电路级别硅

『壹』 为什么电路板要用硅做我知道硅是半导体，谢谢

电路板本身是由有机材料（比如纸基或者玻璃纤维）以及导电材料（铜，铝）等制成的，用不到硅。硅主要用于电子元器件上面，因为其独特的半导体性质，很多电阻以及其它器件都用到硅，而且必不可少。

『贰』 怎样判断三极管是硅管还是锗管

判断方法：

判断一般硅管PN结的电压为0．6～0．7 V.锗管PN结的电压为 0．2～0．3V,还有一点比较实用，就是受科技与工艺的限制，制造NPN的硅管比PNP的要容易得多，而锗管是PNP要比NPN容易，因此，市面上的NPN硅管比PNP多得多，而PNP的锗管要比NPN的多得多，尤以锗管为甚。

凭此，当拿到一个与众不同的管子时(以前的锗管基本都是金属外壳园柱型封装直径5mm长10mm三个脚的),基本可按PNP锗管来测。

(2)电路级别硅扩展阅读：

三极管组成原则

1，保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。

2，输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极，形成变化的基极电流，从而产生三极管的电流控制关系，变成集电极电流的变化。

3，输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式（输出电压或输出电流）。

参考资料来源：网络-三极管

『叁』 什么是硅(Si)半导体集成电路

就是利用光刻，实现在一小块硅上面完成几个几十个甚至亿万个二极管三极管等等。它主要用在弱点方面，在强电上和大功率大电流上，还是需要独立大功率的元器件支持，例如大功率电容，大电流的三极管和电阻，等等。

『肆』 可控硅，场效应管，三极管的区别

场效应管VS三极管

1、微件不同：

场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

2、放大系数：

场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。

3、输入电阻：

场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。

4、性能不同：

场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

(4)电路级别硅扩展阅读：

一、场效应管的工作原理：

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

二、三极管的产品作用：

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。

我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

『伍』 运放电路中怎么判定用的是硅管还是锗管

电位判断三极管，用两个电位的绝对值相减
0.6~0.7的是硅
0.2~0.3的是锗，余下的那个是C

C的电位高，是NPN型，第二高的是B

C的电位低，是PNP型，第二高的是B

*
此判断仅适用于工作在放大状态。

『陆』 什么叫电路级硅片

就是能用在电路以上复的制硅片材料。

在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管。这是何等精细的工程！这是多学科协同努力的结晶，是科学技术进步的又一个里程碑。
地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场（mass market）的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。