① 要期末考试了，求数字电路和物理试题及答案
学院还承担了22个本、专科专业的高等教育自学考试主考任务，目前自学考试主考物理化学、化工原理：电路、电子技术、电机学、单片机：电路分析、信号与
② 电子科技大学16年6月考试《电路设计与仿真》期末大作业
一
1、电阻起限流作用。如果去掉电阻，电源相当于输出短路，电流会很大，可能烧坏电源。
2、线性电源功率器件工作在放大区即线性状态。开关电源功率器件工作在饱和或截止区即开关状态。
线性电源精度好，纹波小，调整率好，对外干扰小，适用多种场合。开关电源的尺寸相比线性电源要小，效率高。但是开关电源有污染电网和幅射干扰的问题。
3、
（1）
Ui=10V
U(RL)=500Ω/(1kΩ+500Ω)*10V=3.3V
此时负载电压小于稳压管稳定电压，稳压管不导通。Uo=3.3V
Ui=15V
U(RL)=500Ω/(1kΩ+500Ω)*15V=5V
此时负载电压小于稳压管稳定电压，稳压管不导通。Uo=5V
Ui=35V
限流电阻电流I=(35V-6V)/1kΩ=29mA
负载电流IRL=6V/500Ω=12mA，
稳压管电流=29mA-12mA=17mA
Uo=6V
（2）负载开路时，稳压管电流=(35V-6V)/1kΩ=29mA
超出稳压管最大稳定电流，稳压管烧坏。
4、
（1）Ub=R2/(R1+R2)*VCC=15kΩ/(22kΩ+15kΩ)*9V=3.65V
IE=(Ub-Vbe)/RE=(3.65V-0.7v)/2kΩ=1.475mA
IC≈IE=1.475mA
Vce=VCC-IC(RC+RE)=9V-1.475*4V=3.1V
(2)Rbe=200Ω+（1+β）26/IE=200Ω+（1+100）26/1.475=1.98kΩ
Ri=R1//R2//Rbe=22kΩ//15kΩ//1.98kΩ=1.62kΩ
Ro≈RC=2kΩ
Av=-β（RC//RL）/Rbe=-100*1/1.98≈50
5
（1）输出端电压允许范围3-40V，所以Uomin=3V
UR=R1(R1+R2)*Uo=1.25V
Uo=1.25V*（R1+R2）/R1
所以R2最大时，Uo最大
Uomax=1.25V*（240Ω+3kΩ）/240Ω=16.875V
Uo的调节范围为3V-16.875V
（2）考虑W117压降，输入电压最小值大于输入出电压最小值3V，假设压降为1V，输入电压最小为4V
最大为40V
6、没用过
7、
8、
（1）转换速率（SR）是运放的一个重要指标，单位是V/μs。该指标越高，对信号的细节成分还原能力越强，否则会损失部分解析力。运放转换速率定义为，运放接成闭环条件下，将一个大信号（含阶跃信号）输入到运放的输入端，从运放的输出端测得运放的输出上升速率。由于在转换期间，运放的输入级处于开关状态，所以运放的反馈回路不起作用，也就是转换速率与闭环增益无关。
（2）单位增益带宽定义为，运放的闭环增益为1倍条件下，将一个频率可变恒幅正弦小信号输入到运放的输入端，随着输入信号频率不断变大，输出信号增益将不断减小，当从运放的输出端测得闭环电压增益下降3db（或是相当于运放输入信号的0.707）时，所对应的信号频率乘以闭环放大倍数1所得的增益带宽积。单位增益带宽是一个很重要的指标，对于正弦小信号放大时，单位增益带宽等于输入信号频率与该频率下的最大增益的乘积，换句话说，就是当知道要处理的信号频率和信号需要的增益后，可以计算出单位增益带宽，用以选择合适的运放。这用于小信号处理中运放选型。
（3）差模输入电阻是指输入差模信号时，运放的输入电阻。 为运放开环条件下，从两个差动输入端看进去的动态电阻。
9、
（1）Ui<R1/(R1+RF)*Uo时，Uo=比较器正输入电压
Ui>R1/(R1+RF)*Uo时，Uo=比较器负输入电压
此比较器相当于过零比较器，添加了一个R1/(R1+RF)*Uo的回差。
（2）Uo=+12V
Ui>R1/(R1+RF)*Uo=30/150*12V=2.4V
Uo变为-12V
Ui<R1/(R1+RF)*Uo=30/15*(-12V)=-2.4V
Uo变为+12V
10、
Vo1=-(Rf1/R1*Vi1+Rf1/R2*Vi2)
-Rf1/R1=3
-Rf1/R2=2
不知道是不是这个电路输入正负好像搞反了，这样计算R都是负值
③ 电路与电子技术复习资料
电子技术期末复习资料
（2010年春）
一、填空题
1、常用半导体材料是 和 ，其原子核最外层均有 个价电子。
2、PN结最主要的特性是 。
3、三级管的三个电极分别叫做 、 和 。
4、二极管实质上就是一个 ，P区引出端叫 ，N区引出端叫 。
5、三极管输出特性曲线可划分为 区、 区和 区。
6、硅管死区电压是 V，正向导通压降是 V。
7．本征半导体中的自由电子浓度___ ___空穴浓度。
8.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于___ ___。
9.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是____ __和___ ___。
10.晶体管能够放大的外部条件是发射结_________、集电结 。
11. 测得晶体管BCE三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为___ __ 。
12.场效应管的漏极电流是由 _____ ____ 的漂移运动形成。
13.集成运放是一种高增益的、 _________ 耦合的多级放大电路。
14. 放大电路中有反馈的含义是 ___ ____ 。
15. 根据反馈的极性，反馈可分为 _______ 反馈和 反馈。
16．一位十六进制数可以用 位二进制数来表示。
17. 当逻辑函数有n个变量时，共有 个变量取值组合。
18．三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可 。二、单项选择题
1、具有记忆功能的是（ ）。
a、与非门 b、异或门 c、加法器 d、触发器
2、下列逻辑定理错误的是（ ）。
a、aa=a b、a+1=a c、a+1=1 d、a+a=a
3、(1011001)2 = ( )
a、13 b、59 c、89 d、131
4、要求各项整流指标好，但不要逆变的小功率场合应采用（ ）电路。
a、单相全控桥 b、单相半控桥 c、三相半波 d、三相半控桥 6、三相半波可控整流电路各相触发脉冲相位差（ ）。
a、60° b、90° c、120° d、180°7、7、三相半控桥整流电路a = 0时脉动电压，最低脉动频率是（ ）。
a、2f b、3f c、4f d、6f
8、逻辑表达式a+ab等于（ ）。
a、a b、1+a c、1+b d、b
9、双稳态触发器原来处于“1”状态，想让它翻转为“0”态，可以采用触发方式是（ ）。
a、单边触发 b、多边触发 c、计数触发 d、负触发
10、在三相半波可控整流电路中，当负载为感性时，负载电感越大，其（ ）导通角越大。
a、输出电压越低 b、输出电压越高 c、输出电压恒定不变 d、输出电压不变
11、改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用（ ）。
a、变电阻 b、变电容 c、变电感 d、变电压
12、三相零式晶闸管可控硅整流电路每次每隔（ ）换流一次。
a、60° b、120° c、150° d、180°
13、集成运放输入端并接二个正反向二极管其作用是（ ）。
a、提高输入阴抗 b、过载保护 c、输入电压保护 d、电源电压保护
14、反相加法运算rf=100k，r1 i =50k r2 i =25k，其平衡电阻r’应是（ ）。
a、16.67 k b、1.67 k c、20k d、14.3k
15、集成运算电压跟随器应是（ ）。
a、af =1 b、af = ∞ c、af = 1 d、af = 0
16、集成运算微分器输出电压应等于（ ）。
a、rfci／dt b、－rfci／dt c、∫uidt rc d、－∫uidt rc
17、单相半波可控整流电路大电感负载，接有续流二极管，若a = 60° ilav=10a，则续流二极管中的电流有效值是（ ）。
a、10a√13 b、10a√12 c、10a√23 d、10a
18、共阴极单相半控桥整流电路给电动势e的蓄电池充电，晶闸管实际承受的最大正反向电压是（ ）。
a、2u2—e b、 2+e c、 2 d、e
19、三相全控桥接大电感负载时输出电流的波形是（ ）。
a、正弦波 b、断续波 c、连续近似直线 d、近似矩形波
20、三相半控桥整流电路，若为大电感负载a=900时，续流二极管每周期的导通角度为（ ）。
a、3χ300 b、3χ600 c、300 d、600
21.组合电路是由（ ）组成的。
a、存储电路 b、门电路 c、逻辑电路 d、数字电路
22.晶闸管由导通变为截止的条件是（ ）。
a、控制电压减小 b、控制电压反向 c、控制电压为零 d、阳极电压为零
23.( 51 )10 = ( )2
a、(1110011)2 b、(110011)2 c、( 001111)2 d、(1111000)2
24.要求各项整流指标较好，大功率高电压的场合应采用（ ）电路。
a、单相全控桥 b、三相半波 c、三相半控桥 d、三相全控桥
25.三相全控桥整流电路当控制角a = 00时，空载整流输出电压平均值为（ ）。
a、0.45 u2φ b、0.9 u2φ c、1.17 u2φ d、2.34 u2φ
26.三相半控桥整流电路a = 0时脉动电压，最低脉动频率是（ ）。
a、2f b、3f c、4f d、6f
27.三相半波可控整流电路各相触发脉冲相位差（ ）。
a、60° b、90° c、120° d、180°
28.双稳态触发脉冲过窄，将会使电路出现后果是（ ）。
a、空翻 b、正常翻转 c、触发不翻转 d、不定
29.“异或”门电路的逻辑功能表达式是（ ）。
a、a b c b、a+b+c c、a b+c b d、 b +
30.用于把矩形波脉冲变为尖脉冲的电路是（ ）。
a、r耦合电路 b、rc耦合电路 c、微分电路 d、积分电路
31.三相桥式晶闸管可控硅整流电路每次每隔（ ）换流一次。
a、60° b、120° c、150° d、180°
32.电感足够大的负载三相桥式晶闸管可控整流电路，当控制角a=90°时，直流输出平均电压为（ ）。
a、0.9 u2φ b、1.17 u2φ c、2.34 u2φ d、0 u2φ
33.反相加法运算集成电路，输出.输入电压关系为u0= －( 4u1i +2u2i ) ,当rf=100k时，r1i应是（ ）。
a、100k b、50k c、20k d、10k
34.集成运算反相器应是（ ）。
a、af =1 b、af = ∞ c、af = －1 d、af = 0
35.集成运算积分器应是（ ）。
a、u0 =∫uidt rc b、u0 = －∫uidt rc
c、u0 = rfci dt d、u0 = rfci dt
36.集成运算放大器为扩大输出电流可采用（ ）。
a、输出端加功率放大电路 b、输出端加电压放大电路
c、输出端加射极跟随器 d、输出端加三极管反相器
37.单相全控桥整流电路，按电阻性负载要求已设计安装调试完毕，今改接蓄电池负载，在输出电流不变的前提下则（ ）。
a、变压器容量需增大 b、晶闸管容量加大 c、两者容量都加大 d、两者容量可不变
38.三相桥式全控整流电路，同一相所接的两只晶闸管触发脉冲之间的相位差是（ ）。
a、60° b、120° c、150° d、180°
39．三相全控桥接大电感负载时，晶闸管的导通角为（ ）。
a、小于90° b、90° c、大于90° d、120°
40．晶闸管变流装置产生高次谐波的原因是（ ）。
a、周期性的非正弦波 b、变压器的漏抗 c、电感负载 d、电容负载三、简答题
1、为什么温度对二极管正向特性影响小，而对反向特性影响很大？
2、在数字系统中为什么要采用二进制？
3、双管直接耦合放大电路有什么优点？试说明其稳定工作点的原理。
4、什么是逻辑变量？什么是逻辑函数？它们与普通代数中的变量和函数有何异同？
5、三极管有哪三种工作状态，其特征分别是什么？
6、什么叫本征半导体和掺杂半导体？后者和前者相比有哪些特点？
四、计算题
请将下面逻辑表达式化简为最简与或表达式：
1）
2）Y=∑m(0. 2.3.5.6.7.)
3）
4）Y=∑m(0. 2.3.5.6.7.)
④ 吉大11春学期《电路电子技术》期末作业考核要求
一、（10分）求图1所示电路中的电压U。
图1
二、（10分）应用叠加定理求图示电路中电压 。
图2
三、（10分）图3所示示电路中开关闭合前电容无初始储能， 时开关S闭合，求 时的电容电压 。
图3
四、（20分）图4 所示放大电路中，三极管β=100，UBEQ=0.6V ，C1、C2、Ce可视为交流短路。
① 求静态工作点Q；
② 用等效电路法求电压增益Au=uo/ui、源电压增益Aus=uo/us；
③ 求输入电阻Ri、输出电阻Ro。
图4
五、（20分）恒流源式差动放大电路如题图5所示，已知三极管的UBE=0.7V，ß=50，rbb’=100Ω，稳压管的UZ=+6V，+VCC=+12V，–VEE=–12V，RB=5kΩ，RC=100kΩ，RE=53kΩ，RL=30kΩ。
① 求静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；
② 求差模电压放大倍数Aud；
③ 求差模输入电阻Rid与输出电阻Rod。
图5
六、（10分）试判断图6所示电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。若有交流负反馈，判断是何种组态，并求在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
图6
七、（10分）试求出图7所示电路的运算关系。
图7
八、（10分）在图8所示电路中，已知VCC＝15V，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，输入电压足够大。求解：
（1）最大不失真输出电压的有效值；
（2）最大输出功率Pom和效率η。
图8