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功率选通电路

发布时间:2024-03-29 21:39:13

⑴ 串并联电路中电功率的关系

串并联电路中电功率的关系
串并联电路中电功率的关系电功率特点
串联:
1、串联电路的总功率等于各段电路的功率之和。
2、各段电路的电功率跟各段电路的电阻成正比。P1:P2=R1:R2
并联:
1、并联电路的总功率等于各支路的功率之和.。
2、各支路的电功率跟各支路的电阻成反比。P1:P2=R2:R1
串并联电路中电功率的计算功率:P=U*I=I2R=U2/R
串联电路:
电流I处处相等
P=P1+P2=(U1+U2)*I=I2(R1+R2)=U2/(R1+R2)
P1=U1*I,P2=U2*I,所以:P1/P2=U1*I/U2*I=U1/U2
又P1=I2R1,P2=I2R2,所以:P1/P2=I2R1/I2R2=R1/R2
即:P1/P2=U1/U2=R1/R2
并联电路:
电压U处处相等,总电阻为:(R1*R2)/(R1+R2)
P=P1+P2=U*(I1+I2)=(I1+I2)2(R1*R2)/(R1+R2)=U2/[(R1*R2)/(R1+R2)]
P1=U*I1,P2=U*I2,所以:P1/P2=U*I1/U*I2=I1/I2
又P1=U2/R1,P2=U2/R2,所以:P1/P2=(U2/R1)/(U2/R2)=R2/R1
即:P1/P2=I1/I2=R2/R1.。
串并联电路电阻与电功率的关系?串联电路,总电阻等于每个电阻的和。
并联电路,总电阻等于每个电阻的倒数和的倒数。
串联和并联电路中电功率的关系?电功率特点1、串联电路的总功率等于各段电路的功率之和。2、各段电路的电功率跟各段电路的电阻成正比。P1:P2=R1:R21、并联电路的总功率等于各支路的功率之和。2、各支路的电功率跟各支路的电阻成反比。P1:P2=R2:R1
串并联电路中电流电压电阻电功率相互的关系具体公式详列:I=U/RP=UIW=PTW=UITQ=I??RTP=I??RP=U??/R串并联电路:1电阻一定时:电流越大,电压越大,电功率越大,灯泡亮度越亮、、反之则反2电压一定时:电流越大,电功率大,电阻越小,灯泡亮度越亮、、反之则反3电流一定时:电压越大,电功率大,电阻越小,灯泡亮度越亮、、反之则反以下网络:串联(I不变):R1/R2=U1/U2=P1/P2=W1/W2
(通电时间相同时=W1/W2,但串联通电时间相同W=UIt)
并联(U不变):R2/R1=I1/I2=P1/P2=W1/W2
本人不是这么看懂您的问题,,所以就先这样回答了。谢谢
串并联电路中电压和电功率有什么关系是两个用电器对比还是一个用电器?
如果是两个对比。
串联实际功率与电压成正比,并联电压一样,与电流成正比。

根据串并联电路的特点
在串联电路中各用电器的电流相等,各用电器的功率与其电压成正比P=UI。
在并联电路中各用电器的电压相等,各用电器的功率与其电流成正比P=UI。
如果是纯电阻电路,在串联电路中,U=IR,各用电器的功率与其电阻成正比P=I~2R
在并联电路中各用电器的功率与其电阻成正比P=U~2/R
串并联电器中电压和电功率之间的关系是:串联电路中电压与电功率成正比关系,并联电路中电压与电功率没有关系。解释如下:
根据欧姆定律可知串联电路的特性是:各分支电路中的电流与总电路电流相等。即是:I总=I支;再根据电功率的知识P=UI,其中P表示电功率,U表示电压,I表示电流;当I不变时,电功率P是随着电压的升高而增加,随着电压的降低而减少;因此是成正比的关系。
根据欧姆定律可知并联电路的特性是:各分支电路中的电压与总电路电压相等。即是:U总=U支;再再根据电功率的知识P=UI,当电压固定不变时,是电流的变化会影响电功率的变化,但是由于电压是不变值,因此就不会对电功率产生影响,也就没有直接的关系。

串并联电路的电功率1.如果两个灯泡的额定电压相对且电路电压是灯泡的额定电压,那么在并联电路中电功率可直接相加,因为并联电路电压处处相等;而如果不是额定电压则要算出在这个电压下用电器的电功率再相加;串联电路的电压因为不相等所以也要算出电功率再相加。
2.如果是用电器的额定电压相对且电路电压是灯泡的额定电压,那么在并联电路中用电器越多,电功率越大;如果不是额定电压,则要算出电功率然后相加再比较;而在串联电路中也要算出电功率相加再比较。
3.P1=P2因为并联电路电压处处相等所以电压(U)不变,而用电器的电阻(R)是定值,不发生改变,所以根据I=U/R,U、R不变所以I不变,再根据P=UIU、I不变所以P不变,所以P1=P2
串并联电路中电流电压电阻电功率等……比值关系串联电路:U1/U2=R1/R2,W1/W2=R1/R2,P1/P2R1/R2,Q1/Q2=R1/R2
并联电路:I1/I2=R2/R1,W1/W2=R2/R1,P1/P2=R2/R1,Q1/Q2=R2/R1

⑵ 请问多大的功率,多大的电流,选用多大的开关,怎么选择,怎么计算。再就是电缆的平数选用怎么算。

功率=电压*电流
一般的开关主要参数只有电流,比如16A或者40A等,根据你需要控制的电路容量选择不同的开关,一般要容量一定要赋予些,达到不超过开关容量75%为好。
比如要控制一个1500W的热水器(1500W家用里面算是大的了,一般不超过1200W),计算方法:功率/电压=电流,1500除以220=6.8A,选用10A的开关即可。
电缆的平方数为截面积,单位为平方毫米,比如一个100米圆形铜芯电缆,卡尺测量直径为2.5毫米(就是常说的2.5平方电线),则截面积为:圆周率*半径*半径,则为3.14*1.25*1.25=4.9平方毫米。
铜的电阻率和电导率为2.82*10(-8次方)和3.55*10(7次方),通过电流为:

电压=电阻率*长度/截面积*电流,则1.333*100/4.9*电流=220 通过计算电流约为8.087A,接1500W的热水器问题不大(这也是为什么家用的大多都是2.5平方的电缆),但是如果有一个2000W的用电器,电流达到9A,用这个2.5平方的电线会导致发热,电缆温度越高电阻越高,则温度更高,最后产生事故。

有些大功率空调要求16A电流的电缆就是因为普通2.5平方的容量达不到,根据计算需要5平方毫米才能达到,但是5平方毫米的线比较贵,一般电工布线用两根2.5平方毫米的并接起来就可以达到约19A的容量。

我把公式都算好了,给你多算几个平方的流通电流吧:
1 0.78539815 A
2 3.1415926 A
3 7.06858335 A
4 12.5663704 A
5 19.63495375 A
6 28.2743334 A
7 38.48450935 A
8 50.2654816 A
9 63.61725015 A
10 78.539815 A

最后,因为生产工艺和铜的纯度不同,往往导致质量下降,所以家用尽量让容量富裕些,不要太紧张,因为国产质量大多不好,你应该懂。

⑶ 如何选择最适合的MOS管驱动电路

1、管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。

2、MOS管导通特性

导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

3、MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4、MOS管驱动

跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。

MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。

5、MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动。

5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析

在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:

(1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。

(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。

(5)根据情况施加隔离。

⑷ 串联电路和并联电路的总功率怎么算

串联电路和并联电路的总功率都等于各功率之和

【电功率】 物理学名词,电流在单位时间内做的功叫做电功率。是用来表示消耗电能的快慢的物理量,用P表示,它的单位是瓦特(Watt),简称"瓦",符号是W。

【具体计算方法】
1.(1)电流与电功率和电压之间的关系:I=P/U,总功率等于各功率之和 P总=P1+P2.....+Px 或U^2/R1+R2.....+Rx;

(2)或者可以把所有电阻加起来,再用P=I*I *R进行计算。

2.(1)分别求各用电器功率,然后相加.即P=P1+P2+P3+;

(2)先求总电流(I=I1+I2+I3+.),再用公式P=UI求总功率;

(3)求总电阻(1/R=1/R1+1/R2+1/R3+.),再用公式P=I*I*R 或公式P=U*U/R求得总功率 。

⑸ 什么是选通电路

这要看你是什么信号了,低电压的模拟信号可以使用模拟开关,比如CD4066 数字信号可以使用三态门,比如74HC126。大功率的信号可以使用继电器。 如果速度要求不

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