❶ igbt驱动IGBT驱动电路中栅极电阻Rg的作用及选取方法
IGBT驱动电路中栅极电阻Rg的作用及选取方法如下：
作用： 消除栅极振荡：由于IGBT和MOSFET的栅极电路具有容性和寄生电感特性，若无Rg，驱动脉冲可能会引发强烈振荡。串联Rg可以迅速衰减这种振荡，确保电路的稳定运行。 减少驱动器功率损耗：无功元件如电容和电感若无Rg吸收，大部分功率将消耗在驱动器内部，导致驱动器过热。Rg的存在能平衡驱动速度和功率损耗，确保开关器件工作在最优状态。
选取方法： 参考制造商推荐值：根据IGBT的额定电流，电阻值在一定范围内变化。例如，额定电流50A的IGBT，其Rg阻值范围通常在10到20欧姆之间。 功率选择：栅极电阻的功率选择应至少是栅极驱动功率的两倍。使用特定驱动器时，需计算栅极电阻功率后选取合适的电阻，如推荐选取2W的电阻。 注意栅极回路电感：在设置Rg时，应尽量减少栅极回路电感，如缩短引线、绞合引线、靠近IGBT放置驱动器等。 开通和关断电阻值的考虑：IGBT开通和关断时可能需要不同的Rg值。有些驱动器需要分别接Rgon和Rgoff，而有些则需要并联电阻和二极管网络以调节速度。 额外保护电阻Rge：为了防止未接驱动时的高压损害，有时会在栅射极间接上10到100千欧姆的Rge。用户需根据具体情况考虑是否额外添加，以确保IGBT或MOSFET的安全。尽管一些驱动板已有Rge，但额外添加可提供额外的保护层。
综上所述，栅极电阻Rg在IGBT驱动电路中起着至关重要的作用，其选取需综合考虑多个因素以确保电路的稳定性和安全性。
❷ IGBT驱动电路分析
只要VCC和VEE的电压正确就不用担心A314J的VO端子输出电压不足（但事实上这个电路中VEE电压是版0V）。C18 C19 是VCC和VEE的储能电权容，D3 D4 是限制输出电压不高于VCC和不低于VEE的，R16 是驱动导通Q6 的限流电阻（阻值是根据IGBT的GE结电容大小和盲区时间来设定的），D7 是为了能迅速防掉IGBT的GE结电容中的电荷强制控制IGBT快速关断。C22 R20是用来抑制关断速度过快使IGBT内部寄生电感释放出极高的尖峰电压的。