反向饱和电路

Ⅰ pn结反向饱和电流到底是怎么形成的,它的大小跟哪些因素有关

其根本在于PN结的单向导电性。反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。

它的大小跟温度因素有关。

(1)反向饱和电路扩展阅读

从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。

而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。

当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

这就是PN结的特性（单向导通、反向饱和漏电或击穿导体），也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。

Ⅱ 为什么三极管集电极-发射极的反向饱和电路

在｜Vce｜=10V的条件下，测量三极管的集电极—发射极反向饱和电流Iceo，用数字显示，测量范围0.1μA~100μA，测量误差≤10%。
测量三极管的集电极—发射极间的反向击穿电压Vceo，并用数字显示；测试条件Ic=1mA，测量范围20V~60V，测量误差≤5%。

Ⅲ pn结理想反向饱和电路密度公式

pn结理想反向饱和电路密度公式Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10]）。PN指额定功率。额定功率PN是指发电机输出的额定有功功率，也就是说，在额定运行时（额定频率、电压、电流、功率因数），同步发电机所能发出的最大的有功功率。一般以KW（千瓦）或MW（兆瓦，即百万瓦）为单位。