分离开漏电路

㈠ 开漏电路输出的优缺点及功能

指漏极开路的输出形式。就像晶体管集电极开路的输出形式一样，集版电极上没有接集电极电权阻Rc，直接引到芯片外面成为输出端，需要在芯片外面接上一个负载电阻（上拉电阻）才能形成完整的放大（逻辑）电路。这种电路结构方便于组成“线与”逻辑。通常用于数字电路中的门电路以及模拟电路中的比较器输出级。

㈡ 什么叫开漏输出

开漏输出与推挽输出

概述

近来面试时经常问到推挽输出和开漏输出的优缺点。针帆弯对这两种输出我来个专门的介绍。

推挽输出（Push-Pull Output）

推挽输出结构是由两个MOS或者三极管收到互补控制的信号控制，两个管子时钟一个在导通，一个在截止，如图1所示：

图1 推挽输出结构

推挽输出的最大特点是可以真正能真正的输出高电平和低电平，在两种电平下都具有驱动能力。

补充说明：所谓的驱动能力，就是指输出电流的能力。对于驱动大负载（即负载内阻越小，负载越大）时，例如IO输出为5V，驱动的负载内阻为10ohm，于是根据欧姆定律可以正常情况下负载上的电流为0.5A（推算出功率为2.5W）。显然一般的IO不可能有这么大的驱动能力，也就是没有办法输出这么大的电流。于是造成的结果就是输出电压会被拉下来，达不到标称的5V。当然如果只是数字信号的传递，下一级的输入阻抗理论上最好是高阻，也就是只需要传电压，基本没有电流，也就没有功率，于是就不需要很大的驱动能力。

对于推挽输出，输出高、低电平时电流的流向如图 2所示。所以相返铅比于后面介绍的开漏输出，输出高电平时的驱动能力强很多。

图2 灌电流与拉电流

但推挽输出的一个缺点是，如果当两个推挽输出结构相连在一起，一个输出高电平，即上面的MOS导通，下面的MOS闭合时；同时另一个输出低电平，即上面的MOS闭合，下面的MOS导通时。电流会从第一个引脚的VCC通过上端MOS再经过第二个引脚的下端MOS直接流向GND。整个通路上电阻很小，会发生短路，进而可能造成端口的损害。这也是为什么推挽输出不能实现" 线与"的原因。

开漏输出（Open Drain Output）

常说的与推挽输出相对的就是开漏输出，对于开漏输出和推挽输出的区别最普遍的说法就是开漏输出无法真正输出高电平，即高电平时没有驱动能力，需要借助外部上拉电阻完成对外驱动。下面就从内部结构和原理上说明为什么开漏输出输出高电平时没有驱动能力，以及进一步比较与推挽输出的区别。

首先需要介绍一些开漏输出和开集输出。这两种输出的原理和特性基本是类似的，区别在于一个是使用MOS管，其中的"漏"指的就是MOS管的漏极；另一个使用三极管，其中的"集"指的就是MOS三极管的集电极。这两者其实都是和推挽输出相对应的输出模式，由于使用MOS管的情况较多，很多时候就用"开漏输出"这个词代替了开漏输出和开集输出。

介绍就先从开集输出开始，其原理电路结如图 3所示。

图3 OC

图 3边的电路是开集（OC）输出最基本的电路，当输入为高电平时，NPN三极管导通，Output被拉到GND，输出为低电平；当输入为低电平时，NPN三极管闭合，Output相当于开路（输态世闷出高阻）。高电平时输出高阻（高阻、三态以及floating说的都是一个意思），此时对外没有任何的驱动能力。这就是开漏和开集输出最大的特点，如何利用该特点完成各种功能稍后介绍。这个电路虽然完成了开集输出的功能，但是会出现input为高，输出为低；input为低，输出为高的情况。

图 3右边的电路中多使用了一个三极管完成了"反相"。当输入为高电平时，第一个三极管导通，此时第二个三极管的输入端会被拉到GND，于是第二个三极管闭合，输出高阻；当输入为低电平时，第一个三极管闭合，此时第二个三极管的输入端会被上拉电阻拉到高电平，于是第二个三极管导通，输出被拉到GND。这样，这个电路的输入与输出是同相的了。

接下来介绍开漏输出的电路，如图4所示。原理与开集输出基本相同，只是将三极管换成了MOS而已。

图4 OD

接着说说开漏、开集输出的特点以及应用，由于两者相似，后文中若无特殊说明，则用开漏表示开漏和开集输出电路。

• 开漏输出最主要的特性就是高电平没有驱动能力，需要借助外部上拉电阻才能真正输出高电平，其电路如图5所示。

图5 OD门上拉

当MOS管闭合时，开漏输出电路输出高电平，且连接着负载时，电流流向是从外部电源，流经上来电阻RPU，流进负载，最后进入GND。

• 开漏输出的这一特性一个明显的优势就是可以很方便的调节输出的电平，因为输出电平完全由上拉电阻连接的电源电平决定。所以在需要进行电平转换的地方，非常适合使用开漏输出。

• 开漏输出的这一特性另一个好处在于可以实现"线与"功能，所谓的"线与"指的是多个信号线直接连接在一起，只有当所有信号全部为高电平时，合在一起的总线为高电平；只要有任意一个或者多个信号为低电平，则总线为低电平。而推挽输出就不行，如果高电平和低电平连在一起，会出现电流倒灌，损坏器件。

㈢ 真正的开漏输出，开漏输出的电路是怎么样有谁提供

就是漏极开路，根据管型不同用的时候需上拉或下拉

㈣ 开漏的开漏（open drain）

开没猛散漏电路概念中提到的“枯氏漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏知晌极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示：

㈤ SN7407 在输出没上拉的情况下，输出是怎么样的 是0 输出0，1 输出高组态吗 51

推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;

开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).

推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.
要实现 线与 需要用OC(open collector)门电路.是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。

开漏电路特点及应用

在电路设计时我们常常遇到开漏（open drain）和开集（open collector）的概念。
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。

组成开漏形式的电路有以下几个特点：

1. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。如图1。
2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成 “与逻辑” 关系。当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。 IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平(因此对于经典的51单片机的P0口而言，要想做输入输出功能必须加外部上拉电阻，否则无法输出高电平逻辑)。
5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力。
应用中需注意：
1. 开漏和开集的原理类似，在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如，某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它，即方便又节省成本。

2. 上拉电阻R pull-up的 阻值 决定了 逻辑电平转换的沿的速度 。阻值越大，速度越低功耗越小。反之亦然。
Push-Pull输出就是一般所说的推挽输出，在CMOS电路里面应该较CMOS输出更合适，应为在CMOS里面的push－pull输出能力不可能做得双极那么大。输出能力看IC内部输出极N管P管的面积。和开漏输出相比，push－pull的高低电平由IC的电源低定，不能简单的做逻辑操作等。push－pull是现在CMOS电路里面用得最多的输出级设计方式。
51单片机的I/O口是开漏输出，驱动能力较弱，所以一般都要加上拉电阻去驱动下一级电路，而AVR，STM8S系列的都是真正的双向I/O口，推挽输出，电流可达20mA左右。

㈥ 开漏和推挽输出的区别

开漏和推挽输出的区别：

一、推挽输出：推挽输出结构是由两个MOS或者三极管收到互补控制的信号控制，两个管子时钟一个在导通，一个在截止。

当VIN为高电平、上面的MOS导通，下面的MOS截止，Vout被上拉到VDD
当VIN为低电平、上面的MOS截止，下面的MOS导通，Vout被下拉到GND

优点：能输出高低电平、且高低电平都有驱动能力

开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻游唤组成册磨销。

推挽这是一个输出电路，按功放输出级放大元件的数量，可以分为单端放大器和推挽放大器。单端放大器的输出级由一只放大元件（或多只元件但并联成一组）完成对信号正负两个半周的放大。

㈦ 开漏的组成开漏形式的电路特点

1. 利用 外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。如图1。
2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成 “与逻辑” 关系。如图1，当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源陪雹袜Vcc1决定，而输出高电平肆配则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平(因此对于经典的51单片机的P0口而言，要想做输入输出功能必须加外部上拉电阻，否则无法输出高电平逻辑)。
5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输芦激出的能力。

㈧ 开漏的应用中需注意

1. 开漏和开集的原理类似，在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如，某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它，即方便又节省成本。如图3。
2. 上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大，速度越低功耗越小嫌者敏。反之亦然。
需要补充的是，开漏和开集都可以作为驱动输出控制的开关，但是开漏电路在关闭输出的情况下会耗电，如图1所示，Vcc经上拉电阻过漏极到地，上拉电阻大小影响开关响应及驱动能力，如果上拉过小势必会导致在漏极嫌激导通的情况下的电力芹枝消耗。图2所示的开集输出电路，有同样的耗电问题。不过集电极驱动输出还有一种接法，可以解决耗电问题，使用PNP的三极管，发射极接电源，集电极接输出，基极加一个电阻接开关控制。当然在有些耗电不是问题的情况下开漏也是一个好的选择，很多处理器的i/o口都带有开漏功能，这样，就可以节约一个三极管。

㈨ 什么是开漏输出

开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。
TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。
OC门开漏输出和OD门开漏输出都是为了同一个目的，都是为了实现逻辑器件的线与逻辑，当然选用不同的外接电阻也可以实现外围驱动能力的增加。
当你应用此电路的时候，要注意应用时要加上拉电阻接电源，这样才能保证逻辑的正确，在电阻上要根据逻辑器件的扇入扇出系数来确定，但一般mos电路带载同样的mos电路能力比较强，所以电阻通常可以选择2.2k，4.9k这样一些常用的。
推挽输出与开漏输出的区别
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;开漏输出:输出端相当于三极管的集电极.
要得到高电平状态需要上拉电阻才行.
适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).
推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.
要实现
线与
需要用OC(open
collector)门电路.是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。
所谓开漏电路概念中提派迹到的咐羡前“漏”就是指MOSFET的漏极。
同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极衡清外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。

㈩ 漏极输出,

漏极直接输出,不接上拉电阻.如果对于场效应管印象不深旅薯燃,理解为普通三级管好理就是集电极开路.
在电路设计时我们常常遇到开漏（open drain）和开集（open collector）的概念.本人虽然在念书时就知道其基本的用法,而且在设计中并未遇的过问题.但是前两天有位同事向我问起了这个概念.我忽然觉得自己对其概念了解的并不系统.近日,忙里偷闲对其进行了下总结.
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极.同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极.开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路.一般的用手闷法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻.完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成.如图1所示：
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组成开漏形式的电路有以下几个特点：
1.利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动拆虚.当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND.IC内部仅需很下的栅极驱动电流.如图1.
2.可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上.形成“与逻辑”关系.如图1,当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后,开漏线上的逻辑就为0了.这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理.
3.可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平.如图2,IC的逻辑电平由电源Vcc1决定,而输出高电平则由Vcc2决定.这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了.
4.开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平.
5.标准的开漏脚一般只有输出的能力.添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力.
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应用中需注意：
1.开漏和开集的原理类似,在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路.例如,某输入Pin要求由开漏电路驱动.则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它,即方便又节省成本.如图3.
2.上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度.阻值越大,速度越低功耗越小.反之亦然.