微波电路定义

A. 高频电路和射频电路和微波电路有什么区别和联系

射频的范围是3KHz-300GHz.
其中的300MHz-300GHz是微波频段。也就是说微波占据了射频范围的"高频"部分。
对于微波电路而言，传统的基尔霍夫(Kirchhoff)电流电压定律已不再适用。对微波电路的分析需要回到电磁场理论，即4组麦克斯韦尔方程(Maxwell).
微波基础理论包括：传输线理论和波导，微波网络分析，阻抗匹配等。
至于“高频电路”的概念比较宽泛。不同场合对“高频”这一概念有不同的理解。几MHz的高频电路，传统的电路分析还是适用的。

B. 微波器件的定义

（microwavedevice）
微波器件按其工作原理和所用材料、工艺不同，又可分为微波电真空器件、微波半导体器件、微波集成电路（固态器件）和微波功率模块。微波电真空器件包括速调管、行波管、磁控管、返波管、回旋管、虚阴极振荡器等，利用电子在真空中运动及与外围电路相互作用产生振荡、放大、混频等各种功能。微波半导体器件包括微波晶体管和微波二极管，具有体积小、重量轻、可*性好、耗电省等优点，但在高频、大功率情况下，不能完全取代电真空器件。微波集成电路是将具有微波功能的电路用半导体工艺制作在砷化镓或其他半导体材料芯片上，形成功能块，在固态相控阵雷达、电子对抗设备、导弹电子设备、微波通信系统和超高速计算机中，有着广阔的应用前景。微波功率模块是通过采用固态功率合成技术，将多个固

C. 微波器件的介绍

工作在微波波段（频率为300～300000兆赫）的器件，称为微波器件。微波器件按其功能可分为微波振荡器（微波源）、功率放大器、混频器、检波器、微波天线、微波传输线等。通过电路设计，可将这些器件组合成各种有特定功能的微波电路，例如，利用这些器件组装成发射机、接收机、天线系统、显示器等，用于雷达、电子战系统和通信系统等电子装备。

D. 什么是微波电路

高频振荡

E. 微波集成电路该怎么介绍

微波集成电复路是工作制在微波波段和毫米波波段，由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上，具有某种功能的电路。可分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。混合微波集成电路是采用薄膜或厚膜技术，将无源微波电路制作在适合传输微波信号的基片上的功能块。电路是根据系统的需要而设计制造的。常用的混合微波集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元等各种宽带微波电路。单片微波集成电路是采用平面技术，将元器件、传输线、互连线直接制做在半导体基片上的功能块。砷化镓是最常用的基片材料。微波集成电路起始于20世纪50年代。微波电路技术由同轴线、波导元件及其组成的系统转向平面型电路的一个重要原因，是微波固态器件的发展。20世纪60～70年代采用氧化铝基片和厚膜薄膜工艺；80年代开始有单片集成电路。

F. 微波器件与微波元件的区别是什么

微波器件
是指工作在微波波段（频率为300～300000兆赫）的器件，称为微波器件。微波器件按其功能可分为微波振荡器（微波源）、功率放大器、混频器、检波器、微波天线、微波传输线等。通过电路设计，可将这些器件组合成各种有特定功能的微波电路，例如，利用这些器件组装成发射机、接收机、天线系统、显示器等，用于雷达、电子战系统和通信系统等电子装备。
微波元件：能控制导行电磁波的模式、极化方向、幅值、相位及频率等的无源装置。

G. 高频电路和射频电路和微波电路有什么区别和联系

射频的范围是3KHz-300GHz. 其中的300MHz-300GHz是微波频段。也就是说微波占据了射频范围的"高频"部分。
对于微波电路而内言，传统的基尔容霍夫(Kirchhoff)电流电压定律已不再适用。对微波电路的分析需要回到电磁场理论，即4组麦克斯韦尔方程(Maxwell). 微波基础理论包括：传输线理论和波导，微波网络分析，阻抗匹配等。
至于“高频电路”的概念比较宽泛。不同场合对“高频”这一概念有不同的理解。几MHz的高频电路，传统的电路分析还是适用的。

H. 混合微波集成电路是什么

混合微抄波集成电路(HMIC)是MACOM开发的一项袭复杂技术，该技术可将两种不同的材料（玻璃和硅）组合成单一的单片结构。这项技术能够融合每种材料的最佳性质，从而有助于实现具有尺寸和成本优势的单片电路解决方案。HMIC应视为GaAs和硅MMIC技术的辅助技术。HMIC侧重于使用自动批处理制造和测试技术为高性能微波集成电路生产具有小尺寸和低损耗特点的电阻、电抗和集总元件。这项技术适用于晶圆级制造，既能有效突破尺寸、成本和性能限制，还可以显著提高传统二极管、有源、无源、混合及芯片细线微波电路的可靠性和可重复性。
1、高性价比
2、提高了可靠性和可重复性
3、可实现宽带性能
4、使制造更灵活
5、同时利用玻璃和硅的优良性质：玻璃 - 低介电常数和高频损耗正切；硅 - 高导热性和低电阻
主要应用：CATV和有线宽带、无线回程、工业、科学和医疗、测试和测量、芯片细线高频微波应用

I. 微波集成电路可以怎样分类

微波集成电路是工作在微波波段和毫米波波段，由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上，具有某种功能的电路。可分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。混合微波集成电路是采用薄膜或厚膜技术，将无源微波电路制作在适合传输微波信号的基片上的功能块。电路是根据系统的需要而设计制造的。常用的混合微波集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元等各种宽带微波电路。单片微波集成电路是采用平面技术，将元器件、传输线、互连线直接制做在半导体基片上的功能块。砷化镓是最常用的基片材料。微波集成电路起始于20世纪50年代。微波电路技术由同轴线、波导元件及其组成的系统转向平面型电路的一个重要原因，是微波固态器件的发展。20世纪60～70年代采用氧化铝基片和厚膜薄膜工艺；80年代开始有单片集成电路。

J. 微波集成电路的分类

将微波功能电路用半导体工艺制作在砷化镓材料或其他半导体材料的芯片上的集成电路。用硅材料制作的微波电路工作于 300～3000吉赫频段，可以视为硅线性集成电路的扩展，不包括在单片微波集成电路之内。
砷化镓单片微波集成电路的制作工艺，是在半绝缘砷化镓单晶片上用外延生长或离子注入硅形成有源层；注入氧或质子产生隔离层（或适合产生隔离层的其他离子）；注入铍或锌形成PN结；通过电子束蒸发制作金属-半导体势垒;用亚微米光刻、干法刻蚀、钝化保护等工艺制作有源器件（如二极管、场效应晶体管）和无源元件（电感、电容、电阻和微带元件耦合器、滤波器、负载等）以及电路图形。电路设计也分为集总参数和分布参数两种形式。分布参数主要用于功率电路和毫米波集成电路。毫米波集成电路指工作在 30～300吉赫范围内的集成电路。
砷化镓比硅更适合于制作单片微波集成电路（包括超高速电路）主要是由于：①半绝缘砷化镓衬底的电阻率高达107～109欧·厘米，微波传输损耗小；②砷化镓电子迁移率比硅高5倍左右，工作频率高,速度快；③关键有源器件砷化镓金属－半导体场效应晶体管是一种多功能器件，抗辐照性能好，所以砷化镓单片微波集成电路在固态相控阵雷达、电子对抗设备、战术导弹、电视卫星接收、微波通信和超高速计算机、大容量信息处理方面有广泛的应用前景。
已研制成功并逐步实用的单片微波集成电路有：单片微波集成低噪声放大器、单片电视卫星接收机前端、单片微波功率放大器、单片微波压控振荡器等。这种电路的设计主要围绕微波信号的产生、放大、控制和信息处理等功能进行。大部分电路都是根据不同整机的要求和微波频段的特点设计的，专用性很强。