1. DDR和晶圆有什么区别
DDR和晶圆是两个不同的概念，它们在电子产业中具有完全不同的作用和意义。
DDR，全称双倍速率同步动态随机存储器，是一种内存名称。在计算机或其它电子设备中，内存是用于临时存储数据和指令的硬件，可以由CPU直接寻址。DDR作为内存的一种，其独特的特点在于它在一个时钟周期内可以传输两次数据，这使得它在相同的总线频率下可以达到更高的数据传输率。晶圆，也称为切片或基板，是半导体的薄片，通常用于制造集成电路和太阳能电池。在制造集成电路时，晶圆被用作内置于晶圆内和晶圆上的微电子设备的基板，这些设备经历了微加工过程，如掺杂、离子注入、蚀刻、各种材料的薄膜沉积和光刻图案化。最后，单个微电路通过晶圆切割分离并封装为集成电路。在光伏器件中，晶圆用于制造太阳能电池。晶圆的尺寸和厚度可以根据实际应用需要进行调整，电子产品使用的晶圆尺寸从100到450毫米不等。总的来说，DDR和晶圆是完全不同的概念，DDR是计算机内存的一种形式，而晶圆则是用于制造半导体集成电路和太阳能电池的薄片。
2. 在DDR的PCB布线中提到，数据线可以分组等长，各组之间可以不等长，那怎样保证32位数据的时序呢
1、DDR的地址和控制信号线为一组，和DDR 的CLK的布线长度相差不超过400mil,信号线之间间隔10mil-15mil，宽度一般为5mil。
2、数据信号线为一组（包括DQ,DQS,DM）DQ,DM和DQS长度相差不超过200mil,DQS和CLK线长相差不超过400mil；从上面可以看出各组和作为参考信号线的时钟信号线长度，基本要保持一致，最大不超过600mil,也就是说，实际上布线的时候各组还是要求等长的。