门电路自动

⑴ 瑞可达自动门电路板LD1闪烁是什么意思

是功放机的保护提示灯，功放机出现故障后给出的提示。
出现的原因有电源电压不正常、功放板有元件损坏、保护电路出故障等等。
功放的作用就是把来自音源或前级放大器的弱信号放大，推动音箱放声。一套良好的音响系统功放的作用功不可没。
出现包括但不限于以下这些情况时功放会启动保护机制：输出短路引起的过载（线路或者音箱喇叭短路）；输出阻抗设置错误，应设置为与音箱阻抗所对于的位置；长时间大音量工作导致功放过热；电源电压过低；电路有元件损坏导致中点电压偏离。
选择闪光灯需要考虑类型等多方面因素，比如类型有数码摄影灯，便携式摄影灯，专业摄影灯，机顶闪光灯，证件照摄影灯等。闪光灯的价格大概在每个几十块。

⑵ 自动伸缩门的电路原理

电动伸缩门，（Automaticretractable door）是一种以电动控制或遥控器控制的伸缩门，伸缩门从材质上可分为铝制伸缩门、不锈钢伸缩门、铁质伸缩门、合金伸缩门。
电动伸缩门的组成：电动伸缩门主要由门体、驱动器、控制系统构成。
门体采用优质不锈钢及铝合金专用型材制作，采用平行四边形原理铰接，伸缩灵活行程大。
驱动器采用特种电机驱动，蜗杆蜗轮减速，并没有手动离合器，停电时可手动启闭。 控制系统有控制板，按钮开关，另可根据用户需求配备无线遥控装置。可配备滚动显示屏，显示500字的显示内容。还可配备智能红外线双探头防碰撞装置，遇人或异物20-30CM可自动返回运行，从而保障车辆及行人的安全。
电路原理：
电路的核心是80C51单片机，其内部带有4KB的FlashROM,无须扩展程序存储器；电脑没有大量的运算和暂存数据，现有的128B片内RAM已能满足要求，也不必扩展片外RAM，系统配备4位LED显示和2个单接口键盘，采用P0接口外接8路反相三态缓冲器74LS244作LED动态扫描的段码控制驱动信号,用P1接口的P1.0-P1.3外接一片集电极开路反相门电路74LS07做为4位LED的位选信号驱动口，LED共阴极端与74LS07的输出端相连；按键接口，由P2.0,P2.1来同时完成数字信号的接收。P3口接D/A转换器，将单片机处理后的信号转换成模拟信号通过电动机将电能变成机械能驱动自动伸缩门完成开关。
控制方式：
根据建设部标准，《电动平开、推拉围墙大门》JG/T 155-2003 中5.5.2相关规定，电动平移门常见的控制方式有以下两种： 1.控制手柄，联线控制；2.无线遥控，比如433MHz无线遥控手柄控制。

⑶ 门电路工作原理

第五节 CMOS逻辑门电路
http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把

CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 。CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件 ，以及PLD器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。
早期生产的CMOS门电路为4000系列 ，随后发展为4000B系列。当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。下面首先讨论CMOS反相器，然后介绍其他CMO逻辑门电路。

MOS管结构图

MOS管主要参数：

1.开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后
，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输 出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

一、CMOS反相器

由本书模拟部分已知，MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或CMOS电路。
下图表示CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道结构，另一个为P沟道结构。为了电路能正常工作，要求电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即
VDD＞(VTN＋|VTP|) 。

1.工作原理

首先考虑两种极限情况：当vI处于逻辑0时 ，相应的电压近似为0V；而当vI处于逻辑1时，相应的电压近似为VDD。假设在两种情况下N沟道管 TN为工作管P沟道管TP为负载管。但是，由于电路是互补对称的，这种假设可以是任意的，相反的情况亦将导致相同的结果。
下图分析了当vI=VDD时的工作情况。在TN的输出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，叠加一条负载线，它是负载管TP在 vSGP=0V时的输出特性iD－vSD。由于vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），负载曲线几乎是一条与横轴重合的水平线。两条曲线的交点即工作点。显然，这时的输出电压vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通过两管的电流接近于零。这就是说，电路的功耗很小（微瓦量级）

下图分析了另一种极限情况，此时对应于vI＝0V。此时工作管TN在vGSN＝0的情况下运用，其输出特性iD－vDS几乎与横轴重合 ，负载曲线是负载管TP在vsGP＝VDD时的输出特性iD－vDS。由图可知，工作点决定了VO＝VOH≈VDD；通过两器件的电流接近零值 。可见上述两种极限情况下的功耗都很低。

由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元，其输出电压接近于零或+VDD，而功耗几乎为零。

2.传输特性

下图为CMOS反相器的传输特性图。图中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=
2V。由于 VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，当VDD-|VTP|>vI>VTN 时,TN和TP两管同时导通。考虑到电路是互补对称的，一器件可将另一器件视为它的漏极负载。还应注意到，器件在放大区（饱和区）呈现恒流特性，两器件之一可当作高阻值的负载。因此，在过渡区域，传输特性变化比较急剧。两管在VI=VDD/2处转换状态。

3.工作速度

CMOS反相器在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。下图表示当vI=0V时 ，TN截止，TP导通，由VDD通过TP向负载电容CL充电的情况。由于CMOS反相器中，两管的gm值均设计得较大，其导通电阻较小，充电回路的时间常数较小。类似地，亦可分析电容CL的放电过程。CMOS反相器的平均传输延迟时间约为10ns。

二、CMOS门电路

1.与非门电路

下图是2输入端CMOS与非门电路，其中包括两个串联的N沟道增强型MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。当输入端A、B中只要有一个为低电平时，就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；仅当A、B全为高电平时，才会使两个串联的NMOS管都导通，使两个并联的PMOS管都截止，输出为低电平。

因此，这种电路具有与非的逻辑功能，即
n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。

2.或非门电路

下图是2输入端CMOS或非门电路。其中包括两个并联的N沟道增强型MOS管和两个串联的P沟道增强型MOS管。

当输入端A、B中只要有一个为高电平时，就会使与它相连的NMOS管导通，与它相连的PMOS管截止，输出为低电平；仅当A、B全为低电平时，两个并联NMOS管都截止，两个串联的PMOS管都导通，输出为高电平。
因此，这种电路具有或非的逻辑功能，其逻辑表达式为

显然，n个输入端的或非门必须有n个NMOS管并联和n个PMOS管并联。
比较CMOS与非门和或非门可知，与非门的工作管是彼此串联的，其输出电压随管子个数的增加而增加；或非门则相反，工作管彼此并联，对输出电压不致有明显的影响。因而或非门用得较多。

3.异或门电路

上图为CMOS异或门电路。它由一级或非门和一级与或非门组成。或非门的输出。而与或非门的输出L即为输入A、B的异或

如在异或门的后面增加一级反相器就构成异或非门，由于具有的功能，因而称为同或门。异成门和同或门的逻辑符号如下图所示。

三、BiCMOS门电路

双极型CMOS或BiCMOS的特点在于，利用了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势，因而这种逻辑门电路受到用户的重视
。

1.BiCMOS反相器

上图表示基本的BiCMOS反相器电路，为了清楚起见，MOSFET用符号M表示BJT用T表示。T1和T2构成推拉式输出级。而Mp、MN、M1、M2所组成的输入级与基本的CMOS反相器很相似。输入信号vI同时作用于MP和MN的栅极。当vI为高电压时MN导通而MP截止；而当vI为低电压时,情况则相反，Mp导通，MN截止。当输出端接有同类BiCMOS门电路时，输出级能提供足够大的电流为电容性负载充电。同理，已充电的电容负载也能迅速地通过T2放电。
上述电路中T1和T2的基区存储电荷亦可通过M1和M2释放，以加快
电路的开关速度。当vI为高电压时M1导通，T1基区的存储电荷迅速消散。这种作用与TTL门电路的输入级中T1类似。同理 ，当vI为低电压时，电源电压VDD通过MP以激励M2使M2导通，显然T2基区的存储电荷通过M2而消散。可见，门电路的开关速度可得到改善。

2.BiCMOS门电路

根据前述的CMOS门电路的结构和工作原理，同样可以用BiCMOS技术实现或非门和与非门。如果要实现或非逻辑关系，输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET，而P沟道MOSFET则彼此串联。正如下图所示的
2输入端或非门。

当A和B均为低电平时，则两个MOSFET MPA和MPB均导通，T1导通而MNA和MNB均截止，输出L为高电平。与此同时，M1通过MPA和MpB被VDD所激励，从而为T2的基区存储电荷提供一条释放通路。
另一方面，当两输入端A和B中之一为高电平时 ，则MpA和MpB的通路被断开，并且MNA或MNB导通，将使输出端为低电平。同时，M1A或M1B为T1的基极存储电荷提供一条释放道路。因此 ，只要有一个输入端接高电平，输出即为低电平。

四、CMOS传输门

MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。模拟开关广泛地用于取样——保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。下面着重介绍CMOS传输门。

所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成，如上图所示。TP和TN是结构对称的器件，它们的漏极和源极是可互换的。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为-5V到+5V 。为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏 ，故TP的衬底接+5V电压，而TN的衬底接-5V电压 。两管的栅极由互补的信号电压（+5V和-5V）来控制，分别用C和表示。
传输门的工作情况如下：当C端接低电压-5V时TN的栅压即为-5V，vI取-5V到+5V范围内的任意值时，TN均不导通。同时,TP的栅压为+5V
，TP亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。
为使开关接通，可将C端接高电压+5V。此时TN的栅压为+5V ，vI在-5V到+3V的范围内，TN导通。同时TP的棚压为-5V ，vI在-3V到+5V的范围内TP将导通。
由上分析可知，当vI＜-3V时，仅有TN导通，而当vI＞+3V时，仅有TP导通当vI在-3V到+3V的范围内，TN和TP两管均导通。进一步分析
还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就增加。由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。这是CMOS传输出门的优点。
在正常工作时，模拟开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时，可以忽略不计。
CMOS传输门除了作为传输模拟信号的开关之外，也可作为各种逻辑电路的基本单元电路。

⑷ 自动门的电路图 真心求教

ni wen de si sen mei

⑸ 用74ls194和适当的门电路实现M=4的右移环形计数器，并要求电路能自动启动（状态由1000 0101 0010 0001 转

转1000， 0101， 0010 ，0001 的码，二极管矩阵电路

⑹ 如何利用热释电传感器设计一个自动门控制电路。 当传感器检测到有人接近时自动打开门，延迟后关闭。

这是一个简单的电路，但是友情提醒你，小猫小狗，甚至于老鼠，对于热释传感器来说，都会有感应的。
到购买灯具的商店，随便买一个热释传感器控制灯泡的电路即可完成。不过，它所能控制的功率约1到2百瓦，如果需要加大控制功率可以追加继电器。

⑺ 什么是门电路，最基本的门电路有哪些，门电路有何用途

用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。
常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等几种。
目前实际应用的门电路都是集成电路。在集成电路设计过程中，将复杂的逻辑函数转换为具体的数字电路时，不管是手工设计还是EDA工具自动设计，通常要用到七种基本逻辑（与、或、非、与非、或非、同或、异或）的图形表示，在电路术语中这些逻辑操作符号被称作门，对应的具体电路就叫做门电路，包括某个基本逻辑或者多个基本逻辑组合的复杂逻辑。

比如实现取反功能的反相器，就叫做非门；实现“先与后反”功能的就是与非门，如下图所示。与非门由两个N管和两个P管组成：P管并联，一端接电源；N管串联，一端接地。根据CMOS结构互补的思想，每个N管都会和一个P管组成一对，它们的栅极连在一起，作为与非门的输入；输出则在“串-并”结构的中间。当输入端A、B中只要有一个为0时，下面接地的通路断开，而上面接电源的通路导通，就输出高电平1；而只有A、B同时为1时，才会使接地的两个串联NMOS管都导通，从而输出低电平0。而这正是与非门的逻辑：只有两个输入都为1时，输出为0；否则结果为1。
上述7种基本逻辑对应的门即为：与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门、同或门。

另外还有一个常用的基本门电路叫传输门，可以模拟“开关”的动作，当然也是由MOS-FET组成的，利用了其栅电压控制MOS管导通的原理；当CP为1，A的数据可以传到B端，当CP为0时，其内部晶体管截止，可以把电路中的通路临时关断。它们的逻辑符号如右图所示。
门电路几乎可以组成数字电路里面任何一种复杂的功能电路，包括类似于加法、乘法的运算电路，或者寄存器等具有存储功能的电路，以及各种自由的控制逻辑电路，都是由基本的门电路组合而成的。
门电路输出端的电路结构有三种型式：有源负载推拉式(或互补式)输出、集电极(或漏极)开路输出和三态输出。
推拉式输出的门电路一般用于完成逻辑运算。集电极开路的门电路(OC门)在实现一定逻辑功能的同时，还能实现电平变换或驱动较高电压、较大电流的负载：可以把两个门的输出端直接并联，实现逻辑与的功能(称“线与”联接)。三态输出门广泛应用于和系统总线的联接以及实现信号双向传输等方面。

⑻ 自动伸缩门电路

加一个限位开关，你这个电路好像是用时间控制的。

⑼ 某同学设计了一个路灯自动控制门电路，如图所示．天黑了，让路灯自动接通，天亮了，让路灯自动熄灭．图中

（1）因为白天时，有光照，光敏电阻小，分担的电压小，则输入门电路的电势高，此内时路灯不亮，则输容出应该为低电势，即输入和输出完全相反．天黑时，光敏电阻大，分担的电压大，则输入门电路的电势低，此时路灯亮，则输出应该为高电势，即输入状态和输出状态完全相反，由此可知门电路为非门．符号如图：
（2）如图所示，当光照射光敏电阻R_G时，其阻值变小，导致分得电压减少．这样非门电路输入端电压变大，从而使其输出端电压变小，由于设白天时继电器两端电压为U₁，夜晚为U₂．所以U₁＜U₂．当光照变弱时光敏电阻R_G的阻值变大，非门电路输入端电压变小，继电器得到的电压变高，路灯被点亮．为了让路灯在天色更暗时才自动接通开关，应使电阻R 增大，使得R的分得电压变大，使非门电路的输入端电压变大，继电器得到的电压遍地，路灯不被点亮．
故答案为：（1）如图．（2）增大．

⑽ 求自动门电路图分析

自动门一般是用红外感应或是热感应的。因为热感应错误检测的多，所以现在基本都是红外感应的。具体原理和应用电路可以查看这里的文章
红外线感应自动门控制器电路
http://www.lcjdwxw.cn/forum-viewthread-tid-24064-fromuid-1.html