自举电路设计

A. 请问谁能具体讲解一下自举电路尽量通俗点，谢谢。

就讲你给的电路吧。
图中U64输出Y脚是周期性方波信号，高电平是5V，低电平是0V，
由D32、C710组成的是5V升到10V的自举电路 ，D32的1脚是5V，自举后，在D32的2脚（电容C722上电压）变成10V。
由D35、C715组成的是另一个自举电路，10V升到15V, D35的1脚也就是上一级自举电路的输出（D32的2脚），自举后，在D35的2脚（电容C719上电压）变成15V.
以D32、C710组成的5V升到10V的自举电路为例，讲一下自举的原理:
在U64输出Y脚为低电平的半周期，+5V电源通过D32给C710充电，使C710具有（右正左负）5V电压；
当U64输出Y脚为高电平的另一半周期来到，Y=5V，电容C710电压不能突变，C710右端电位也升高5V，变成10V,同时给C722充电，使电容C722上电压经过多次反复充电最后保持10V，完成了由5V变10V的自举。
同样地，楼主可以自己分析下面另一个自举电路，由D35、C715组成，从10V自举升到15V（电容C719的电压，+15V_ALWP)。
补充：要形成自举， C710 715左边必须是方波信号，或脉冲信号。如果保持高电平或低电平不变是不可能形成C710 715的循环冲放电的。不是说U64的第4脚有没有电压，而是应该理解为这一点的电压必须是高低交替变化的。
噢，是的，必须用示波器看，万用表是无法分辨方波信号的。

B. 自举电路应用的分析

参考IR2110芯片手册里的IC内部框图：网页链接

Q2导通把Vs拉低时，VCC通过二极管D1给C1充电，上正下负，即VB>Vb。这个自举（boost）电源VB就是驱动高端（High-Side）NMOS栅极的电源，如上框图。

之后，当需要驱动高端NMOS时，底下Q2会先截止，然后框图里最右上那个内部的NMOS导通，把VB加到外部Q1的栅极。因为VB始终会高于Vs，所以驱动NMOS是没问题的。