降压电路设计

1. 请高手设计一个直流降压电路

做为一个电源来说,由310伏降到10-25伏,只能用开关型电源结构.如果正规设计一个开关电源倒内是不难,但问容题是,变压器或是电感要定制,价格不菲.要简单的话,并且使用场合要求不高,我倒是有个主意.你找一个好一点的充电器,要求是带反馈环的开关电源,然后将外壳小心打开,里面有个大一点的耐压400伏左右的电解电容,将你的310伏直流电源按正负极性接到电解电容两脚.然后再找输出部分,其中有个输出电压反馈电路,多数用TL431,找到后,通过调节分压电阻的方法调节其基准电压使输出电压至你所需要的范围即可.一般充电器输出电流达数百毫安,输出20毫安应该不成问题.虽然由原来的低电压大电流改成高电压小电流在变压器参数及元件参数上会有一些偏差,但在普通情况下使用应该没什么问题.

2. 二极管降压原理和电路图

二极管是一个PN结，电流可以从P流向N ，反之不导通，P和N之间的电压是0.7V左右，这就是二极管的压降，在电路里串连一个二极管就降低0.7V的电压，前提是电流方向是从P到N。

(2)降压电路设计扩展阅读：

二极管降压特性：

正向性

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。

在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。

叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

反向性

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

击穿

外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。

电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管。

3. 降压电路原理

降压电路原理：

输出电压大于5V时。

输出电压小于5V时。

开关闭合时，电源给电感和电容充电。

4. 求电容降压电源电路图

电容降压电源电路的特性是：负载变化，输出电压也随着变化，所以内，必须要有额定电流，若要容求输出5V、50mA和12V、50mA时，电容量：

C＝I/(0.314×U)＝(0.05＋0.05)/[0.314×(0.22－0.012)≈1.5(μF)

5V的分压电阻：

R＝U/I＝(12－5)/0.05＝140(Ω)

分压电阻功率：

P＝I×I×R＝0.05×0.05×140＝0.35(W)

附图：