薄膜集成电路

❶ 厚薄膜集成电路与半导体集成电路的区别

厚薄膜集成电路是将整个电路的晶体管或半导体集成电路芯片 、二极管、电专阻、电容 电阻器属和电感等元件以及它们之间的互连引线，组装成一块完整的电路块。集成在一个封装内。而半导体集成电路是纯粹的半导体集成电路芯片独立封装在一个外壳中。它也可以有电阻和小容量的电容。但是电感和大电容一般不容易集成在小小的硅片上。

❷ 关于薄膜集成电路

薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件,即晶体管,有两种材料结构形式:一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管,另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺,即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式,就可以组装成一块完整的集成电路
厚膜集成电路是在陶瓷片或玻璃等绝缘物体上,外加晶体二极管、晶体管、电阻器或半导体集成电路等元器件构成的集成电路,一般用在电视机的开关电源电路中或音响系统的功率放大电路中。部分彩色电视机的伴音电路和末级视放电路也使用厚膜集成电路。
1.电源厚膜集成电路
开关电源电路使用的厚膜集成电路主要用于脉冲宽度控制、稳压控制及开关振荡等。
自激式开关电源电路常用的厚膜集成电路有STR-S6308、STR-S6309、STR-S5941、STR59041等型号。它激式开关电源电路中常用的厚膜集成电路有STR-S6708、STR-S6709等型号。图9-2是STR-S6309和STR-S6709的内电路框图。
2.音频功放厚膜集成电路
音频功放集成电路的主要作用是对输入的音频信号进行功率放大,推动扬声器发声。
常用的音频功放厚膜集成电路有STK4803、STK4042、STK4171、STK4191、STK4152、STK4843、STK3048A、STK6153等型号。图9-3是STK4191的内电路框图。
市场上流行的“傻瓜”型厚膜集成电路也称功率模块,是将半导体功放集成电路及其外外围的电阻器、电容器、电感器等元器件封装在一起构成的,常用的有皇后AMP1200、傻瓜175及超级傻瓜D-100、D-150、D-200等型号。这种厚膜集成电路只要接通音源、电源和扬声器即可工作,不用外加其它元器件。

❸ 薄膜集成电路的薄膜材料

在薄膜电路中主要有四种薄膜：导电、电阻、介质和绝缘薄膜。导电薄膜用作互连线、焊接区和电容器极板。电阻薄膜形成各种微型电阻。介质薄膜是各种微型电容器的介质层。绝缘薄膜用作交叉导体的绝缘和薄膜电路的保护层。各种薄膜的作用不同，所以对它们的要求和使用的材料也不相同。
对导电薄膜的要求除了经济性能外，主要是导电率大，附着牢靠，可焊性好和稳定性高。因尚无一种材料能完全满足这些要求，所以必须采用多层结构。常用的是二至四层结构，如铬-金（Cr-Au）、镍铬-金（Ni Cr-Au）、钛-铂-金（Ti-Pt-Au）、钛-钯-金（Ti-Pd-Au）、钛-铜-金（Ti-Cu-Au）、铬-铜-铬-金（Cr-Cu-Cr-Au）等。
微型电容器的极板对导电薄膜的要求略有不同，常用铝或钽作电容器的下极板，铝或金作上极板。
对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳定性能好。最常用的是铬硅系和钽基系。在铬硅系中有镍-铬(Ni-Cr)、铬-钴（Cr-Co）、镍-铬-硅（Ni-Cr-Si）、铬-硅（Cr-Si）、铬-氧化硅(Cr-SiO)、镍铬-二氧化硅（NiCr－ ）。属于钽基系的有钽（Ta）、氮化钽（Ta2N）、钽-铝-氮（Ta－Al－N）、 钽-硅（Ta-Si）、钽-氧-氮（Ta-O-N）、钽-硅-氧（Ta-Si-O）等。
对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小,用得最多的仍是硅系和钽系。即氧化硅（SiO）、二氧化硅、氧化钽和它们的双层复合结构： -SiO和 -SiO2。有时还用氧化钇，氧化铪和钛酸钡等。
为了减小薄膜网路中的寄生效应，绝缘薄膜的介电常数应该很小,因而采用氧化硅（SiO）、二氧化硅、氮化硼（BN）、氮化铝（AlN）、氮化硅等，适合于微波电路。