⑴ 请问这个光线检测电路中的元件作用和原理
1，线路一共三部分组成，电压跟随+差分放大+电压调整输出
2，U1A，U1B是电压跟随器，提高输内入阻抗容，增强驱动输出能力
3，U1C是差分放大，放大倍数是10倍，反馈电阻R2/输入电阻R1
4，U1D电压输出调整，通过电位器R12调节电压，U2A跟随器驱动，设置参考点电压
从而实现是输出电压调整例如输入电压0.4-1V 可以设计调整到0-5V电压变化。具体
可以参考TI 有一本Op AMP里面有详细公式讲解
⑵ 怎样设计一个电路测试光耦的好坏
用DC5V电源，经过一个电阻衰减，一个按键，接入光耦输入其中一端，另一端接地，光耦输出端一端经上拉电阻接+5V,另一端接LED显示，LED-接地即可。
检测：
1、比较法拆下怀疑有问题的光耦，用万用表测量其内部二极管、三极管的正反向电阻值，用其与好的光耦对应脚的测量值进行比较，若阻值相差较大，则说明光耦已损坏。
2、数字万用表检测法下面以EL817光耦检测为例来说明数字万用表检测的方法。检测时将光耦内接二极管的＋端{1}脚和－端{2}脚分别插入数字万用表的Hfe 的c、e插孔内，此时数字万用表应置于NPN挡；然后将光耦内接光电三极管C极{5}脚接指针式万用表的黑表笔，e极{4}脚接红表笔，并将指针式万用表拨在RX1k挡。这样就能通过指针式万用表指针的偏转角度——实际上是光电流的变化，来判断光耦的情况。指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。
3、光电效应判断法仍以EL817光耦合器的检测为例，检测电路如图2所示。将万用表置于RX1k电阻挡，两表笔分别接在光耦的输出端{4}、{5}脚；然后用一节1．5V的电池与一只50～100Ω的电阻串接后，电池的正极端接EL817的{1}脚，负极端碰接{2}脚，或者正极端碰接{1}脚，负极端接{2}脚，这时观察接在输出端万用表的指针偏转情况。如果指针摆动，说明光耦是好的，如果不摆动，则说明光耦已损坏。万用表指针摆动偏转角度越大，表明光电转换灵敏度越高。
⑶ 利用光电管设计一套检测光强的检测电路，并简单描述出电路的功能
一、这里的电桥的四个桥臂分别是
FET
R2
Rw的中心滑动端以上的电阻
Rw的中心滑动端以下的电阻和R3
二、FET是场效应管
三、在光照下，光敏二极管导通，因此A点的电压会下降，由于A点电压就是场效应管的栅极电压，栅极电压下降会使场效应管的导通程度下降，导通沟道电阻增加，这就是R2上电流减小的原因。由于场效应管栅极和源极之间的电阻极大，几乎等于绝缘状态，所以A点和B点之间没有电流流过。流过R2的电流来自场效应管的漏极。无论光照强度大小有无，R2只要有电流，都是从电源E正极经开关K、场效应管漏极、场效应管源极、R2，然后再返回电源E的负极。