『壹』 中频功率表四个线怎样接
功率表要取得两种信号条件才成立，1.电压2.电流。(共有四个接线端点)
水平线的那条是电流信号。
垂直转弯的那条是电压信号。
『贰』 与BJT放大电路相比MOSFET偏置电路有什么特点
MOSFET是电压型控制器件，它的栅极电压决定着它的电流，不同的mosfet特性也不同，增强型、耗尽型的控制电压不同。
这样一来，mos的偏置需要一个准确的栅极电压，而偏置电流却很低，偏置电阻可以取到很大，这样MOS的输入阻抗也会很高。
D、S极与三极管略同。
相比于IGBT和BJT耐冲击性好,故障率低.由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好.大功率应用时,如成本不敏感,如军用、工业、高端消费产品,MOSFET是最优选择.低压大电流领域是MOSFET的强项.
IGBT是和功率MOSFET同步发展起来的一类开关器件,IGBT的优点在于做大功率时成本低,堪称“穷人的法拉利”,耐压比MOSFET容易做高.相比于BJT,更少被二次击穿而失效.常用于高压（600V)应用领域.以及低端大功率（2000W)设备,如电磁炉、逆变器等.
BJT是最老的开关器件,目前由于国内仍有一批尚未淘汰的BJT生产线没有停产,仍然活跃于低端市场.低压BJT开关频率可以较高,但由于饱和CE压降高达0.4V以上而远逊于MOSFET,只被用在最低端领域.高压BJT驱动麻烦,需使用低压大电流的电流源驱动,一般使用变压器驱动.在驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿而失效.适合中功率(50~1000W),对成本极度敏感的市场.
BJT有两种驱动方式,一种是基极开关,一种是射极开关.射极开关的效率和开关速度都优于基极开关,是BJT应用的潮流.
答：MOSFET是稳定性最好的器件,不容易损坏.MOSFET常见的失效模式有：
栅极击穿.即栅极和源极之间的绝缘层破坏.此时的MOSFET（此处均指增强型MOSFET）无法开启.
封装破裂.这是由瞬间高热引起的.在瞬间产热过大,散热不良的情形下,树脂封装材料部分分解气化并膨胀,把封装撑裂.
漏源极之间击穿.这是MOSFET最严重的一种失效模式,通常不易发生.发生后会导致短路而非断路.会导致强电源灌进弱电部分,如输入电压直接进入控制芯片而烧毁很多控制电路.通常是持续温度太高引起的（管芯温度大面积超过200度持续工作时才可能发生)IGBT稳定性比MOSFET稍差,但仍强过BJT.除了MOSFET的失效模式外,还有二次击穿的失效模式.
当IGBT持续超过安全工作区工作时,会出现还未大面积发热就出现CE极击穿的现象,这种击穿称为二次击穿.IGBT出现二次击穿的可能性比BJT小很多,但仍有可能出现.
BJT常见的失效模式有：
二次击穿：最常见的失效模式,表现为芯片并未大面积发热,但CE之间持续低阻.此时BJT已经损坏.如果是用在电源上没有保护,则会进一步发展为整管熔毁.CB间绝缘破坏：比较少见,通常发生在整管熔毁时,或CB间承受的电压高于VCBO时击穿.
热击穿：在高温下管子热失效.通常不易发生,因二次击穿发生更加容易,先发生二次击穿.
MOSFET开关极快,而且是多子导电器件,没有拖尾电流,损耗主要是开通时的输出电容放电损耗.计算公式为:
Ploss = f * 0.5 * Coss * V^2 ,
V是MOSFET开通前一瞬间承受的电压.
IGBT开关速度较快,没有存储时间,但存在拖尾电流.拖尾电流,就是在VCE已经升高的情况下,CE之间仍然有一股小电流流通一段时间,拖尾电流导致的电流--电压交叉损耗构成了IGBT的主要损耗.
BJT开关速度慢,而且是少子器件,存在存储时间.存储时间就是基极电流已经切断甚至反向,而集极和射极仍然保持完全导通的时间.在存储时间后进入下降时间.下降时间是电压、电流交叉的时间,交叉损耗发生在下降时间.低压BJT由于β值高,下降时间比较短,存储时间也可以通过肖特基箝位电路大幅减小,因此主要损耗在于导通损耗,开关损耗不太大.高压BJT的存储时间不容易通过箝位控制,下降时间也较长,主要损耗包括电流--电压交叉损耗.
但必须注意,采用射极开关的BJT没有存储时间,下降时间也很短,开关损耗可以达到MOSFET的水准.
答：从损耗分析上来看,
MOSFET的主要损耗是输出电容放电损耗,因此需要实现零电压开通,即开通前一瞬间DS电压为0.
电路形式有LLC半桥以及准方波谐振的变换器,如移相全桥ZVS,准谐振反激.
IGBT的主要损耗来自拖尾电流,因此需要实现零电流关断,消除拖尾电流,即关断前一瞬间CE电流为0.
电路形式有ZCS半桥、ZCS全桥.
BJT的主要损耗和IGBT相仿,主要在关断时有电流--电压交叉损耗,因此也应实行零电流关断.
『叁』 这个电路图的中文名字叫什么
Flyback变换器，俗称单端反激式DC－DC变换器，又称为返驰式（Flyback）转换器，或“Buck-Boost”转换器，因其输出端在原边绕组断开电源时获得能量，因此得名。
这里用简单的几个元件尽然实现了：自激式电流馈电ZVS推挽拓扑。
电流馈电解决电压馈电推挽电路的偏磁问题，ZVS提高了转换效率而且对EMC也有好处，真是个巧妙的设计。
将这个电路改造一下很容易做成温伯格电路（反激电流馈电推挽拓扑），就可以得到一个低成本；无偏磁；高效率；不错的EMC；低纹波的电源。
这简直就是一个特别适合汽车12V升压hifi功放的电源。
零电压开关(Zero Voltage Switch)
PWM开关电源按硬开关模式工作(开/关过程中电压下降/上升和电流上升/下降波形有交叠)，因而开关损耗大。高频化虽可以缩小体积重量，但开关损耗却更大了。为此，必须研究开关电压/电流波形不交叠的技术，即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术，或称软开关技术，小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。20世纪70年代谐振开关电源奠定了软开关技术的基础。随后新的软开关技术不断涌现，如准谐振(20世纪80年代中)全桥移相ZVS-PWM，恒频ZVS-PWM/ZCS-PWM(上世纪80年代末)ZVS-PWM有源嵌位；ZVT-PWM/ZCT-PWM(20世纪90年代初)全桥移相ZV-ZCS-PWM(20世纪90年代中)等。我国已将最新软开关技术应用于6kW通信电源中，效率达93%。
『肆』 IGBT做zvs电路图
IGBT做出来的是零电源开关，不是zvs,但和zvs作用一样
『伍』 全桥移相和全桥LLC的区别
1、移相全桥复：PWM控制，控制制电路简单，主电路参数简单，ZVS，不能实现ZCS
2、有源嵌位：目的是解决整流电路不能ZCS，损耗大，尖峰过高的问题，但是由于逆变和整流都要控制，控制电路相对较复杂
3、LLC：PFM控制，控制电路简单，主电路参数设计较复杂，逆变ZVS，整流ZCS，由于调频范围受限，不能全量程输出
个人认为：
控制电路设计复杂度：有源嵌位>LLC>移相
主电路设计复杂度：LLC>有源嵌位>移相
效率：LLC>有源嵌位>移相
输出范围：有源嵌位=移相>LLC
『陆』 高频感应加热电源中的串联谐振电路中的电容起什么作用
一般串联电容是为了形成LC的振荡，再调整触发信号的频率形成谐振，也叫谐振电容。让电路谐振起来可以做成软开关，即ZVS或者ZCS。这样开关管不用一直工作在硬关断和硬开通区域，减少了开关损耗。
『柒』 scs/zcs-150d-znj中znj是什么意思
汽车电路中的scs是指电子控制系统的集成，其内容包含：ABS-防抱死系统、CBC-转向制动控制系统、EBD-电子制动力分配系统、MSR-加速防滑系统、TCS-牵引力控制系统、VSC-车辆稳定控制系统等等。
『捌』 zvs电路是什么是输出高压还是输出高频率交流 zvs是什么呢
ZVS是英文（Zero Voltage Switch）的首字母缩写，表示零电压开关(ZVS)技术，另外还有零电流开关(ZCS)技术，或统称为软开关技术。
这些技术是在电源变换电路（AC/DC、DC/DC、DC/AC等）中提高电源效率的一种手段，一般情况下，这种技术可以使得小功率开关电源效率提高到80%~85%。
『玖』 什么叫软开关 zvc与zcs有什么不同
硬开关：
开关损耗大。开通时，开关器件的电流上升和电压下降同时进行；关断时，电压上升和电流下降同时进行。电压、电流波形的交叠产生了开关损耗，该损耗随开关频率的提高而急速增加。
2.感性关断电尖峰大。当器件关断时，电路的感性元件感应出尖峰电压，开关频率愈高，关断愈快，该感应电压愈高。此电压加在开关器件两端，易造成器件击穿。
3.容性开通电流尖峰大。当开关器件在很高的电压下开通时，储存在开关器件结电容中的能量将以电流形式全部耗散在该器件内。频率愈高，开通电流尖峰愈大，从而引起器件过热损坏。另外，二极管由导通变为截止时存在反向恢复期，开关管在此期间内的开通动作，易产生很大的冲击电流。频率愈高，该冲击电流愈大，对器件的安全运行造成危害。
4.电磁干扰严重。随着频率提高，电路中的di/dt和dv/dt增大，从而导致电磁干扰（EMI）增大，影响整流器和周围电子设备的工作。
软开关：
上述问题严重阻碍了开关器件工作频率的提高。近年来开展的软开关技术研究为克服上述缺陷提供了一条有效的途径。和硬开关工作不同，理想的软关断过程是电流先降到零，电压在缓慢上升到断态值，所以关断损耗近似为零。由于器件关断前电流已下降到零，解决了感性关断问题。理想的软开通过程是电压先降到零，电流在缓慢上升到通态值，所以开通损耗近似为零，器件结电容的电压亦为零，解决了容性开通问题。同时，开通时，二极管反向恢复过程已经结束，因此二极管方向恢复问题不存在。
『拾』 zvs电路到底是什么发个电路图看看！有什么用
这个是软开关技术的一种，叫零电压开关，还有一种ZCS，叫零电流开关；零电压开关的意思就是MOS或者IGBT在开通和关断的时候其DS两端的电压为0；主要作用是减小MOS或IGBT开关损耗，减小MOS或者IGBT发热量；网上有个小电路你可以看看；
http://forum.eepw.com.cn/thread/245105/1