集成电路会议

A. 之前投稿了集成电路与微系统的会议，但是投稿系统遗漏作者

返修时可以修改的，以手稿为准。 网络了解下对您有帮助。

B. 集成电路发展史

个人闲来无事是写的，现粘贴如下：
首先有集成电路这一想法的是英国科学家Dummer，那是在1952年，在皇家信号和雷达机构的一个电子元器件会议上他说：“随着晶体管的出现和对半导体的全面研究，现在似乎可以想象，未来电子设备是一种没有连接线的固体组件。”当然，那时还没有“集成电路”这一名词。然而，集成电路的真正发明却是在美国，是在6年之后的1958年（也有人认为是1959年，具体原因接下来解释）。
1958年9月12日，TI的Kilby发明了世界首块集成电路，这是一个相移振荡器，集成了2个晶体管、2个电容和8个电阻——共12个元器件，该发明与1959年2月6日申请专利，1964年6月26日被批准。而到了1959年，Fairchild的Noyce发明了基于硅平面工艺的集成电路，1959年7月30日，Noyce为自己的发明申请了专利，1961年4月26日被批准。虽然Noyce比Kilby发明集成电路和申请专利在后，但批准在前，而且Noyce发明的集成电路更适合于大批量生产，所以会有一些人在关于谁先发明了集成电路的问题上产生了分歧。其实Kilby和Noyce被认为是集成电路共同的发明人，问题在于1958和1959不能被认为是共同的发明时间，而必须是其中的一个，我习惯于把它说成是1958年。
而到了1968年，Noyce和Moore以及Fairchild的其他一些雇员成立了Intel，1971年便生产出了世界首枚CPU——集成了2300个晶体管的4004，紧接着，次年8008，再次年8080……尽管CPU诞生于1971年，然而它被推向市场，换句话说就是普通平民可以买到是1981年的事。那是1981年的8月12日，IBM推出型号为IBM5150的计算机，这是最早的PC，CPU采用Intel的8088（1979年发明），系统采用Microsoft的DOS，内存16K，再配一个5.25英寸的软驱，售价1565美元。但你知道，当时的1565美元跟现在的1565美元不一样，那时钱实啊，按照今天的物价指数，大约相当于现在的4000美元,在2011年8月13日这样的日子，汇率是6.3902，那就是25560.8元人民币。
早期的IC未形成独立的产业，电子系统厂商把自己生产的IC用于自己的产品，只把一小部分销往市场，而同时也会从市场购进一些。Intel和AMD开创了IC业的新纪元，他们只向市场供应通用的IC，而不使用IC去生产产品，当然也不会从市场购进IC。这种自行设计、用自己的生产线制造、自己封装和测试、最后出售IC成品的厂商被称为IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件制造商）。尽管如此，IDM还是有严格定义的：IC的对外销售额超过IC总产值25%的企业就可以称作是IDM了（如Motorola、TI、Sony），而没有超过的叫做系统厂商(如IBM、HP）。根据这一定义，IDM并不意味着不生产系统产品，系统厂商也并不意味着不生产IC。区别仅在于它们生产的IC（或者干脆没生产）有多少用于自己的系统产品，有多少用于直接出售。
再后来，出现了一些这样的公司，它们只设计IC，并不生产，我们称之为Fabless，叫做无生产线设计公司。它们设计完成后，制造这一环节仍交给IDM完成，IDM的生产线除了生产自己设计的IC以外，还帮Fabless进行生产。1987年，TSMC（台台湾积体电路制造股份有限公司，台积电）成立，2000年，SMIC（中芯国际集成电路制造有限公司，中芯国际）成立，这些公司开创了一种新的模式，它没有自己的产品，不设计也不使用，只是单纯地提供制造服务，我们称之为Foundry。这类公司的出现，不仅Fabless的设计成果有了天经地义的归宿，而且就连IDM也把自己制造环节的一部分让给Foundry来做，就Foundry而言，有时它接到来自IDM的生产任务比Fabless的还要多。再后来呢？连封装测试也自成一家，形成独立的产业。
纵观今天的IC业，设计业、制造业、封测业三足鼎立，当然也不乏IDM这样的一条龙式的企业，但是系统厂商在IC市场上的份额越来越低，（注意！我说的是在IC市场上），濒临灭绝！（注意！我说的是市场份额濒临灭绝。公司并没有灭绝，而是他们意识到这种自己生产芯片仅供自己使用的模式不划算，转型了。）

C. 请问有没有参加过集成电路与微系统这个会议的小伙伴呢想知道往届检索怎么样谢谢

我参加的2020年的，召开的几届都是EI检索的，检索速度也比较快，你可以去官网看看。还有不明白的话你也可以网络下。

D. ISCC会议好中吗

不好中。
ISSCC，全称International Solid State Circuits Conference，国际固态电路会议，是集成电路设计领域的最高级别学术会议，有“集成电路领域的奥林匹克”之称。
ISSCC的历史有多长？首届ISSCC在1954年召开在美国宾夕法尼亚州的费城。为纪念起源，即使在如今的ISSCC的logo上仍然印有University of Pennsylvania。第一届ISSCC仅有六家学术机构投稿——贝尔实验室、通用电气、美国无线电公司（RCA）、费城电池公司（Philco）、麻省理工以及宾夕法尼亚大学。当时，注册费仅为4美元。

E. isvlsi会议什么水平

是一流水平。isvlsi会议全称是IEEE-Computer-Society-Annual-Symposium-on-VLSI，这是一种年度研讨会，也是VLSI领域的权威国际会议之一，涉及的范围很大，也包括集成电路相关主题和新兴的应用领域。

F. 在你所在的行业里，国内最顶尖高手在国际上是什么水平

以高层会议ISSCC作为参考，并讨论”的国内顶尖选手在世界”的标准是什么

什么是ISSCC？

ISSCC是公认的最高级别会议在集成电路设计领域被世界学术界和企业界。它被大陆媒体誉为“世界奥林匹克大会”在集成电路设计领域。台湾媒体在IC领域被称为“奥斯卡”。但由于世界领先的工业界和学术界，并在每一个阶段的国际固态电路首先发表了最前沿的技术，在最高水平的代表（“学习先进国家的先进的企业如英特尔、高通是做什么的，最好的地方之一是年。isscc40-50 %论文产业。”清华大学的王志华教授）。

另外需要指出的是在许多人的心目中是等同于CPU芯片，即使知道很多讨论或提及或集成电路芯片标签的问题是中央处理器，CPU是什么，在2014年的情况下，处理器是在一个27人会议。所有其他类型的芯片也很重要，如高速高精度ADC已在禁运项目的瓦瑟纳尔协议，但它是一个雷达和其他先进的军事装备的关键设备。

总之，IC芯片的进口在中国已成为最大的进口商品在中国多年，和关键核心技术严重依赖国外厂商。

G. 我想问一下集成电路目前的现状，希望有专业人士不吝赐教，大致介绍一下目前比较前沿的发展情况。

我这里有一份。要的话可以给你发一份。

2011 年 1月 2日
中国集成电路产业发展现状 中国集成电路产业发展现状 集成电路产业发展
关键词：中国集成电路现状
集成电路产业是知识密集、技术密集和资金密集型产业，世界集成电路产业发 展迅速，技术日新月异。2003年前中国集成电路产业无论从质还是从量来说都不 算发达， 但伴随着全球产业东移的大潮， 中国的经济稳定增长， 巨大的内需市场， 以及充裕的人才，中国集成电路产业已然崛起成为新的世界集成电路制造中心。 二十一世纪， 我国必须加强发展自己的电子信息产业。 它是推动我国经济发展， 促进科技进步的支柱，是增强我国综合实力的重要手段。作为电子信息产业基 础的集成电路产业必须优先发展。只有拥有坚实的集成电路产业，才能有力地 支持我国经济、军事、科技及社会发展第三步发展战略目标的实现。
一、我国集成电路产业发展迅速 1998 年我国集成电路产量为 22.2 亿块，销售规模为 58.5 亿元。 到 2009 年，我国集成电路产量为 411 亿块，销售额为 1110 亿元，12 年间产量 和销售额分别扩大 18.5 倍与 20 倍之多，年均增速分别达到 38.1%与 40.2%，销 售额增速远远高于同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中国集成电路产业重大变化 2008年是中国集成电路产业发展过程中出现重大变化的一年。 全球金融危机不 仅使世界半导体市场衰退，同时也使中国出口产品数量明显减少，占中国出口总 额1/3左右的电子信息产品增速回落，其核心部件的集成电路产品的需求量相应 减少。 人民币升值也是影响产业发展的一个不可忽视的因素， 因为在目前国内集成电 路产品销售额中直接出口占到70%左右， 人民币升值对于以美元为结算货币的出 口贸易有着重要影响，人民币兑美元每升值1%，国内集成电路产业整体销售额 增幅将减少1.2到1.4个百分点，在即将到来的2011年里，人民币加速升值值得关 注。 三、中国集成电路产品产销概况 中国集成电路产品产销概况 中国集 2008年中国集成电路产业在产业发展周期性低谷呈现出增速逐季递减状态， 全年 销售总额仅有1246.82亿元，比2007年减少了0.4%，出现了未曾有过的负增长局 面；全年集成电路产量为417.14亿块，较2007年仅增长了1.3%。近几年我国集成 电路产品产量和销售额的情况如图1和图2所示：
图1 2003—2008年中国集成电路产品产量增长情况
图2 2003—2008年中国集成电路产品销售额增长情况 由上图可知，最近几年我国集成电路产品销售额虽逐年上升，但上升的速度却 缓慢，这是因为在国务院18号文件颁布后的五年中，中国集成电路产业的产品销 售额一直以年均增长率30%以上的速度上升， 是这个时期世界集成电路增长速度 的3倍，是一种阶段性的超高速发展的状态；一般情况下，我国集成电路产业年 均增长率能保持在世界增长率的1.5倍左右已属高速发展，因此，在2007年以后， 我国集成电路产业的年增长速度逐步减缓应属正常势态， 在世界集成电路产业周 期性低谷阶段，20%左右的年增长率仍然是难得的高速度。世界经济从美国次贷 危机开始逐步向全世界扩展，形成金融危机后又向经济实体部门扩散，从2008
年开始对中国集成电路产业产生影响，到第三季度国际金融危机明显爆发后，中 国集成电路产业销售额就出现了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形态。图3 是这个变化过程。
图3 2006Q1－2008Q4中国集成电路产品销售收入及同比(季期)增长率 中国集成电路产业的发展得益于产业环境的改善， 抵御金融危机的影响政策 十分显著。2008年1月，财政部和国家税务总局发布了《关于企业所得税若干优 惠政策的通知》(财税〔2008〕1号)，对集成电路企业所享受的所得税优惠十分 重视。日前通过的《电子信息产业调整和振兴规划》 ，又把“建立自主可控的集成 电路产业体系”作为未来国内信息产业发展的三大重点任务之一，在五大发展举 措中明确提出“加大投入，集中力量实施集成电路升级”。2005年由国务院发布的 《国家中长期科学和技术发展规划纲要 (2006━2020年)》(国发[2005]44号),确定 并安排了16个国家重大专项，其中把“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件 产品”与“超大规模集成电路制造装备及成套工艺”列在多个重大专项的前两位； 2008年4月国务院常务会议已审议并原则通过了这两个重大专项的实施方案，为 专项涉及的相关领域提供了良好的发展契机。 中国各级政府对集成电路产业发展 的积极支持和相关政策的不断落实， 对我国集成电路产业的发展产生了积极的影 响。 四、中国集成电路产品需求市场 近些年来，随着中国电子信息产品制造业的迅速发展，在中国市场上对集成 电路产品的需求呈现出飞速发展的势态，并成为全球半导体行业的关注点，即使 中国集成电路产品的需 在国内外半导体产业陷入低迷并出现了负增长的2008年，
求市场仍保持着增长的势头， 这是由中国信息产品制造业的销售额保持着10%以 上的正增长率所决定的。 中国最近几年的集成电路产品市场需求额变化情况如图 4所示。
图4 2004-2008年中国集成电路市场需求额 五、我国集成电路产业结构 设计、制造和封装测试业三业并举，半导体设备和材料的研发水平和生产能 力不断增强，产业链基本形成。随着前几年 IC 设计业和芯片制造业的加速发展， 设计业和芯片制造业所占比重逐步上升，国内集成电路产业结构逐渐趋于合理。 2006年设计业的销售额为186.2亿元， 比2005年增长49.8%； 2007年销售额为225.7 亿元，比2006年增长21.2%。芯片制造业2006年销售额为323.5亿元，比2005年增 长了38.9%； 2007年销售额为397.9亿元， 比2006年增长又23.0%。 封装测试业2006 年销售额为496.6亿元，比2005年增长43.9%；2007年销售额为627.7亿元，比2006 年增长26.4%。2001年我国设计业、芯片制造业、封测业的销售额分别为11亿元、 27.2亿元、161.1亿元，分别占全年总销售额的5.6%、13.6%、80.8%，产业结构 不尽合理。 最近5年来， 在产业规模不断扩大的同时，IC 产业结构逐步趋于合理， 设计业和芯片制造业在产业中的比重显著提高。到2007年我国 IC 设计业、芯片 制造业、封测业的销售额分别为225.5亿元、396.9亿元、627.7亿元，分别占全年 总销售额的18.0%、31.7%、50.2%。 半导体设备材料的研发和生产能力不断增强。 在设备方面， 65纳米开始导入生产， 中芯国际与 IBM 在45纳米技术上开展合作，FBP（平面凸点式封装）和 MCP（多
芯片封装）等先进封装技术开发成功并投入生产，自主开发的8英寸100纳米等离 子刻蚀机和大角度离子注入机、12英寸硅片已进入生产线使用。在材料方面，已 研发出8英寸和12英寸硅单晶，硅晶圆和光刻胶的国内生产能力和供应能力不断 增强。
但是2008年，国内集成电路设计、芯片制造与封装测试三业均不同程度的受 到市场低迷的影响，其中芯片制造业最明显，全年芯片制造业规模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要芯片制造企业均出现了产能闲置、业绩下滑的情 况；封装测试业普遍订单下降、开工率不足，全年增幅为-1.4%；集成电路设计 业也受到国内市场需求增长放缓的影响， 由于重点企业在技术升级与产品创新方 面所做的努力部份地抵御了市场需求不振所带来的影响， 全年增速仍保持在正增 长状态，为4.2%，高于国内集成电路产业的整体增幅。如图5所示。
图5 2008年中国集成电路产业基本结构
六、集成电路技术发展 集成电路技术发展 我国技术创新能力不断提高，与国外先进水平差距不断缩小。从改革开放之初 的 3 英寸生产线，发展到目前的 12 英寸生产线，IC 制造工艺向深亚微米挺进， 封装测试水平从低端迈向中 研发了不少工艺模块， 先进加工工艺已达到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先进封装形式的开发和生产
方面取得了显著成绩。IC 设计水平大大提升，设计能力小于等于 0.5 微米企业比 例已超过 60%，其中设计能力在 0.18 微米以下企业占相当比例，部分企业设计 水平已经达到 100nm 的先进水平。设计能力在百万门规模以上的国内 IC 设计企 业比例已上升到 20%以上，最大设计规模已经超过 5000 万门级。相当一批 IC 已投入量产，不仅满足国内市场需求，有的还进入国际市场。 总之，集成电路产业是信息产业和现代制造业的核心战略产业，其已成为一些 国家信息产业的重中之重。 2011年我国集成电路产业的发展将勉励更好的发展环 境，国家政府的支持力度将进一步增加，新的扶植政策也会尽快出台，支持研发 的资金将会增多，国内市场空间更为广阔，我国集成电路产业仍将保持较快的发 展速度，占全球市场份额比重必会进一步增大！！ ！
附录： 附录： 中国集成电路产业发展大事记（摘自网络） 中国集成电路产业发展大事记（摘自网络） 1947 年，美国贝尔实验室发明了晶体管。 1956 年，中国提出“向科学进军”，把半导体技术列为国家四大紧急措施 之一。 1957 年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用 物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接 触二极管和三极管（即晶体管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）单晶。 1962 年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs） ，为研究制备其他化合物半导体打 下了基础。 1962 年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963 年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964 年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965 年 12 月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并 在国内首先鉴定了 DTL 型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966 年底， 在工厂范围内上海元件五厂鉴定了 TTL 电路产品。 这些小规模双极型数字集成电 路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路 等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968 年，组建国营东光电工厂（878 厂） 、上海无线电十九厂，至 1970 年建 成投产，形成中国 IC 产业中的“两霸”。 1968 年，上海无线电十四厂首家制成 PMOS（P 型金属－氧化物半导体）电 路（MOSIC） 。拉开了我国发展 MOS 电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研 究所（现电子第 24 所） 、上无十四厂和北京 878 厂相继研制成功 NMOS 电路。之
后，又研制成 CMOS 电路。 七十年代初，全国掀起了建设 IC 生产企业的热潮，共有四十多家集成电路 工厂建成。 1972 年，中国第一块 PMOS 型 LSI 电路在四川永川半导体研究所研制成功。 1973 年，我国 7 个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条 3 英寸工 艺线，最后只有北京 878 厂，航天部陕西骊山 771 所和贵州都匀 4433 厂。 1976 年 11 月，中国科学院计算所研制成功 1000 万次大型电子计算机，所 使用的电路为中国科学院 109 厂（现中科院微电子中心）研制的 ECL 型（发射极 耦合逻辑）电路。 1982 年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742 厂）IC 生产线建成验收投产， 这是中国第一次从国外引进集成电路技术。 1982 年 10 月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立 了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”， 制定了中 国 IC 发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983 年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领 导小组提出“治散治乱”， 集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战 略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一 个点指西安，主要为航天配套。 1986 年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集 成电路技术“531”发展战略，即普及推广 5 微米技术，开发 3 微米技术，进行 1 微米技术科技攻关。 1989 年 2 月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出 了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件， 振兴集成电路产业”的发展战略。 1989 年 8 月 8 日， 厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶 742 电子集团公司。 1990 年 10 月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈 会，并向党中央进行了汇报，决定实施九 O 八工程。 1995 年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以 CAD 为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工 程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995 年 10 月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献 计献策，加速我国集成电路产业发展。11 月，电子部向国务院做了专题汇报， 确定实施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海华虹集团与日本 NEC 公司合资组建的上海华虹 NEC 电子有限公司组建，总投资为 12 亿美元，注册资金 7 亿美元，华虹 NEC 主要承 担“九 0 九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998 年 1 月 18 日，“九 0 八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这 条从朗讯科技公司引进的 0.9 微米的生产线已经具备了月投 6000 片 6 英寸圆片 的生产能力。 1998 年 1 月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫 2000 系 统，这是我国自主开发的一套 EDA 系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要， 可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998 年 2 月 28 日，我国第一条 8 英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个
项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998 年 4 月，集成电路“九 0 八”工程九个产品设计开发中心项目验收授 牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四 研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东 专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工 业 771 研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998 年 3 月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发 的我国第一个-CMOS 微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取 得的一项可喜的成绩。 1999 年 2 月 23 日，上海华虹 NEC 电子有限公司建成试投片，工艺技术档次 从计划中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主导产品 64M 同步动态存储器（S－ DRAM） 这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集 。 成电路芯片生产线。 2000 年 7 月 11 日，国务院颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若 干政策》 随后科技部依次批准了上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 个国家级 IC 设计产业化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直径 8 英寸硅单晶抛光片国家高技术产业化示范工程项 目在北京有色金属研究总院建成投产；3 月 28 日，国务院第 36 次常务会议通过 了《集成电路布图设计保护条例》 。 2002 年 9 月 28 日，龙芯 1 号在中科院计算所诞生。同年 11 月，中国电子 科技集团公司第四十六研究所率先研制成功直径 6 英寸半绝缘砷化镓单晶， 实现 了我国直径 6 英寸半绝缘砷化镓单晶研制零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士兰微电子股份有限公司上市，成为国内 IC 设计 第一股。 2006 年中星微电子在美国纳斯达克上市。随即珠海炬力也成功上市。 2007 年展讯通信在美国纳斯达克上市。 2008 年《集成电路产业“十一五”专项规划》重点建设北京、天津、上海、 苏州、宁波等国家集成电路产业园。

H. 集成电路设计方向的顶级会议有哪些

摘要】：正
中国电子学会半导体与集成技术学会委托四机部1424所筹备的全国中、大规回模集成电路设答计及分析学术会议于1981年11月28日至12月3日在昆明市召开.在云南省科委、电子局领导机关的关心和云南省半导体器件厂的大力支持下,学术会议开得比较成功.
来自全国近80名代表参加了这次会议.会议共收到论文摘要108篇,在会上报告了44篇.通过这次学术会议,可以看到我国中、大规模集成电路的设计、研制、分析测试及计算机辅助设计技术已有了较大的进展,其中双极256位、1024位
ROM;MOS 4K静态、16K动态随机存贮器的研制成果,反映

【关键词】： 大规模集成 学术会议 电路设计 计算机辅助 半导体器件 集成技术 设计技术 分析测试 动态随机 研制成果
【正文快照】：
中国电子学会半导体与集成技术学会委托四机部1斗24所筹备的全国中、大规模集成电路设计及分析学术会议于1981年11月28日至12月3日在昆明市召开.在云南省科委、电子局领导机关的关心和云南省半导体器件厂的大力支持下,学术会议开得比较成功.
来自全国近80名代表参加了这次会议

I. 半导体材料有哪些

常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等） 、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。

J. 大规模集成电路的中国超大规模集成电路发展

“超大规模集成电路设计专项的实施和顺利进展，为我国在2010年由世界第二大集成电路消费国走向集成电路设计大国奠定坚实的基础。”这是在最近的一次会议上国家“十五”863超大规模集成电路设计专项负责人说过的一句话。
对集成电路的作用，行内有四句话形容的非常好，说是：电子信息产品和国防电子装备的核心，是信息产业核心竞争力最重要的体现，是信息技术与产业掌握发展主动权和实现跨越发展的基石，是自主发展信息产业和现代服务业并提高其附加值所必备的技术保证。
“掌握集成电路和软件的关键技术并实现产业化，对我国实现以信息化带动工业化，确保国家信息安全，具有至关重要的作用。”该负责人说。
“集成电路和软件重大专项”是我国“十五”计划期间的十二项重大科技专项之一。科技部在863计划集成电路方面，共设立了超大规模集成电路设计、100nm集成电路制造装备和集成电路配套材料三个专项，而在超大规模集成电路设计方面成果尤为显著。
全面达到预期目标
据该负责人介绍，超大规模集成电路设计专项自实施以来，在三个方面取得了重大进展，分别是在人才建设、微处理器、网络通信等方面。
“我们在7+1个国家集成电路设计产业化基地和9个国家集成电路人才培养基地建设方面取得了显著成效；而在微处理器CPU和DSP设计方面，‘众志’、‘C—Core’、‘龙芯’和‘汉芯’等都实现了由技术突破向重点推广的纵深发展。最后一个是在网络通信、信息安全、信息家电等领域的SoC系统芯片开发和应用方面,“COMIP”、“华夏网芯”和“星光多媒体”等芯片取得开发和应用的重点突破。另外，在MPW、IP核联盟、EDA工具、国际合作四项服务体系的建设也逐步完善。在实施效果中不但体现了立项的指导思想，而且除IP核应用推广联盟工作尚需进一步探索外，专项全面达到了立项的战略目标和预期成果。”该负责人说。
作为知识高度密集产业，人才是发展我国集成电路设计产业的关键，专项大规模培养的人才对解决我国集成电路人才匮乏的瓶颈问题起到了重要作用。而一批具有自主知识产权的核心芯片产品和一批具有核心技术竞争力的集成电路设计企业先后出现，为集成电路的最终产业化打下了坚实的基础。
体现国家意志，集聚一流人才，发挥后发优势，抢抓国际IT产业结构重组的难得机遇，高起点地推进具有战略前瞻意义的超大规模集成电路设计技术及产业的自主创新与跨越。这是专项实施时的初衷，而现在，专项组的科研人员们几近圆满地完成了这一任务。
为信息产业发展提供有力支撑
“‘十五’期间，我国电子信息产业保持高速持续发展，而集成电路设计是具有战略性的关键核心技术。本专项的实施对集成电路技术和产业具有显著的推动作用，集成电路设计产业产值从1999年的5亿元增长到2005年的近150亿元，为支撑我国信息技术和产业的发展发挥着越来越大的作用。”该负责人介绍道。
在专项实施过程中，建设了一大批的产业化基地，这些基地的建设有效地调动了中央和地方的资源对集成电路设计业的推动；营造了集成电路设计业在市场、政策、资金和人才等方面健康发展的氛围；形成了人才、技术和企业的集聚，为我国信息产业的发展提供强有力的支撑。