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电路光刻胶

发布时间:2021-02-13 17:55:14

Ⅰ 为什么光刻加工工艺 要使用 光刻胶

光刻胶相来当于照相机源的胶卷,没有光刻胶图形无法复制到衬底上。也就无从谈制作任何电路了。光刻胶分为正和负光刻胶,见光后溶于显影剂的是正光刻胶,反之见光不溶为负。
光刻工艺是:wafer-粘结-光刻胶-烘干-曝光-烘焙-显影-烘干-检测
显而易见,所有的工艺都是围绕光刻胶成图案而做的。

Ⅱ 光刻胶~~光刻胶的概念是什么

光刻胶
photoresist

又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增
感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液
体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化
反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合
性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部
分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。
光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制
版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学
反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照
后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不
可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这
种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的
电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为
三种类型。①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生
成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚
合物,具有形成正像的特点。②光分解型,采用含有叠
氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由
油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。③光交联型,采
用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其
分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成
一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典
型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。
感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会限
制分辨率(见感光材料)的提高。为进一步提高分辨率
以满足超大规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更
短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外
(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,X射线刻蚀
胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1□m以下。

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光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子最外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物,基态与激励态的能量差为3~6eV,相当于该能量差的光(即波长为0.2~0.4μm的光)被有机物强烈吸收,使在化学键合中起作用的电子转入激励态。化学键合在受到这种激励时,或者分离或者改变键合对象,发生化学变化。电子束、X射线及离子束(即被加速的粒子)注入物质后,因与物质具有的电子相互作用,能量逐渐消失。电子束失去的能量转移到物质的电子中,因此生成激励状态的电子或二次电子或离子。这些电子或离子均可诱发光刻胶的化学反应。

Ⅲ (8分)光刻胶是大规模集成电路、印刷电路板和激光制版技术中的关键材料。某一肉桂酸型光刻胶的主要成分A

(1)
(4)酸性(与氢氧化钠、碳酸氢钠反应)、不回饱和性 (与溴水答、H 2 、酸性KMnO 4 溶液反应)(2分)

Ⅳ 光刻胶的作用

光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂,是以智能管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚肉桂酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的KPR为代表,后者以OMR系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以重氮醌为感光化合物,以酚醛树脂为基体材料。最常用的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
gkjyy.jpg
光刻胶的特点
1、在光的照射下溶解速率发生变化,利用曝光区与非曝光区的溶解速率差来实现图形的转移;
2、溶解抑制/溶解促进共同作用;
3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;
光刻胶的主要技术参数
1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力,一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
2、对比度:指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
3、敏感度:光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长的最小能量值(或最小曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。
4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。
5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。
7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
8、存储和传送:能量可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
光刻胶的主要作用
1、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层;
2、在后续工序中,保护下面的材料(刻蚀或离子注入)。

Ⅳ 光刻胶的作用原理和用途

光刻胶的作用原复理和用途制
光刻胶的作用是通过紫外光的照射,使光刻胶固化,用溶剂洗掉未固化的树脂,然后将无树脂地方的铜板腐蚀掉,形成电路。光刻胶又叫做电子油墨,其成分包括光固化树脂和热固化树脂。光固化树脂可以和紫外光作用固化,从而避免被溶剂洗掉,热固化树脂可以通过加热进一步固化,完全固化后的树脂,可以对电炉起良好的保护作用。

Ⅵ 光刻胶应用于很多领域,那么led用的和lcd用的,还有集成电路用的,触摸屏用的,都有什么区别呢

最主要是根据关键尺寸选择不同种类的光刻胶,主要区别就是分辨率不一样。

Ⅶ 光刻胶的分类

光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶内和正性胶两类容。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。 液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力(Surface Tension),使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

Ⅷ 光刻胶是大规模集成电路印刷电路版技术中的关键材料,某一光刻胶的主要成分如图所示,下列有关说法正确的

A.由结构简式可知,发生加聚反应生成高分子,单体为CH2=CHOOCCH=CHC6H5,其分子式为C11H10O2,故版A正确;
B.C=C及苯环均与氢权气发生加成反应,则1mol该物质可消耗4nmolH2,故B错误;
C.含-COOC-,在碱性溶液中发生水解,不能稳定存在,故C错误;
D.由高分子的主链只有2个C可知,发生加聚反应,故D错误;
故选A.

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