Ⅰ 关于逻辑门电路的门限值VTH
CMOS门电路都是由NMOS和PMOS管组成。
以反向器为例.输入从0到电源电压的过程,输出会从电源电压到0.
在这个程中,输入和输出均为缓变.会出现NMOS管与PMOS管同时开启的情况。
可以认为有不定态.
但是对于反向器，与非,或非的翻转点只有一个.即无论上升,下降都在相同的电压出现翻转.
而对于施密特电路,它的上升与下降的翻转点不同。
这是由于在输入上升与下降过程中参与信号的通路不同造成的。
Ⅱ 逻辑门电路有哪些特性和参数,并给出参数的定义
主要有以下参数: 1、工作电源上下限 2、输入高低电平上下限 3、输出高低电平上下限 4、输入阻抗 5、输出阻抗。CMOS门电路由单极型MOS管构成的门电路称为Mos门电路。MOS电路具有制造工艺简单、功耗低、集成度高、电源电压使用范围宽、抗干扰能力强等优点，特别适用于大规模集成电路。MOS门电路按所用MOS管的不同可分为三种类型：第一种是由PMOS管构成的PMOS门电路，其工作速度较低；第二种是由NMOS管构成的NMOS门电路，工作速度比PMOS电路要高，但比不上TTL电路；第三种是由PMOS管和NMOS管两种管子共同组成的互补型电路，称为CMOS电路，CMOS电路的优点突出，其静态功耗极低，抗干扰能力强，工作稳定可靠且开关速度也大大高于NMOS和PMOS电路，故得到了广泛应用。MOS管主要参数1、开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2、直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3、漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿，（2）漏源极间的穿通击穿。
Ⅲ 常用逻辑门电路的真值表如表1所示，写出 F 1 、 F 2 、 F 3的逻辑表达式
先列出真值来表： A B C F 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 根据真源值表中F为1的项,列写出F的逻辑表达式为： F=(A非)(B非)(C非)+ABC 根据真值表可以发现,当ABC逻辑相同的时候,F为真,否则F为假, 所以可认定该电路的逻辑功能是判断ABC的逻辑是否相同. 改用与非门设计： 1.先分别用三个2输入与非门,让A,B,C分别与1 作 “与非”得到 A非,B非,C非 2.再用两个3输入与非门,一个输入A,B,C得到（ABC）非,另一个输入A非,B非,C非得到（A非B非C非）非 3.将第二步的两个结果进行“与非”即得到F的表达式我这个方法肯定正确但不一定是最简单的设计哈~ 望我的回答对你有所帮助~