㈠ 电力电子器件的缓冲电路有哪些主要作用
1、 缓冲电路的作用与基本类型
电力电子器件的缓冲电路(snubber circuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。
晶闸管开通时，为了防止过大的电流上升率而烧坏器件，往往在主电路中串入一个扼流电感，以限制过大的di/dt，串联电感及其配件组成了开通缓冲电路，或称串联缓冲电路。晶闸管关断时，电源电压突加在管子上，为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率，以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发，需要在晶闸管的两端并联一个RC网络，构成关断缓冲电路，或称并联缓冲电路。
GTR、GTO等全控型自关断器件在实际使用中都必须配用开通和关断缓冲电路;但其作用与晶闸管的缓冲电路有所不同，电路结构也有差别。主要原因是全控型器件的工作频率要比晶闸管高得多，因此开通与关断损耗是影响这种开关器件正常运行的重要因素之一。例如，GTR在动态开关过程中易产生二次击穿的现象，这种现象又与开关损耗直接相关。所以减少全控器件的开关损耗至关重要，缓冲电路的主要作用正是如此，也就是说GTR和功率MOSFET用缓冲电路抑制di/dt和/dt，主要是为了改变器件的开关轨迹，使开关损耗减少，进而使器件可靠地运行。
没有缓冲电路时GTR开关过程中集电极电压uCE和集电极电流iC的波形，开通和关断过程中都存在uCE和iC同时达到最大值的时刻;因此出现了瞬时的最大开关损耗功率Pon和Poff，从而危及器件的安全。所以，应采用开通和关断缓冲电路，抑制开通时的di/dt，降低关断时的/dt，使uCE和iC的最大值不会同时出现。
GTR开关过程中的uCE和iC的轨迹，其中轨迹1和2是没有缓冲电路的情况，开通时uCE由UCC(电源电压)经矩形轨迹降到0，相应地iC由0升到ICM;关断时iC由ICM经矩形轨迹降到0，相应地uCE由0升高到UCC。不但集电极电压和电流的最大值同时出现，而且电压和电流都有超调现象，这种情况下瞬时功耗很大，极易产生局部热点，导致GTR的二次击穿而损坏。加上缓冲电路后，uCE和iC的开通与关断轨迹分别如3和4所示，由可见，其轨迹不再是矩形，避免了两者同时出现最大值的情况，大大降低了开关损耗，并且最大程度地利用于GTR的电气性能。
GTR的开通缓冲电路用来限制导通时的di/dt，以免发生元件的过热点，而且它在GTR逆变器中还起着抑制贯穿短路电流的峰值及其di/dt的作用。GTO的关断缓冲电路不仅为限制GTO关断时再加电压的/dt及过电压，而且对降低GTO的关断损耗，使GTO发挥应有的关断能力，充分发挥它的负荷能力起重要作用。
IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于IGBT的工作频率可以高达30~50kHz;因此很小的电路电感就可能引起颇大的LdiC/dt，从而产生过电压，危及IGBT的安全。PWM逆变器中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。在iC下降过程中IGBT上出现了过电压，其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。
为开通时的uCE和iC波形，增长极快的iC出现了过电流尖峰iCP，当iCP回落到稳定值时，过大的电流下降率同样会引起元件上的过电压而须加以吸收。逆变器中IGBT开通时出现尖峰电流，其原因是由于在刚导通的IGBT负载电流上叠加了桥臂中互补管上反并联的续流二极管的反向恢复电流，所以在此二极管恢复阻断前，刚导通的IGBT上形成逆变桥臂的瞬时贯穿短路，使iC出现尖峰，为此需要串入抑流电感，即串联缓冲电路，或放大IGBT的容量。
综上所述，缓冲电路对于工作频率高的自关断器件，通过限压、限流、抑制di/dt和/dt，把开关损耗从器件内部转移到缓冲电路中去，然后再消耗到缓冲电路的电阻上，或者由缓冲电路设法再反馈到电源中去。此缓冲电路可分为两在类，前一种是能耗型缓冲电路，后一种是反馈型缓冲电路。能耗型缓冲电路简单，在电力电子器件的容量不太大，工作频率也不太高的场合下，这种电路应用很广泛。
㈡ "三态驱动缓冲电路" -组成原理 为了减轻总线负载，总线上的部件应通过三态驱动缓冲电路与总线连
三态驱动缓冲电路首先是一个俱备比较强驱动能力的电路，其次，它俱备一个使能端内，当使能无容效的时候，其输出端是高阻（HZ）状态。这样，其输出就俱备高、低、高阻三种状态。
对于总线，往往其上连接多个输入、输出端口，多输入问题不大，多输出就可能存在相互的竞争，导致逻辑混乱。
为解决多输出的竞争问题，有两个思路。其一是采用三态输出驱动，每个时刻最多只有一个输出是高或低的有效电平，其余输出全部是高阻态，这样可以避免逻辑竞争，但必须合理控制各输出驱动器的使能端；其二是采用OC门（集电极开路）或OD门（漏极开路），这两种门电路的特点是只有低电平是有效驱动，高电平需要外部上拉电阻驱动，采用这种结构的好处是不需要控制使能端，而且各输出端中的低电平输出占优势，相当于一个“与门”。
上述两种方案各有优缺点，总体来说，OC门输出的上拉电阻是个问题，阻值太大速度受影响，阻值太小驱动能力又受限制。所以，用三态门相对来说是个更好的方案。
㈢ 为什么要在CMOS逻辑门电路输入和输出端加保护和缓冲电路
《数字电子技术基础（第洞衫世2版）学习指导与解题指南》
另外，CMOS门电路输出的低电平也受输入端数目的影响纳肢。输入端数越多，则串联的NMOS管越多，输出的低电平电压也越高。为了避免经过多次串、并联后带来的电平平移和对输出特性的影响，实际的CMOS门电路常常引入反相器塌猜作为每个输入端和输出端的缓冲器，大大改善了CMOS门电路的电气特性（比如电压传输特性、输入特性、输出特性、动态特性等）。
㈣ 缓冲电路，什么是缓冲电路
缓冲电路（Snubber Circuit）又称为吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。[1] 在电力电子电路中，用于改进电力电子器件开通和关断时刻所承受的电压、电流波形。通常电力电子装置中的电力电子器件都工作于开关状态，器件的开通和关断都不是瞬时完成的。器件刚刚开通时，器件的等效阻抗大，如果器件电流很快上升，就会造成很大的开通损耗；同样器件接近完全关断时，器件的电流还比较大，如果器件承受的电压迅速上升，也会造成很大的关断损耗。开关损耗会导致器件的发热甚至损坏，对于功率晶体管(GTR),还可能导致器件的二次击穿。实际电力电子电路中，还常由于二极管、晶闸管等的反向恢复电流而增加电力电子器件的开通电流，由于感性负载或导线的分布电感等原因造成器件关断时承受很高的感应电压。采用缓冲电路可以改善电力电子器件的开关工作条件。 缓冲电路的基本工作原理是利用电感电流不能突变的特性抑制器件的电流上升率，利用电容电压不能突变的特性抑制器件的电压上升率。图示以GTO为例的一种简单的缓冲电路。其中L与GTO串联,以抑制GTO导通时的电流上升率dI/dt,电容C和二极管D组成关断吸收电路，抑制当GTO关断时端电压的上升率dV/dt，其中电阻R为电容C提供了放电通路。缓冲电路有多种形式，以适用于不同的器件和不同的电路
㈤ 电力电子电路中，缓冲电路和软开关电路有什么区别
二者的作用不同，目的不同
缓冲电路是为了避免在开通和关断电力电子器件的过程中出现过版大的电流和电压而权损坏电力电子器件，因为电力电子器件很昂贵而且很脆弱经不起过大的电流和电压，而
软开关电路是为了降低开通和关断电力电子器件造成的开关损耗，从而提高效率。实际中，由于很多电力电子电路采用PWM控制，从而使得电力电子器件开通和关断很频繁，而开通和关断是存在损耗的，如果不采取措施则损耗很大，造成整个电力电子装置的效率很低。