① 什么是晶元,是什么形状最好是有图片给我看下,谢谢!
晶元(Wafer),是生产集成电路所用的载体,多指单晶硅圆片。
单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶
晶元硅棒,单晶硅棒经过抛光、切片之后,就成为了晶元。
② 光刻机怎么制作(最好提供图文)
第一步:制作光刻掩膜版(Mask Reticle)
芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后,就可将这张包含了功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上,供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。
光刻掩膜版:(又称光罩,简称掩膜版),是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构,再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。(*网络)
将设计好的半导体电路”地图“绘制在由玻璃、石英基片、铬层和光刻胶等构成的掩膜版上
光刻掩膜版的立体切片示意图
第二步:晶圆覆膜准备
从砂子到硅碇再到晶圆的制作过程点此查阅,这里不再赘述。将准备好的晶圆(Wafer)扔进光刻机之前,一般通过高温加热方式使其表面产生氧化膜,如使用二氧化硅(覆化)作为光导纤维,便于后续的光刻流程:
第三步:在晶圆上“光刻”电路流程
使用阿斯麦的“大杀器”,将紫外(或极紫外)光通过蔡司的镜片,照在前面准备好的集成电路掩膜版上,将设计师绘制好的“电路图”曝光(光刻)在晶圆上。(见动图):
上述动图的工作切片层级关系如下:
光刻机照射到部分的光阻会发生相应变化,一般使用显影液将曝光部分祛除
而被光阻覆盖部分以外的氧化膜,则需要通过与气体反应祛除
通过上述显影液、特殊气体祛除无用光阻之后,通过在晶圆表面注入离子激活晶体管使之工作,进而完成半导体元件的全部建设。
做到这里可不算大功告成,这仅仅是错综复杂的集成电路大厦中,普通的一层“楼”而已。完整的集成电路系统中包含多层结构,晶体管、绝缘层、布线层等等:
搭建迷宫大厦一般的复杂集成电路,需要多层结构
因此,在完成一层光刻流程之后,需要把这一阶段制作好的晶圆用绝缘膜覆盖,然后重新涂上光阻,烧制下一层电路结构:
多次重复上述操作之后,芯片的多层结构搭建完毕(下图):
如果上图看的不太明白,可以看看Intel的CPU芯片结构堆栈图:
当然,我们可以通过高倍显微镜来观察光刻机“烧制”多层晶圆的堆叠情况:
第四步:切蛋糕(晶圆切割)
使用光刻机烧制完毕的晶圆,包含多个芯片(Die),通过一系列检测之后,将健康的个体们切割出来:
从晶圆上将一个个“小方块”(芯片)切割出来
第五步:芯片封装
将切割后的芯片焊
③ 芯片内部电路图该怎么看啊
1. 湿洗 (用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)
2. 光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )
3. 离子注入 (在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)
4.1干蚀刻 (之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的,而是为了离子注入而蚀刻的. 现在就要用等离子体把他们洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构, 这一步进行蚀刻).
4.2湿蚀刻 (进一步洗掉, 但是用的是试剂, 所以叫湿蚀刻).
--- 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦~ 但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做, 以达到要求. ---
5 等离子冲洗 (用较弱的等离子束轰击整个芯片)
6 热处理, 其中又分为:
6.1 快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)
6.2 退火
6.3 热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )
7 化学气相淀积(CVD), 进一步精细处理表面的各种物质
8 物理气相淀积 (PVD), 类似, 而且可以给敏感部件加coating
9 分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要这个..
10 电镀处理
11 化学/机械 表面处理
然后芯片就差不多了, 接下来还要:
12 晶圆测试
13 晶圆打磨
就可以出厂封装了,颖展电子元器件上有具体说明。
④ 电路板图基本知识有什么eimkt
集成电路的设计流程如图
集成电路版图设计就是指将电路图或电路描述语言映射到物理描述层面,从而可以将设计好的电路映射到晶圆上生产。
版图是包含了集成电路的器件类型,器件尺寸,器件之间的相对位置以及各个器件之间的连接关系等相关物理信息的图形,这些图形由位于不同图层上的图形构成。
版图工程师的职责是:芯片物理结构分析,逻辑分析,建立后端设计流程,版图布局布线,版图物理验证,联络代工厂提交生产数据。