『壹』 cmos集成电路的主要特点有哪些
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconctor），互补金属氧化物半导体，
电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconctor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated CIRcuit）。
CMOS集成电路的性能特点
微直流功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电压的
“1”为VDD，逻辑“0”为VSS。
高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。
高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。
低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。
宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为 - 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。
所有的输入均有删保护电路，良好的抗辐照特性等。
JEDEC最低工业标准
JEDEC最低标准是电子工业协会（EIA）联合电子器件工程委员会（JEDEC）主持下制定的CMOS集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为
JEDEC制定的CMOS集成电路的最大额定范围：
电源电压 VDD~VSS 18 ~ -0.5V(DC)
直流输入电流 IIN 10 mA(DC)
输入电压 VSS ≤VI ≤ VDD+0.5V(DC)
器件功耗 PD 200mw
工作温度范围 T -55~125(陶封)，-40~85（塑封）ºC
存储温度范围 TSTG -65 ~ 150 ºC
输入/输出信号规则
所有的CMOS电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容（≥500PF）时等效于输出短路的情况。CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。
『贰』 什么是cmos电路
指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间看，要么PMOS导通，要么NMOS导通，要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。
『叁』 集成电路工艺中的TTL和CMOS分别是什么全拼是什么
TTL：Transistor-Transistor Logic，晶体管-晶体管逻辑
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconctor，互补金属氧化物半导体