集成电路复制

1. 集成电路制造五个步骤

半导体产业开始于上世纪。随着 1947 年固体晶体管的发明， 半导体行业已经获得了长足发展， 之后的发展方向是引入了集成电路和硅材料。集成电路将多个元件结合在了一块芯片上，提高了芯片性能、降低了成本。随着硅材料的引入，芯片工艺逐步演化为器件在硅片上层以及电路层的衬底上淀积。

芯片制造主要有五大步骤：硅片制备、芯片制造、芯片测试与挑选、装配与封装、终测。

芯片制造主要有五大步骤_国内硅片制造商迎来春天

芯片制造的五大步骤

（1）硅片制备。

首先是将硅从矿物中提纯并纯化，经过特殊工艺产生适当直径的硅锭。然后将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片。最后按照不同的定位边和沾污水平等参数制成不同规格的硅片。 本文讨论的主要内容就是硅片制备环节。

（2）芯片制造。

裸露的硅片到达硅片制厂，经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂等步骤，硅片上就刻蚀了一整套集成电路。芯片测试/拣选。 芯片制造完后将被送到测试与拣选区，在那里对单个芯片进行探测和电学测试，然后拣选出合格的产品，并对有缺陷的产品进行标记。

（3）装配与封装。

硅片经过测试和拣选后就进入了装配和封装环节，目的是把单个的芯片包装在一个保护壳管内。 硅片的背面需要进行研磨以减少衬底的厚度，然后把一个后塑料膜贴附在硅片背面，再沿划线片用带金刚石尖的锯刃将硅片上每个芯片分开，塑料膜能保持芯片不脱落。在装配厂，好的芯片被压焊或抽空形成装配包，再将芯片密封在塑料或陶瓷壳内。

（4）终测。

为确保芯片的功能， 需要对每一个被封装的集成电路进行测试， 以满足制造商的电学和环节的特性参数要求。

硅片制作的工艺流程

硅片制备之前是制作高纯度的半导体级硅（semiconctor-grade silicon， SGS），也被称为电子级硅。 制备过程大概分为三步，第一步是通过加热含碳的硅石（SiO2） 来生成气态的氧化硅 SiO；第二步是用纯度大概 98%的氧化硅，通过压碎和化学反应生产含硅的三氯硅烷气体（SiHCl3）； 第三步是用三氯硅烷经过再一次的化学过程，用氢气还原制备出纯度为 99.9999999%的半导体级硅。

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半导体硅的生产过程

对半导体级硅进一步加工得到硅片的过程被称为硅片制备环节。 硅片制备包括晶体生长、整型、切片、抛光、清洗和检测等步骤，通过单晶硅生长、 机械加工、化学处理、表面抛光和质量检测等环节最终生产出符合条件的高质量硅片。

2. 集成电路是怎样制造出来的

真简单的回答不了。看这个：

单片集成电路工艺 利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺；紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等；外延生长又采用超高真空分子束外延技术；采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜；互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。

薄膜集成电路工艺 整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。

3. 集成电路布图设计的专有权

布图设计专有权，是指通过申请注册后，依法获得的利用集成电路设计布图实现布图设计价值得到商业利益的权利。
（一）集成电路布图设计权的主体
按照我国《集成电路布图设计保护条例》第3条的规定，中国自然人、法人或者其他组织创作的布图设计，依照本条例享有布图设计权；外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的，依照本条例享有布图设计权；外国人创作的布图设计，其创作者所属国同中国签订有关布图设计保护协议或共同参加国际条约的，依照本条例享有布图设计权。
（二）客体条件
集成电路布图设计必须具备独创性。
布图设计应当是作者依靠自己的脑力劳动完成的，设计必须是突破常规的贵的设计或者即使设计者使用常规设计但通过不同的组合方式体现出独创性时，都可以获得法律保护。
（三）方式和程序
目前，世界各国主要采取三种取得方式：自然取得，登记取得，使用与登记取得，大多数国家采取登记取得制。我国也采取登记制度。
取得的程序：
（1）申请：向国家知识产权行政部门提交申请文件；
（2）初审；
（3）登记并公告；
（4）对驳回申请的复审；
（5）登记的撤销。
（四）集成电路布图设计申请阶段需提交的材料：
（1）集成电路布图设计登记申请表。
（2）集成电路布图设计的复制件或者图样。
（3）集成电路布图设计已投入商业利用的，提交含有该集成电路布图设计的集成电路样品。 集成电路布图设计在申请日之前已投入商业利用的，申请登记时应当提交4件含有该集成电路布图设计的集成电路样品。
（4）国家知识产权局规定的其他材料。 （一）集成电路布图设计专有权的内容
1、复制权
实际上是重新制作含有该布图设计的集成电路。
2、商业利用权
是指专有权人为商业目的而利用布图设计或含有布图设计的集成电路的权利。
但是布图设计权并不包括精神权利。
（二）布图设计权的行使
1、布图设计权的转让
布图设计权的转让，就是权利人将其全部权利转让给受 让人所有。根据我国《集成电路布图设计保护条例》的规定，转让布图设计权的，当事人应当订立书面合同，并向国务院知识产权部门登记并公告。
2、布图设计权的许可
当事人应当订立书面合同。 （一）保护期限
布图设计权的保护期限为10年，自布图设计登记申请之日或在世界任何地方首次投入商业使用之日计算，以较前日期为准。但是，无论是否登记或投入商业利用，布图设计自创作完成之日起15年后，不再受到保护。
（二）侵权行为
所谓布图设计的侵权，是指侵犯了布图设计人的权利，依法应当承担的法律责任。包括侵犯布图设计人的复制权和商业利用权。
（三）侵权责任及制止措施
1、侵权责任的形式
（1）民事责任
（2）行政责任
2、即发侵权的制止 （一）合理使用或利用
1、为个人目的的复制
2、供教学研究而复制
（二）反向工程
是指对他人的部图设计进行分析、研究然后根据这种分析评价的结果创作出新的部图设计。（此行为不视为侵权）
（三）权利穷竭
是指集成电路部图设计权人或经其授权的人，将受保护的布图设计或含有该布图设计的半导体集成电路产品投入市场以后，对与该布图设计或该半导体集成电路产品有关的任何商业利用行为，不再享有权利。
（四）善意买主
善意买主法律给予豁免。
（五）强制许可