场效应管的电路图

⑴ 请帮忙分析一下这个场效应管开关电路~ 场效应管采用的是IRFR5305. P型的场效应管

这是一个P型场效应管，电阻R1的作用是为栅极提供一个管子关断后极间电容放电回路同时牵制栅极电亮滑位不会在没有栅极信号的条件下自行导清搭通。R2作用是提供栅极电敬正腊压的通路。当电阻R2的下端出现一个负的电压，场效应管Q1就可以导通。

⑵ 求场效应管做功放的电路图

⑶ 请推荐一场效应管和电路图，用于5V或3.3V单片机控制5V和12V电源通断

电路图见下图，有具体的元器件型号：

⑷ 谁能帮我看看电路图上场效应管的三个引脚分别是什么很简单的问题。

这图看不清楚，图中MOS管是最常见的IRF640,参数为200V-18A大功率场效应管。
场效应管与普通三极管内功能一样容，他的三个电极对应为：发射机---源极S，基极--栅极G，集电极--漏极D。IRF640管脚排列为（管脚朝下、面对型号）左起1脚为G，2脚为D，3脚为S。

⑸ 场效应管开关电路

只有两种可能：一是场效应管本身有质量问题，二是并接在电磁阀线圈的二极管短路或接反了（接成正向导通了）

⑹ 请教场效应管的简单接法

举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。

2，P沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间截止，栅极G低电平D与S间导通）

栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源正极，漏极(D)接负载输入正极，负载输出负极直接接负载电源负极（模拟地）。

当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）1.2V以上时，源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。

这样负载正极被连通负载电源正极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）不足1.2V，或栅极/基极(G)电压大于等于源极(S)电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载不工作。

MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里，复杂理论咱不说它，知道怎么用就行了。如果仅仅是作为电子开关使用，也可以简单用三极管代替MOSFET管，只不过三极管的效率、开关速度、开关可靠性远不如MOSFET管。

(6)场效应管的电路图扩展阅读

工作原理

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

⑺ 请教场效应管的简单接法

举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应段喊管（型号IRF9640），电源电压12V，如下图图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中可以了解场效应管做开关电路的接法。

场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型和P沟道型，一般使用N沟道型可带来便捷性。

1，N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。

当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。

这样，只要控制MOSFET的栅极/基极(G)电压有无，即可控制负载的工作与不工作，形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快，一般在纳秒极，就认为是瞬间开启/关闭就可以了，在MOSFET管内部是没有延迟的。

(7)场效应管的电路图扩展阅读：

工作原理：

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去握旁野，即从漏极向源极有电流ID流动。

从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱启厅和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

⑻ 三种基本放大电路原理图

三种基本放大电路原理图：

基本放大电路是电路的一种，可以应用在电路施工中。基本差橘放大电路输入电阻很低，一般只有几欧到几十欧，但其输出电阻却很高。

基本直放大电路既可以放大交流信号，也可放大直流信号和变化非常缓慢的信号，且信号传输效率高，具有结构简单、便于集成化等优点，虚握团集成电路中多采用这种耦合方式。

含义

单极型管的单极放大电路，用场效应管作为放大器件组成的放大电路，称为场效应管放大电路。场效应管和双极型晶体管一样是电路的核心器件皮激，在电路中起以小控大的作用。在场效应管的放大电路中，为实现电路对信号的放大作用，必须要建立偏置电路以提供合适的偏置电压，使场效应管工作在特性的恒流区。

N沟道耗尽型MOS管组成的共源极放大电路场效应管的栅极通过电阻Rg接地，源极通过电阻Rs接地。这种偏置方法靠漏极电流Id在源极电阻Rs上产生的电压为栅源极提供一个偏置电压Ugs，故称为自偏压电路。

⑼ 场效应管的电路图如同所示，求它的微变等效电路图。

场效应管微变等效电路，教材上都有的，应该看看书的；

可见输入端相当于开路的，即是没有电流流经电阻 Rg，那么 Rg 是可以忽略的；

同样的，rds 通常都远大于 Rd，所以在计算中也是可以忽略掉的；

最后就如同图一电路，只是把电阻 rds 更换为 rd 就是了；

⑽ 四个场效应管驱动电机谁给我个电路图

四个场效应管驱动一个电机共有两种电路、其中上图是直流电机正反转控制电路。只要将图中1和1、0和0对角两个基极并连后引出两条控制线,分别输入0(接地)和1(10V)就可以控制直流电机正/反转。

另外一种是五线二相步进电机底边驱动电路,不知你要的那一种