共发射极放大电路实验

⑴ 急需单管共发射极放大电路的动态测量值表格数据

一．实验目的 1．对晶体三极管(3DG6、9013)、场效应管（3DJ6G）进行实物识别，了解它们的命名方法和主要技术指标。 2．学习用数字万用表、模拟万用表对三极管进行测试的方法。 3．用图3-10提供的电路，对三极管的β值进行测试。 4．学习共射、共集电极（*）、共基极放大电路静态工作点的测量与调整，以及参数选取方法，研究静态工作点对放大电路动态性能的影响。 5．学习放大电路动态参数（电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大不失真输出电压）的测量方法。 6. 调节CE电路相关参数，用示波器观测输出波形，对饱和失真和截止失真的情况进行研究。 7．用Multisim软件完成对共射极、共集电极、共基极放大电路性能的分析，学习放大电路静态工作点的测试及调整方法，观察测定电路参数变化对放大电路的静态工作点、电压放大倍数及输出电压波形的影响。加深对共射极、共集电极、共基极基本放大电路放大特性的理解。 二．知识要点 1．半导体三极管 半导体三极管是组成放大电路的核心器件，是集成电路的组成元件，在电路中主要用于电流放大、开关控制或与其他元器件组成特殊电路等。 半导体三极管的种类较多，按制造材料不同有硅管、锗管、砷化镓管、磷化镓管等；...

⑵ 共射共集放大电路实验的这两个思考题怎么答

1.Ro=[（Vo-VoL）*RL]/VoL是根据VoL=【RL/（Ro+RL）】Vo推导出来的，与RL的大小没有关系。
2.射极输出器除了隔离，电流放大外，还有个类似变压器阻抗变换的作用，在输出端接个小电阻，从输入端看，则是很大的电阻。这样相对于前级共发射极放大电路来说，负载电阻增大了，自然它的增益就高了，输出电压就高了。

⑶ 晶体管共射极单管放大器实验的结论是什么

基极电流和集电极电流之和等于发射极电流；基极电流和发射极电流有一定的正比关系，也就是二者的电流大小的比值在一定范围内不变，也就是基极小的电流变化，在发射极就能有大的电流变化。

基极开路时，Iceo非常小，这个值越小越好。要使晶体管能够处于放大状态，必须是发射结正偏，集电结反偏。

由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

(3)共发射极放大电路实验扩展阅读：

改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。

与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。

以硅材料为基础的金属0-氧化物-半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET ）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。

⑷ 共发射极单管放大电路参数测试仿真实验，截止失真和饱和失真的波形有何不同

共发射极单管放大电路参数测试仿真实验，截止失真和饱和失真的波形不同是：静态工作点Q较高时，输出易进入饱和区，输出波形将出现下削波；Q点设置较低时，输出又易进截止区，输出波形则出现上削顶。显然无论是上削顶还是下削顶，都造成了输出波形的失真，为消除这些失真，应将Q点下移或上移。上、下削波同时出现时，说明静态工作点设置的比较合理，只是输入信号太强不能完全通过，应减小输入信号。
放大电路（amplification circuit）能够将一个微弱的交流小信号（叠加在直流工作点上），通过一个装置（核心为三极管、场效应管），得到一个波形相似（不失真），但幅值却大很多的交流大信号的输出。实际的放大电路通常是由信号源、晶体三极管构成的放大器及负载组成。

⑸ 模拟电路实验（晶体管共射极单管放大器）

1.因为晶体管共发射极放大电路属于音频放大电路，或者叫做低频放大电路，这种电路的内频率特性是对容于50HZ-20000HZ之间的频率信号有正常的放大作用。在这个频带以外的频率不能正常放大。或者失去放大作用。1KHZ是音频的中间频率，用这个频率的信号既代表了信号的主要特点有能使放大器工作在正常范围。
信号大小的选择：在几十毫伏--100毫伏之间。
2.单级放大器的放大倍数通常在几倍到几十倍之间，因为三极管的电流放大系数通常在几十倍，所以不可能达到10000倍。出现几倍的情况也属于正常，因为三极管的β低。