静态门电路

㈠ 逻辑门电路有哪些特性和参数,并给出参数的定义

主要有以下参数: 1、工作电源上下限 2、输入高低电平上下限 3、输出高低电平上下限 4、输入阻抗 5、输出阻抗。CMOS门电路由单极型MOS管构成的门电路称为Mos门电路。MOS电路具有制造工艺简单、功耗低、集成度高、电源电压使用范围宽、抗干扰能力强等优点，特别适用于大规模集成电路。MOS门电路按所用MOS管的不同可分为三种类型：第一种是由PMOS管构成的PMOS门电路，其工作速度较低；第二种是由NMOS管构成的NMOS门电路，工作速度比PMOS电路要高，但比不上TTL电路；第三种是由PMOS管和NMOS管两种管子共同组成的互补型电路，称为CMOS电路，CMOS电路的优点突出，其静态功耗极低，抗干扰能力强，工作稳定可靠且开关速度也大大高于NMOS和PMOS电路，故得到了广泛应用。MOS管主要参数1、开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2、直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3、漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿，（2）漏源极间的穿通击穿。

㈡ TTL电路和CMOS电路的区别和联系

联系：CMOS电路与TTL电路通过电平转换能使两者电平域值能匹配。两者区别如下：

一、主体不同

1、TTL电路：是晶体管-晶体管逻辑电路。

2、CMOS电路：是互补型金属氧化物半导体电路。

二、特点不同

1、TTL电路：采用双极型工艺制造，具有高速度低功耗和品种多等特点。

2、CMOS电路：静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；逻辑摆幅大近似等于电源电压；抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右。

三、构成不同

1、TTL电路：采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。

2、CMOS电路：由绝缘场效应晶体管组成，由于只有一种载流子，因而是一种单极型晶体管集成电路，其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管

㈢ 什么是静态时的电流

静态工作点就是没有输入时仍然微导通的点。NPN三极管的导通条件是基级电版位大于发射权机电位。那么输入是0，基级电位是0，所以发射级电位必须是-UBEQ。我们平时说的三极管的UBEQ是默认发射极是接地的。

三极管的静态基极电位是Ubq由Vcc经电阻分压得到，可认为其基本上不受温度变化影响，比较稳定。当温度升高时，集电极电流Ic增大，发射极电流Ie也相应增大。发射极电位Ueq升高，三极管的发射结电压将降低，从而使静态基极电流下降，于是Ic也随之减小。这实际上是通过发射极电流的负反馈作用来牵制集电极电流变化。如过学到负反馈就好明白了

㈣ CMOS门电路的特点:静态功耗__，动态功耗随工作频率的提高而_，输入电阻_，噪声容限_于TTL门

CMOS门电路，使用频率高（相对ttl）功耗小，驱动损耗小，自身消耗低，易于集成，但应用中要处理好，传输和干扰问题。