或mos电路

『壹』 基于MOS管或三极管做的开关电路

楼上的原理方面都说得很到位了！
而且网上很多这方面资料，论坛也有，做电路，还是需要自己亲自动手，多思考，多动手，多总结，才能够真正的领悟，从而提升自己！

『贰』 怎么用mos管构成与门和或门，还有大家都喜欢用与非门和或非门 为什么

mos管构成与门、或门、与非门和或非门如下图，从中可以看出，与门和或门由两级电路构成，且用的器件较多，即影响速度又降低集成度，所以用与非门和或非门多。

1.与门：

『叁』 怎么看一个mos管电路

这里场效应管肯定是起着开关作用，至于说电平转换，真的没必要如此浪费资源，用电阻就可以了。而这样构成电路，估计是要多个相同IIC设备，却无法改变其相同的地址，就只能是采用开关电路来切换了；

『肆』 MOS管在开关电路的作用

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。

(4)或mos电路扩展阅读

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。

MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。

『伍』 mos管在电路中的作用

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。这是一种简单好用，接近理想的电压控制电流源电晶体
它具以下特点:开关速度快、高频率性能好，输入阻抗高、驱动功率小、热稳定
性优良、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性度高等等，其最重要的优点
就是能够减少体积大小与重量，提供给设计者一种高速度、高功率、高电压、
与高增益的元件。在各類中小功率开关电路中应用极为广泛。
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（Depletion MOS），另一种为增强型
（Enhancement MOS）。这兩种型态的结构没有太大的差異，只是耗尽型MOS一
开始在Drain-Source的通道上就有载子，所以即使在VGS为零的情况下，耗尽型
MOS仍可以导通的。而增强型MOS则必须在其VGS大於某一特定值才能导通。

『陆』 mos管或igbt为什么要用驱动电路

不太理解你的问题的意思啊。驱动电路能进行受控的开和关，这样就能对mos管中的Id电流进行调制，另外mos管开通和关断都需要进行充电和放电（虽然mos是电压驱动型器件，但由于结容的存在，需要对这些电容充电才能有驱动电压），这都需要电流，电流就是由驱动电路提供的，除此之外你还想问什么？

『柒』 集成电路设计的一个题目，用mos管设计一个同或门电路。谢谢！！很急

如图

『捌』 请教：MOS管做开关电路

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要回由栅源电压uGS决定其答工作状态。

MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。

MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:

当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；

同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；

所以，G极就是控制极；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

『玖』 MOS电路的简介

MOS集成电路又分为PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconctor，P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconctor，N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(Complement Metal Oxide Semiconctor，复合互补金属氧化物半导体)等类型。

『拾』 有没有替代场效应管或MOS管组成的开关控制电路的集成IC

CD4066之类的CMOS双向模拟开关就很好用，要求更高些可以选用Maxim的相关产品。