術中的文字元號制訂通則》標准中表示插座。

插座的圖形符號如圖。圖取自國標GB/T 4728.3-2005。

(2)晶閘管電路符號擴展閱讀：

電氣設備常用文字元號新舊對照：

電橋 AB DQ

晶體管放大器 AD DF

集成電路放大器 AJ

印刷電路板 AP

抽屜櫃 AT

旋轉變壓器(測速發電機) TG CF

電容器 C C

發熱器件 EH RJ

照明燈 EL ZD

空氣調節器 EV

過電壓放電器件避雷器 F BL

具有瞬時動作的限流保護器件 FA SX

具有延時動作的限流保護器件 FR YX

具有延時和瞬時動作的限流保護器件 FS YSX

熔斷器 FU RD

限壓保護器件 FV RD

同步發電機 GS TF

非同步發電機 GA YF

蓄電池 GB XC

聲響指示器 HA YS

光指示器 HL GS

指示燈 HL SD

瞬時有或無繼電器，交流繼電器 KA J

接觸器 KM C

極化繼電器 KP JJ

簧片繼電器 KP

延時有或無繼電器 KT SJ

電感器 L L

電抗器 L DK

電動機 M D

同步電動機 MS TD

非同步電動機 MA YD

電流表 PA I

電壓表 PV U

電能表 PJ Wh

斷路器 QF DL

電動機保護開關 QM

隔離開關 QS GLK

電阻器 R R

電位器 RP W

控制開關 SA KK

選擇開關 XK

按鈕開關 SB AK

電流互感器 TA LH

控制變壓器 TC KB

電力變壓器 TM LB

電壓互感器 TV YH

整流器 U ZL

二極體 V D

晶體管 B

晶閘管 KG

電子管 VE G

控制電路用電源的整流器 VC KZ

連接片 XB LP

測試插孔 XJ

插頭 XP CT

插座 XS CZ

端子板 XT JX

電磁鐵 YA DT

電磁製動器 YB ZD

電磁離合器 YV CLH

電磁吸盤 YH CX

電動閥 YM

電磁閥 YV

3. 晶閘管的內部結構是怎樣的畫出晶閘管的電路符號。

晶閘管也叫可控硅。直接在網上搜索晶閘管或可控硅應該都有的。你說的是晶閘管裡面的實際結構嗎？這我們就不懂了，這只有生產可控硅的才知道。

4. 可控硅是什麼樣的符號啊！

如圖所示：

(4)晶閘管電路符號擴展閱讀：

不管可控硅的外形如何，管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。

除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，

5. 電路圖上的符號是SCR1A400V，我知道是雙向可控硅，但不知道是什麼型號的可控硅請各位工程師指點一下先謝了

就是1A、400V的雙向可控硅，符合此參數的都行。比如：3CTS1、BT132、MAC97A6 等

6. 晶閘管的元器件符號咋畫啊

它與晶體二極體的符號非常接近，只不過在二極體的負極根部,在畫出一個斜的分支線（叫做控制極G），就成了晶閘管的符號了。

7. 可控硅在電路板上的符號

可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘可控硅管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。

具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用於各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件。

8. 晶閘管的特殊的晶閘管

從外表上看，雙向晶閘管和普通晶閘管很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通晶閘管不同，是把兩個晶閘管反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用「3CTS」或「KS」表示；國外的資料也有用「TRIAC」來表示的。
從內部結構來看，雙向晶閘管是一種N—P—N—P—N型五層結構的半導體器件，見圖3(a)。為了便於說明問題，我們不妨把圖3(a）看成是由左右兩部分組合而成的，如圖3(b)。這樣一來，原來的雙向晶閘管就被分解成兩個P—N—P—N型結構的單向晶閘管了。如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那麼右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地並聯在一起。我們把這種聯接叫做反向並聯。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向並聯起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什麼會有雙向控制導通特性的根本原因。
雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導通。對雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講，對一個管子是陽極，對另一個管子就是陰極，反過來也一樣。因此，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓，它都能被觸發導通。不僅如此，雙向晶閘管還有一個重要的特點，這就是：不管觸發信號的極性如何，也就是不管所加的觸發信號電壓UG對T1是正向還是反向，雙向晶閘管都能被觸發導通。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的。 普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導通或關斷需要一定時間，同時陽極電壓上升速度太快時，會使元件誤導通；陽極電流上升速度太快時，會燒毀元件。人們在製造工藝和結構上採取了一些改進措施，做出了能適應於高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。
一、關斷時間（toff）短
導通的晶閘管，當切斷正向電流時。並不能馬上「關斷」，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續導通。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時間，叫做關斷時間。用t0仟表示。
晶閘管的關斷過程，實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，製造快速晶閘管時採用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區少數載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會影響元件的其它性能。
二、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）
控制極觸發導通的晶閘管。總是在靠近控制極的陰極區域首先導通，然後逐漸向外擴展，直到整個面積導通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能全面積導通。初始導通面積小時，必須限制初始電流的上升速度，否則將發生局部過熱現象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時這種現象更為嚴重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一矽片上做出一個放大觸發信號用的小晶閘管。控制極觸發小晶閘管後，小晶閘管的初始導通電流將橫向經過矽片流向主晶閘管陰極，觸發主晶閘管。從而實際強觸發，加速了元件的導通，提高了耐電流上升率的能力。
三、能耐較高的電壓上升率（dv/dt）
晶閘管是由三個P—N結組成的。每個結相當於一個電容器。結電壓急劇變化時，就有很大的位移電流流過元件，它等效於控制極觸發電流的作用。可能使晶閘管誤導通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因。
為了有效防止上述誤導通現象發生，快速晶閘管採取了短路發射結結構。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來，即使電壓上升率較高，晶閘管的電流放大系數仍幾乎為零，不致使晶閘管誤導通。只是在電壓上升率進一步提高，結電容位移電流進一步增大，在短路點上產生電壓降足夠大時，晶閘管才能導通。
具有短路發射結結構的晶閘管，用控制極電流觸發時，控制極電流首先也是從短路點流向陰極。只是當控制極電流足夠大，在短路點電阻上的電壓降足夠大，PN結正偏導通電流時，才同沒有短路發射結的元件一樣，可被觸發導通。因此，快速晶閘管的抗干擾能力較好。
快速晶閘管的生產和應用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千餘伏，關斷時間僅為20微妙的大功率快速晶閘管，同時還做出了最高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產品廣泛應用於大功率直流開關、大功率中頻感應加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達調制器及直流電動車輛調速等領域。 以往的城市電車和地鐵機車為了便於調速採用直流供電，用直流開關動作增加或減小電路電阻，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動和加速。開關體積大、壽命短，而且低速運行時耗電大（減速時消耗在啟動電阻上）等缺點。自有了逆導晶閘管，採用了逆導晶閘管控制、調節車速，不僅克服了上述缺點，而且還降低了功耗，提高了機車可靠性。

逆導晶閘管是在普通晶閘管上反向並聯一隻二極體而成（同做在一個矽片上。它的等效電路和符號如圖1所示。它的特點是能反向導通大電流。由於它的陽極和陰極接入反向並聯的二極體，可對電感負載關斷時產生的大電流、高電壓進行快速釋放。
目前已經能生產出耐壓達到1500～2500V正向電流達400A。吸收電流達150A，關斷時間小於30微秒的逆導晶閘管。 （Gate Turn-Off Thyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。
前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發之後，撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低於維持電流IH，或施以反向電壓強迫關斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和雜訊。可關斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已廣泛用於斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。
可關斷晶閘管也屬於PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都製成模塊形式。
盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由於普通晶閘管在導通之後即處於深度飽和狀態，而GTO在導通後只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等於陽極最大可關斷電流IATM與門極最大負向電流IGM之比，有公式
βoff =IATM/IGM
βoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛 的hFE參數頗有相似之處。
下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。
判定GTO的電極
將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，僅當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負極相連） 光控晶閘管（Light Triggered Thyristor——LTT），又稱光觸發晶閘管。國內也稱GK型光開關管，是一種光敏器件。
1．光控晶閘管的結構
通常晶閘管有三個電極：控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由於其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）。但它的結構與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構成。
從外形上看，光控晶閘管亦有受光窗口，還有兩條管腳和殼體，酷似光電二極體。
2．光控晶閘管的工作原理
當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路。
可推算出下式：
Ia = Il / [1-（a1+a2）]
式中， Il為光電二極體的光電流；Ia為光控晶閘管陽極電流，即光控晶閘管的輸出電流；a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數。
由上式可知，Ia與Il成正比，即當光電二極體的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應增大，同時Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數a1、a2也增大。當al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達到最大，即完全導通。能使光控晶閘管導通的最小光照度，稱其為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經觸發，即成通導狀態。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成為通導狀態，而後即使撤離光源也能維持導通，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關閉。
3．光控晶閘管的特性
為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發導通，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制，在目前的條件下，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。
光控晶閘管除了觸發信號不同以外，其它特性基本與普通晶閘管是相同的，因此在使用時可按照普通晶閘管選擇，只要注意它是光控這個特點就行了。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求，即有選擇性。波長在0.8——0.9um的紅外線及波長在1um左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源。

9. 請問在電氣控制方面的一些符號含義，比如SCR表示晶閘管。等一些相關符號

電氣來設自備的文字元號
http://www.dgzj.cn/wjbh/dqfh.htm