mos门电路

⑴ 什么是MOS保护

可以说保护板上的IC是检测电池的电压、电流的，如过电压，过电流，低压等，而MOS就相当于开关，保护IC+Mosfet可以实现的功能如下(四大保护): 过充保护,当电池芯的电压超过设定值时,由保护IC切断Mosfet管。等电芯电压回归到允许的电压是,重新恢复Mosfet管的导通。过放保护,当电池芯的电压降低得超过设定值时,由保护IC切断Mosfet管。等电芯电压回归到允许的电压时,重新恢复Mosfet管的导通。过流保护,当工作电流超出设定值时,由保护IC切断Mosfet管。等工作电流回归到允许的电压是,重新恢复Mosfet管的导通。短路。其实这个功能是过流保护的扩展,当保护IC检测电池输出正负极之间电压小于规定值时,认为此时电池处于短路状态,立即切断回路。等短路的故障排除再恢复回路。短路时电池的输出正负极的电压为零,而实际电芯的电压还是正常的。

⑵ 这个MOS门电路图怎么理解

A,B两个是或门，输入A端，不输入B端，另一种情况相反。然后你说的不一样，是什么不一样，是没有表示出S,D呢，还是没有把B表示出来。

⑶ 逻辑门电路有哪些特性和参数,并给出参数的定义

主要有以下参数: 1、工作电源上下限 2、输入高低电平上下限 3、输出高低电平上下限 4、输入阻抗 5、输出阻抗。CMOS门电路由单极型MOS管构成的门电路称为Mos门电路。MOS电路具有制造工艺简单、功耗低、集成度高、电源电压使用范围宽、抗干扰能力强等优点，特别适用于大规模集成电路。MOS门电路按所用MOS管的不同可分为三种类型：第一种是由PMOS管构成的PMOS门电路，其工作速度较低；第二种是由NMOS管构成的NMOS门电路，工作速度比PMOS电路要高，但比不上TTL电路；第三种是由PMOS管和NMOS管两种管子共同组成的互补型电路，称为CMOS电路，CMOS电路的优点突出，其静态功耗极低，抗干扰能力强，工作稳定可靠且开关速度也大大高于NMOS和PMOS电路，故得到了广泛应用。MOS管主要参数1、开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2、直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3、漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿，（2）漏源极间的穿通击穿。

⑷ TTL门电路和MOS门电路

TTL是transistor-transistor
logic的缩写，就是晶体管到晶体管逻辑电路的意思。
COMS是MOS管的，TTL就是晶体管的。

⑸ 怎么用mos管构成与门和或门，还有大家都喜欢用与非门和或非门 为什么

mos管构成与门、或门、与非门和或非门如下图，从中可以看出，与门和或门由两级电路构成，且用的器件较多，即影响速度又降低集成度，所以用与非门和或非门多。

1.与门：

⑹ 关于MOS管搭建门电路的问题。

对于NMOS，它是无法传输强1的。NMOS想要传输高电平，首先它要开启，那么栅源电压一定要大于VTN，也就是说在这个或门电路中，NMOS的源端作为输出，它无法高于栅的电压。楼主这里输入信号用的1.8V吧，当输入V1、V2是10或者01的时候，上面的NMOS网络只有一只管子导通，下面的P网络一只开启另外一只截止，对于上面的N网络，导通的这只单管，它的源端的输出无法高于1.8-VTN。所以10和01的时候输出在1.4V左右。输入为11时，按道理达不到1.8V啊，如果是1.8v,2个NMOS早就关闭了，沟道不会形成反型层（这时候衬偏也是1.8V呢，阈值电压会比VTN0大的），但是波形上怎么会是1.8V？楼主查一下你用的工艺库文件吧，看看具体的参数。对于11输入我感觉，这几只MOS管没有工作在正常的开关状态啊。楼主可以把MOS的其它端子也测一下，看看波形的变化。至于毛刺，当信号从01到10改变的时候，上面的那只PMOS由关断到开启，而下面的PMOS从开启到关断，这样就相当于多了一个悬空节点，而这个悬空节点需要充电（给节点电容充电），也就是说上面那个PMOS有短暂的电流流过，这会对输出造成影响。当两个输入为00的时候，输出不为零，因为PMOS不能传输强0，PMOS要开启，那么PMOS源端的电压一定要比栅端高一个阈值最少，所以输出低电平最少为VTP的绝对值。一般电路没有这么应用的，都是P在上N在下，楼主要真想用或门，在或非门后面接一个反相器，才两只管子嘛，既能达到全摆幅又能增加电路的驱动能力~~

⑺ 写出MOS门电路L输出的布尔逻辑代数式

如果上方是正电源，下方的地的话，通常的电路构成是 P管在上方，N管在下方；
因此，估计你的电路图还是画错了吧

⑻ 当MOS门电路输入端通过电阻（不论电阻阻值为多少）接到VDD时，其逻辑状态相当于什么当MOS门电

当MOS门电路输入端通过电阻（不论电阻阻值为多少）接到VDD时，其逻辑状态相当于1.或叫高电平
当MOS门电路输入端通过电阻（电阻阻值有一定限制）接到地时，其逻辑状态相当于
0或叫低电平

⑼ 逻辑门电路的详细介绍

CMOS门电路
由单极型MOS管构成的门电路称为Mos门电路。MOS电路具有制造工艺简单、功耗低、集成度高、电源电压使用范围宽、抗干扰能力强等优点，特别适用于大规模集成电路。MOS门电路按所用MOS管的不同可分为三种类型：第一种是由PMOS管构成的PMOS门电路，其工作速度较低；第二种是由NMOS管构成的NMOS门电路，工作速度比PMOS电路要高，但比不上TTL电路；第三种是由PMOS管和NMOS管两种管子共同组成的互补型电路，称为CMOS电路，CMOS电路的优点突出，其静态功耗极低，抗干扰能力强，工作稳定可靠且开关速度也大大高于NMOS和PMOS电路，故得到了广泛应用。
MOS管主要参数
1、开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3、漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿，（2）漏源极间的穿通击穿。
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID4、栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5、低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
6、导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7、极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间
8、低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
CMOS反相器
CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件。CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件，以及PLD器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。早期生产的CMOS门电路为4000系列，随后发展为4000B系列。当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或CMOS电路。CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道结构，另一个为P沟道结构。为了电路能正常工作，要求电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即VDD>(VTN+|VTP|)。
CMOS门电路
1、与非门电路：包括两个串联的N沟道增强型MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。当输入端A、B中只要有一个为低电平时，就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；仅当A、B全为高电平时，才会使两个串联的NMOS管都导通，使两个并联的PMOS管都截止，输出为低电平。因此，这种电路具有与非的逻辑功能，即n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。
2.或非门电路：包括两个并联的N沟道增强型MOS管和两个串联的P沟道增强型MOS管。当输入端A、B中只要有一个为高电平时，就会使与它相连的NMOS管导通，与它相连的PMOS管截止，输出为低电平；仅当A、B全为低电平时，两个并联NMOS管都截止，两个串联的PMOS管都导通，输出为高电平。因此，这种电路具有或非的逻辑功能，其逻辑表达式为。显然，n个输入端的或非门必须有n个NMOS管并联和n个PMOS管并联。比较CMOS与非门和或非门可知，与非门的工作管是彼此串联的，其输出电压随管子个数的增加而增加；或非门则相反，工作管彼此并联，对输出电压不致有明显的影响。因而或非门用得较多。
3、异或门电路：它由一级或非门和一级与或非门组成。或非门的输出。而与或非门的输出L即为输入A、B的异或如在异或门的后面增加一级反相器就构成异或非门，由于具有的功能，因而称为同或门。
CMOS传输门
MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。模拟开关广泛地用于取样——保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。下面着重介绍CMOS传输门。所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成，如上图所示。TP和TN是结构对称的器件，它们的漏极和源极是可互换的。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为-5V到+5V。为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏，故TP的衬底接+5V电压，而TN的衬底接-5V电压。两管的栅极由互补的信号电压（+5V和-5V）来控制，分别用C和表示。传输门的工作情况如下：当C端接低电压-5V时TN的栅压即为-5V，vI取-5V到+5V范围内的任意值时，TN均不导通。同时、TP的栅压为+5V，TP亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。为使开关接通，可将C端接高电压+5V。此时TN的栅压为+5V，vI在-5V到+3V的范围内，TN导通。同时TP的棚压为-5V，vI在-3V到+5V的范围内TP将导通。由上分析可知，当vI<-3V时，仅有TN导通，而当vI>+3V时，仅有TP导通当vI在-3V到+3V的范围内，TN和TP两管均导通。进一步分析还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就增加。由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。这是CMOS传输门的优点。在正常工作时，模拟开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时。可以忽略不计。CMOS传输门除了作为传输模拟信号的开关之外，也可作为各种逻辑电路的基本单元电路。